SIC
close

（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n36 （短，f） -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N36 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 40％ @ 10mA - 3µs，3µs 300mv
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651（o，f） -
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP651 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP651（） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 19％ @ 16mA - 300NS，500NS -
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4gb-tl，e 0.7900
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（gr，f 0.7200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785F（grf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719（d4fa-tps，f） -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719（D4FA-TPSF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - 800NS，800NS （最大） -
TLP705F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F（tp，f） -
RFQ
 ECAD 8433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP705F 光学耦合 ur 1 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP705F（TPF） Ear99 8541.49.8000 2,500 - 450mA - - 5000vrm 10kV/µs 200NS，200NS - 10v〜20V
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp768j s，c，f） -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP768 - - - - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP768J（SCF） Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（gr-lf2，f） -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（GR-LF2F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550（f） -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP550 DC 1 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124F DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP124（f） Ear99 8541.49.8000 150 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（grl-t7，f -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（grl-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4 （GB，E） 1.6300
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A（tp，f） -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2166 DC 2 推扣，图腾柱 3v〜3.63V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15MBD 5n，5ns 1.65V 15mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 75NS，75NS
TLP160J(V4T7TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J（v4t7tluc，f -
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160 - （1 （无限） 264-TLP160J（v4t7tlucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP627(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627（f） -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 60 ma 5000vrm 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP2366(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366（v4，e 1.5100
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2366 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 40n，40n
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303（tpl，e 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2303 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 80mA - 18V - 20 ma 3750vrms 500 @ @ 5mA - - -
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 （GB-TP，E） -
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 （GB-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GB-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 （4LGBTRE 1.7900
RFQ
 ECAD 8134 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G（u，f） -
RFQ
 ECAD 6312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP160G ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 70 MA 600µA（） 不 200V/µs 10mA 30µs
TLP385(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（gr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 2588 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp290（tp，se 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP126TPRF Toshiba Semiconductor and Storage TLP126TPRF -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP126 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP2761(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（lf4，e -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2761（lf4e Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182（e 0.5700
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 （GB-LF6，f 0.6400
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785 （GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP525 ur 1 TRIAC 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP525G（f） Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 200µA（200µa） 不 200V/µs 10mA -
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3042 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA（） 是的 200V/µs 10mA -
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183（bll，e 0.5100
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（blle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭