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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 批准机构 | 频道数量 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出高,低,低 | 电流 -输出 /通道 | 数据速率 | 电流 -峰值输出 | 上升 /秋季t (典型) | 电压 -输出(最大) | 电压 -向前( -vf)(类型) | (dc 向前(如果)()((最大)) | 电压 -隔离 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | 电流 -保持( ih) | 输入 -侧面 -1/侧2 | ((() | tplh / tphl (最大) | ((() | 电压 -输出电源 | ((() | ((() | 打开 /关闭t ty(typ) | (VCE 饱和度(最大) | 零越过电路 | DV/DT (最小) | 电流-LED(IFT)(IFT)) | t |
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![]() | tlp385(d4blltl,e | 0.5500 | ![]() | 7135 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO,4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 200 @ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 3µs,3µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP750(D4-O-TP1,F) | - | ![]() | 5978 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP750 | - | (1 (无限) | 264-TLP750(D4-O-TP1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785 (GB,F) | 0.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP781(d4-gr,f) | - | ![]() | 8794 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | TLP781 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 300 @ @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP5705H(d4lf4,e | 2.0100 | ![]() | 3764 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) | DC | 1 | 推扣,图腾柱 | 15V〜30V | 6-so | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 37ns,50ns | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 50kV/µs | 200NS,200NS | |||||||||||||||||||||||
tlp2312(tpl,e | 1.7100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 | TLP2312 | DC | 1 | 推扣,图腾柱 | 2.2v〜5.5V | 6-SO,5领先 | - | (1 (无限) | 264-TLP2312(tpletr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 8 ma | 5Mbps | 2.2NS,1.6NS | 1.53V | 8mA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 250NS,250NS | |||||||||||||||||||||
TLP293-4(v4latpe | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) | TLP293 | DC | 4 | 晶体管 | 16件事 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50% @ 500µA | 600 @ @ 500µA | 3µs,3µs | 300mv | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP631 (GB-LF1,F) | - | ![]() | 9501 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP631 | - | (1 (无限) | 264-TLP631(GB-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP630(gb-fanuc,f) | - | ![]() | 7207 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) | TLP630 | AC,DC | 1 | 晶体管带有基部 | 6浸 | 下载 | 264-TLP630(GB-FANUCF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2µs,3µs | 55V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
![]() | tlp701f(d4sonytp,f | - | ![]() | 3894 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) | TLP701 | 光学耦合 | - | 1 | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP701F(d4sonytpf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 600mA | - | - | 5000vrm | 10kV/µs | 700NS,700NS | - | 10v〜30v | ||||||||||||||||||||||
TLP627(tp1,f) | - | ![]() | 2664 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | TLP627 | DC | 1 | 达灵顿 | 4-SMD | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 150mA | 40µs,15µs | 300V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 1000% @ 1ma | - | 50µs,15µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP731(d4-bl-tp1,f | - | ![]() | 7743 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP731 | - | (1 (无限) | 264-TLP731(d4-bl-tp1f | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | tlp734f(gb-lf4,m,f | - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP734 | - | (1 (无限) | 264-TLP734F (GB-LF4MF | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP731 (GB-LF1,F) | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP731 | - | (1 (无限) | 264-TLP731(GB-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tlp781f(d4-y-lf7,f | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | TLP781F | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | (1 (无限) | 264-TLP781F d4-Y-LF7F | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50% @ 5mA | 150% @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP531(bl-lf2,f) | - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP531 | - | (1 (无限) | 264-TLP531(BL-LF2F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP631(bl-lf1,f) | - | ![]() | 6060 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP631 | - | (1 (无限) | 264-TLP631(BL-LF1F) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP732(d4-grl,f) | - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP732 | - | (1 (无限) | 264-TLP732(D4-GRLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781F(bl,f) | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) | TLP781F | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | (1 (无限) | 264-TLP781F(BLF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 200 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP714F (4HWTP,f | - | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) | TLP714 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 4.5V〜30V | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | 264-TLP714F (4HWTPF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 550NS,400NS | |||||||||||||||||||||
TLP5774(d4,e | 2.5200 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜110°C | 表面安装 | 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) | TLP5774 | 光学耦合 | CQC,Cur,Ur,Vde | 1 | 6-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | TLP5774(d4e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 1.2a,1.2a | 4a | 15ns,8ns | 1.65V | 8 ma | 5000vrm | 35kV/µs | 150NS,150NS | 50ns | 10v〜30v | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP2270(lf4,e | 3.0900 | ![]() | 8042 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 8-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | TLP2270 | AC,DC | 2 | 推扣,图腾柱 | 2.7V〜5.5V | 8-so | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 75 | 10 MA | 20MBD | 1.3NS,1NS | 1.5V | 8mA | 5000vrm | 2/0 | 20kV/µs | 60n,60n | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(bl-lf7,f | - | ![]() | 7849 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | (1 (无限) | 264-TLP785F(bl-lf7f | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 200 @ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
![]() | tlp759f(d4fa1t4sjf | - | ![]() | 3610 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | TLP759 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759F(d4fa1t4sjf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20% @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | TLP293(tpl,e | 0.5100 | ![]() | 9277 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) | TLP293 | DC | 1 | 晶体管 | 4-so | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50% @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs,3µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP267J tpl,e | 0.9900 | ![]() | 1432 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 | TLP267 | CQC,Cur,Ur | 1 | TRIAC | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.27V | 30 ma | 3750vrms | 600 v | 70 MA | 200µA(200µa) | 不 | 500V/µs (典型) | 3MA | 100µs | ||||||||||||||||||||
![]() | TLP3073(f | 1.9900 | ![]() | 1031 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 | TLP3073 | CQC,Cur,Ur | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 800 v | 100 ma | 1ma (典型) | 不 | 2KV/µS典型(典型) | 5mA | - | ||||||||||||||||||||
![]() | tlp531(hit-bl-t1,f | - | ![]() | 3100 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP531 | - | (1 (无限) | 264-TLP531(hit-bl-t1f | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP781(d4-tel,f) | - | ![]() | 1749年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) | TLP781 | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | (1 (无限) | 264-TLP781(D4-TELSF) | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs,3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50% @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs,3µs | 400mv |
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