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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大）
TLP781F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-bl，f） -
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-BLF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4-GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-gr-lf6，f -
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4-gr-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4GRH-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grh-f7，f -
RFQ
 ECAD 3128 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grh-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（grh-t7，f -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（grh-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4-gb，f -
RFQ
 ECAD 5988 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4-gbf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(Y-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F Y-LF7，F） -
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（Y-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4-Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4-y-tp7，f -
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4-y-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4grl-tp6，f -
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4grl-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(GRH-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（grh-tp6，f） -
RFQ
 ECAD 7605 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（GRH-TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（grl，f） -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GRLF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785(GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（grl-tp6，f -
RFQ
 ECAD 4625 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP785（grl-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4-GR-TC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-gr-TC，F） -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-gr-TCF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785(YH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 YH-LF6，f -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP785 YH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4GRLT6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4grlt6tc，f -
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4grlt6tcftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（f -
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 ECAD 9190 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4-Y,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（d4-y，f -
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 ECAD 7231 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4-yf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-grh，f） -
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-GRHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781(D4-BL-SD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-bl-SD，f） -
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-BL-SDF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4bll-t7，f -
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 ECAD 8761 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F d4bll-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4-GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4-grl，f -
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 ECAD 8739 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4-grlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4bl-lf7，f -
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4bl-lf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304（tpr，e 1.4100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2304 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 15 ma 1MBD - 1.55V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP781(Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 Y-TP6，F） -
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 ECAD 1947年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（Y-TP6F）Tr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP732(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（gr-lf1，f） -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（GR-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4-tp7，f -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630（f） -
RFQ
 ECAD 6206 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP630 AC，DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 264-TLP630（f） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP620-4(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4（米登（F），f） -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP620-4（Meidenf） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（T恤 - TPL，F） -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（TEE-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP754F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F（f） -
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 8点 下载 264-TLP754F（f） Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP781(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-bll，f） -
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-BLLF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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