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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP2468(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468（tp，f） -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2468 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 25 ma 20MBD 30ns，30ns 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP2363(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2363（v4-tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 200kV/µs 80n，80n
TLP632(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632（gr，f） -
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - （1 （无限） 264-TLP632（GRF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP163J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp163j（tpr，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP163 ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 3（168）） 5A991 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP3062A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp3062a（lf1，f 1.6100
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD（5条线），鸥翼 TLP3062 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA（） 是的 2KV/µS典型（典型） 10mA -
TLP552 MRON,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 MRON，F） -
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP5552MRONF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bll-tpr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 （GB，E。 1.7900
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP127(OME-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（ome-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（ome-tprf）tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP2704(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2704（tp，e 1.4600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2704 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 15 ma - - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 400NS，550NS
TLP785F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4，f -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP385(D4-Y,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-y，e 0.5400
RFQ
 ECAD 9961 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385 d4-ye Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP331(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（bv，f） -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP331 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131（tpl，f） -
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP131（TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP627M(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（d4，e 0.9200
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 ECAD 6486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP627M（d4e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（lgbtp，e 1.7900
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP292-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 （GB-TP，E。 1.8100
RFQ
 ECAD 8927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP352F(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F（S） -
RFQ
 ECAD 7703 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 tlp352f - （1 （无限） 264-tp352f（S） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2761(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（e 1.1800
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP352F(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F（d4，S） -
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP352 - （1 （无限） 264-tp352f（D4） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309（tpl，E） 1.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15％ @ 16mA - 1µs，1µs （最大） -
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 （GB-TPL，E。 0.5100
RFQ
 ECAD 1851年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp151a（v4-tpl，e 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP151 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 1 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 400mA，400mA 600mA 50n，50n 1.55V 25 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP700AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF（tp，f） -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜110°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP700AF（TPF） Ear99 8541.49.8000 1 2a，2a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 20kV/µs 200NS，200NS 50ns 15V〜30V
TLP250(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（to（f），f） -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-tlp250（tojsf） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(TELS-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（TELS-TP6，F） -
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（TELS-TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP715F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F（d4，f） -
RFQ
 ECAD 8953 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715F（D4F） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（grh，SE -
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 ECAD 3142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（grhse Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（tp，e 1.7900
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 ECAD 2765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105（f） -
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 ECAD 6829 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP105 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991 8541.49.8000 150 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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