SIC
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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP291(GR-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（gr-tp，se 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2703（e 1.4600
RFQ
 ECAD 1968年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2703 DC 1 达灵顿 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2703（t Ear99 8541.49.8000 125 80mA - 18V 1.47V 20 ma 5000vrm 900 @ @ 500µA 8000％ @ 500µA 330n，2.5µs -
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293-4（tpr，e 1.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP131(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131（gr，f） -
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP131（GRF） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5832(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（d4-tp，e 2.8300
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26（短lf5，f） -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 4N26 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 4N26（短-LF5F） Ear99 8541.49.8000 50 100mA 2µs，2µs 30V 1.15V 80 ma 2500vrms 20％ @ 10mA - - 500mv
TLP250(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜85°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 光学耦合 ur 1 8-SMD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 500mA，500mA 1.5a - 1.6V 20 ma 2500vrms 5kV/µs 500NS，500NS - 15V〜30V
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（gr，se 0.6000
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP185（grse Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5701(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701（tp，e 1.2700
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5701 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 600 MA - 50n，50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP184(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 （GB-TPR，E） -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 TLP184（GB-TPRE） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP750(D4-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4-o，f） -
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4） Ear99 8541.49.8000 50
TLP550(HIT-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550（hit-o，f） -
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-tlp550 （命中率） Ear99 8541.49.8000 50
TLP137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（f） -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP2719(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719（e 1.7200
RFQ
 ECAD 1683年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2719 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜20V 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP2719（e Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 1MBD - 1.6V 25mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 800NS，800NS
TLP751(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751（d4-tp1，f） -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP751（D4-TP1F） Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109（Igm-tpl，e 1.2600
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA 450NS，450NS -
TLP705F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F（f） -
RFQ
 ECAD 2534 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP705F 光学耦合 ur 1 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 - 450mA - - 5000vrm 10kV/µs 200NS，200NS - 10v〜20V
TLP388(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4-tpr，e 0.8000
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（YH，f -
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F YHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-tel，f） -
RFQ
 ECAD 7023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-TELSF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5754(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5754（d4，e 2.9100
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5754 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 3a，3a 4a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP267J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J（e 1.0100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP267 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA（200µa） 不 500V/µs （典型） 3MA 100µs
TLP759F(ISIMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759f（isimt4，j，f -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759F （ISIMT4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP785(D4GR-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4gr-t6，f -
RFQ
 ECAD 3480 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（d4gr-t6ftr Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP383(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（d4，e -
RFQ
 ECAD 1774年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 （1 （无限） 264-tp383 d4e Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785(GRH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（grh-tp6，f） 0.7300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP750(D4MAT-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4mat-lf2，f -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（D4MAT-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP571(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571（f） -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP571 - （1 （无限） 264-TLP571（f） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2766A(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2766a（e 1.6400
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2766 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - （1 （无限） 264-TLP2766A（e Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 5n，4ns 1.8v （最大） 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
TLP2408(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2408（f） -
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2408 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2408F Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250NS，250NS
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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