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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP2408(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2408(f) -
RFQ
ECAD 8958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2408 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2408F Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250NS,250NS
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(bl-tp,se 0.5100
RFQ
ECAD 3927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP250H(D4-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(d4-tp5,f) -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP250H(D4-TP5F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP2366(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(v4-tpl,e 1.5200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2366 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 40n,40n
TLP250H(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(d4-lf1,f) 1.7400
RFQ
ECAD 53 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP250H(D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP632(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GB,F) -
RFQ
ECAD 5172 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP632 DC 1 晶体管 6浸 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP116A(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp116a(e 1.5100
RFQ
ECAD 61 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP116 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 5A991 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.58V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60n,60n
TLP733(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C173,F) -
RFQ
ECAD 8648 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP733 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 不适用 TLP733(D4-C173F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP250(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250(d4-lf1,f) -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - (1 (无限) 264-TLP250(D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP267J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J(t2-tpl,e 1.0700
RFQ
ECAD 7842 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP267 CQC,Cur,Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA(200µa) 500V/µs (典型) 3MA 100µs
TLP781(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(grh,f) -
RFQ
ECAD 3019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(GRHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP385(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(bll-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP109(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(TPR,E) 1.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 20% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
TLP385(D4-GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4-grl,e 0.5400
RFQ
ECAD 1695年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp385(d4-grle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP751(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751(d4-lf1,f) -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP751(D4-LF1F) Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10% @ 16mA - 200NS,1µs -
TLP785(BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(bl-lf6,f -
RFQ
ECAD 8967 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(BL-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2118(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118(f) -
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2118 - (1 (无限) 264-TLP2118(f) Ear99 8541.49.8000 100
TLP126(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126(f) -
RFQ
ECAD 6421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP126 AC,DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(gb-tpr,e) -
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(f) 1.5600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLPN137 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10MBD 3NS,12NS 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP5212(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5212(tp,e 5.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP5212 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 16件事 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 2a,2a 2.5a 57ns,56ns 1.67V 25 ma 5000vrm 25kV/µs 250NS,250NS 50ns 15V〜30V
TLP121(GRL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(grl-tpl,f) -
RFQ
ECAD 8219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(GRL-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP550(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(米登,F) -
RFQ
ECAD 7226 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550(Meidenf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(IGM-TP5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(IgM-TP5,J,f -
RFQ
ECAD 2062 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP759(IGM-TP5JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLP700H(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700H (D4-MBSTP,f -
RFQ
ECAD 7823 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 上次购买 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) 光学耦合 CSA,CUL,UL,VDE 2 6-SDIP 下载 1 2a,2a 2a 15µs,8µs 1.55V 20 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS,500NS 250NS 15V〜30V
TLP160G(SIEMTPRS,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp160g siemtprs,f -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160G - (1 (无限) 264-tlp160g siemtprsftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP385(D4BL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4bl-tl,e 0.5600
RFQ
ECAD 8553 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP3023SF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3023SF -
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 TLP3023 BSI,Semko,Ur 1 TRIAC 6(6 浸(切),5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA() 200V/µs 5mA -
TLP3052(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052 (S,C,F) -
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 TLP3052 BSI,Semko,Ur 1 TRIAC 6(6 浸(切),5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma (典型) 500V/µs (典型) 10mA -
TLP250HF(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(d4-tp4,f) -
RFQ
ECAD 6360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP250HF(D4-TP4F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500 2 a - 50n,50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库