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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 （MAT-LF2，F） -
RFQ
 ECAD 9349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 （MAT-LF2F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182（e 0.5700
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2531(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531（f） -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2531 DC 2 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 - - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19％ @ 16mA - 200NS，300NS -
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719（d4fa-tps，f） -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719（D4FA-TPSF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 （MAT-M-TPL，f -
RFQ
 ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 （GB-LF6，f 0.6400
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 ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785 （GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183（bll，e 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（blle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 （GB，F） -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 4 晶体管 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（V4GBTP，SE 0.5100
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP701H(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701H（tp，f） 0.5373
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 ECAD 4868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP701 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-SDIP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP701H（TPF） Ear99 8541.49.8000 1,500 600 MA - 50n，50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 700NS，700NS
TLP550 -TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -TP1，F） -
RFQ
 ECAD 8236 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550-TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（tp，e 1.6000
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 ECAD 4090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(D4BL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4bl-tr，e 0.5600
RFQ
 ECAD 2213 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP523-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP523-4（lf1，f） -
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 ECAD 1486年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP523 - （1 （无限） 264-TLP523-4（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F（tp，f） -
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 ECAD 5383 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761F（TPF） Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP292-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292-4（la，e 1.7900
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 ECAD 5078 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358（tp5，f） -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP358 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358（TP5F） Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns，17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP5751H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5751H（tp4，e 1.8500
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 ECAD 8709 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5751 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 1a，1a 1a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182（bl，e 0.5700
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 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP182（ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785(D4GL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4Gl-T6，f 0.7400
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（tpl，e 0.8200
RFQ
 ECAD 5753 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 （GB，F） -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP504 DC 4 晶体管 16二滴 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（e 0.8200
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281 （GB-TP，F） -
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） TLP281 DC 1 晶体管 4 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（lf5，f） -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - （1 （无限） 264-tp331（LF5F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP700A(D4-TP,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP700A（D4-TP，S） -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP700 - （1 （无限） 264-TLP700A（D4-TPS）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J（psd-tl，f） -
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J（PSD-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（lf5，f） -
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626（LF5F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（v4-la，e 1.7900
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（v4gbtre 1.6300
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 ECAD 8493 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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