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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP383(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（bl，e -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 （1 （无限） 264-tp383（ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2166A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A（f） -
RFQ
 ECAD 2622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2166 DC 2 推扣，图腾柱 3v〜3.63V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2166AF Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 5n，5ns 1.65V 15mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 75NS，75NS
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（V4-MBS-TL，f -
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 ECAD 1423 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（V4-MBS-TLF Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP358F(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp358f（d4-lf4，f） -
RFQ
 ECAD 3746 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP358 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358f（D4-LF4F） Ear99 8541.49.8000 1 6 a - 17ns，17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP126(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 （MBS-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 4591 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP126 - （1 （无限） 264-TLP126（MBS-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP2270(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270（d4-tp4，e 3.0900
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP2270 AC，DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 20MBD 1.3NS，1NS 1.5V 8mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 60n，60n
TLP250H(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H（lf1，f） 1.7800
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP250H（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n，50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP184(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 （GB-TPL，E） -
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 ECAD 1601 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP751(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751（d4-lf2，f） -
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 ECAD 5451 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP751（D4-LF2F） Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631（tp5，f） -
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 ECAD 6088 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（TP5F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP104(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp104（tpl，e 1.5100
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（grh-lf7，f） -
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 ECAD 9323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GRH-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（tp，e 1.7900
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 ECAD 2765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP184(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184（gr，se 0.5100
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 ECAD 4422 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP184 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP184（grse Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105（f） -
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 ECAD 6829 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP105 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 5A991 8541.49.8000 150 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP352F(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F（S） -
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 ECAD 7703 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 tlp352f - （1 （无限） 264-tp352f（S） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2363(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2363（v4-tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 5481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns，7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 200kV/µs 80n，80n
TLP632(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632（gr，f） -
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 ECAD 5656 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - （1 （无限） 264-TLP632（GRF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP552 MRON,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 MRON，F） -
RFQ
 ECAD 7282 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP5552MRONF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2200F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200F -
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 ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2200 DC 1 三州 4.5V〜20V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2200（f） Ear99 8541.49.8000 50 25 ma 2.5MBD 35NS，20NS 1.55V 10mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 400NS，400NS
TLP127(OME-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127（ome-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（ome-tprf）tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 （GB，E。 1.7900
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 ECAD 2865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP700F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F（f） -
RFQ
 ECAD 4775 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP700 光学耦合 - 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP700F（f） Ear99 8541.49.8000 1 - 2a - - 5000vrm 15kV/µs 500NS，500NS - 15V〜30V
TLP627M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（lf5，e 0.9300
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 ECAD 7235 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP3062(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3062（s，c，f） -
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 ECAD 1388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3062 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA（） 是的 200V/µs 10mA -
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4t7tr，e 0.8400
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 ECAD 3858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 7ma 20µs
TLP627MF(D4-F4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF（d4-f4，e 0.9200
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 ECAD 7685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP3062A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp3062a（lf1，f 1.6100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD（5条线），鸥翼 TLP3062 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA（） 是的 2KV/µS典型（典型） 10mA -
TLP163J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp163j（tpr，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 5514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP163 ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 3（168）） 5A991 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bll-tpr，e 0.5500
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 ECAD 5465 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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196-LFBGA裸露的垫子

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