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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
 ECAD 3245 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 6n137 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10MBD 30ns，30ns 1.65V 20mA 2500vrms 1/0 200V/µs，500V/µs typ） 75NS，75NS
TLX9185(KBDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage tlx9185（kbdgbtlf（o -
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLX9185 DC 1 晶体管 6 sop - 264-TLX9185（kbdgbtlf（o Ear99 8541.49.8000 1 50mA 3µs，5µs 80V 1.27V 30 ma 3750vrms 20％ @ 5mA 600 @ 5mA 5µs，5µs 400mv
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J（D4-Cano） -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP360 CQC，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 4点 - 264-tp360J（D4-Cano） Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma 不 500V/µs （典型） 10mA 30µs
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（bv-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 5868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（BV-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2372（v4-tpr，e 1.9100
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2372 DC 1 推扣，图腾柱 2.2v〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 20mbps 2.2NS，1.6NS 1.53V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75NS，75NS
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182 y-tpl，e 0.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 Y-LF6，F） -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（Y-LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
4N38(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n38 （短，f） -
RFQ
 ECAD 1929年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N38 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 80V 1.15V 80 ma 2500vrms 10％ @ 10mA - 3µs，3µs 1V
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F （GB-LF7，F） -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GB-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4-tpr，e 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B（c，f） 3.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP591 DC 1 光伏 6浸，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 24µA - 7V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP627M(D4-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（d4-lf5，e 0.9300
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398（e -
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2398 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 6-SO，5领先 - （1 （无限） 264-TLP2398（ETR Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 5Mbps 15ns，12ns 1.5V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bll，e 0.5500
RFQ
 ECAD 1556年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（blle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104（v4-tpl，e 1.5200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP250(D4-MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250（d4-mat，f） -
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP250 - （1 （无限） 264-TLP250（D4-MATF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（grh-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 4690 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GRH-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J（tpl，e 0.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP266 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（E） -
RFQ
 ECAD 1657年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP733(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 （D4-C174，F） -
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP733 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 不适用 TLP733（D4-C174F） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP290(BLL-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（bll-tp，e） -
RFQ
 ECAD 2482 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP748J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J（f） 1.8600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP748 BSI，Semko，Ur 1 scr 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 4000vrm 600 v 150 ma 1ma 不 5V/µs 10mA 15µs
TLP3065(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3065（s，c，f） -
RFQ
 ECAD 6195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP3065 - - - - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP3065（SCF） Ear99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP5705H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H（e 1.9300
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5705H e Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns，50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grl-t7，f -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grl-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（lgbtr，e 1.6300
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP291-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4（V4GBTPE 1.0600
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP108(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108（tpl，f） -
RFQ
 ECAD 7832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP108 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP，5领先 下载 264-TLP108（TPLF） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（f） -
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP331 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4gb-tr，e 0.5600
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 ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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