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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB-TP，E） -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4（f） -
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 ECAD 4048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 4 晶体管 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 Y Y-LF1，F） -
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 ECAD 4205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP551（Y-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4-igm，J，f），f） -
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 ECAD 1741年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4-igmjf） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J u，c，f） -
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 ECAD 3279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP161J ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA -
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 （GB，SE 0.6100
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 ECAD 8225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP185 （GBSE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（tp，e 2.8100
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 ECAD 6975 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.4V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP130(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP130 （GB-TPR，F） -
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 ECAD 9661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP130 AC，DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP700HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700HF（F） -
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 ECAD 1981 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 上次购买 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） 光学耦合 CSA，CUL，UL，VDE 2 6-SDIP 下载 264-TLP700HF（f） 1 2a，2a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS，500NS 250NS 15V〜30V
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp371（lf1，f） -
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 ECAD 5901 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - （1 （无限） 264-tp371（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183（grl-tpl，e 0.5100
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 ECAD 6712 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309（E） 1.2600
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 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15％ @ 16mA - 1µs，1µs （最大） -
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551（Y，F） -
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 ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP551（YF） Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP5752H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H（tp4，e 1.9500
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5752 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
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 ECAD 2305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP126 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183（tpl，e 0.5100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781(D4-Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-y-lf6，f） -
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 ECAD 4558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-Y-LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631（tp1，f） -
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 ECAD 9923 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（e 1.7100
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 ECAD 9055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5702H e Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns，50ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP371(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp371（lf2，f） -
RFQ
 ECAD 1632年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - （1 （无限） 264-tp371（LF2F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 （GB，F） -
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 ECAD 3007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GBF） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grh-t7，f -
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 ECAD 2497 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grh-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2735(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735（d4-tp，e 1.8500
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2735 DC 1 推扣，图腾柱 9V〜15V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 20 ma 10Mbps - ，4ns 1.61V 15mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 100NS，100NS
TLP5832(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（d4，e 2.8300
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 ECAD 1178 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 75 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP2095(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2095（f） -
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 ECAD 6226 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP2095 AC，DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2095F Ear99 8541.49.8000 150 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250NS，250NS
TLP293(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293（grl-tpl，e 0.5000
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 ECAD 4454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 200 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP785(TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（tels-t6，f -
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 ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（tels-t6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（grh，SE -
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（grhse Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9376（tpl，f 4.0500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLX9376 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA - 2NS，2NS 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 35ns，35ns
TLP523-4(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4（sanyd，f） -
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 ECAD 8821 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - （1 （无限） 264-TLP523-4（SANYDF） Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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196-LFBGA裸露的垫子

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