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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP550-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF1，F） -
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4bll-tp6，f -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4bll-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183（grh，e 0.5000
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（grhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP351(D4-TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp351（d4-tp1，z，f），f） -
RFQ
 ECAD 5509 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP351 - （1 （无限） 264-tp351（d4-tp1zf）tr Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP120(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120（TPR，F） -
RFQ
 ECAD 1673年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP120 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP120（TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2703（tp，e 1.4400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2703 DC 1 达灵顿 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 80mA - 18V 1.47V 20 ma 5000vrm 900 @ @ 500µA 8000％ @ 500µA 330n，2.5µs -
TLP2958(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958（pp，f） -
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 ECAD 1618年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2958 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2958（PPF） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns，10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP351A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP351A（f） 1.6000
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 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP351 光学耦合 cur，ur，vde 1 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 400mA，400mA 600mA 50n，50n 1.55V 20 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP184(V4-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184（V4-TPR，SE 0.5100
RFQ
 ECAD 6154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2355（tpl，e 1.0200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2355 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 15ns，12ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 25kV/µs 250NS，250NS
TLP734(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 （D4-GB，M，F） -
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 ECAD 7783 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734（D4-GBMF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP250(D4-FA-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（d4-fa-tp1，f -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-TLP250（D4-FA-TP1FTR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（fd-gbtl，f -
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（FD-GBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP293(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293（gr-tpl，e 0.5100
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 ECAD 4289 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP266J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J（v4，e 0.9000
RFQ
 ECAD 3690 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP266 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP266J v4e Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H（tp，e 1.9100
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 ECAD 3095 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns，50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP759(IGM-LF2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（IgM-LF2，J，f -
RFQ
 ECAD 8099 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（IgM-LF2JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 Y-TPL，E。 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP105(MBS-N-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 （MBS-N-TPL，f -
RFQ
 ECAD 5179 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 264-TLP105 （MBS-N-TPLF Ear99 8541.49.8000 1 50 mA 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 （GB-TPL，E。 0.5100
RFQ
 ECAD 1851年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2719(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2719（tp4，e 1.7500
RFQ
 ECAD 945 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2719 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜20V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 8 ma 1MBD - 1.6V 25mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 800NS，800NS
TLP2761F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F（d4-tp，f） -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761F（D4-TPF） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
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 ECAD 6344 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 （GB-TP1，F） -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP632 - （1 （无限） 264-TLP632（GB-TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP151A(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp151a（v4-tpl，e 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP151 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 1 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 400mA，400mA 600mA 50n，50n 1.55V 25 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS，500NS 350n 10v〜30v
TLP700AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700AF（tp，f） -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜110°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP700AF（TPF） Ear99 8541.49.8000 1 2a，2a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 20kV/µs 200NS，200NS 50ns 15V〜30V
TLP250(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（to（f），f） -
RFQ
 ECAD 3278 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-tlp250（tojsf） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2367(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367（v4-tpl，e 2.5600
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2367 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 50MBD 2NS，1NS 1.6V 15mA 3750vrms 1/0 25kV/µs 20N，20N
TLP2363(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363（v4，e 1.0300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP293(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293（bll，E。 0.5100
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP293（blle Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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