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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压-输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (GB,E。 0.5000
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP183(gbe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP352(TP5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(tp5,S) -
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP352 - (1 (无限) 264-tp352(TP5S)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6n137f -
RFQ
ECAD 3245 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) 6n137 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10MBD 30ns,30ns 1.65V 20mA 2500vrms 1/0 200V/µs,500V/µs typ) 75NS,75NS
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(E),E) 1.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP155 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 - 35ns,15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS,170NS
TLP352(D4-HW-TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage tlp352(d4-hw-tp1,s -
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP352 - (1 (无限) 264-TP352(d4-hw-tp1str Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP352(LF5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352(lf5,S) -
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP352 - (1 (无限) 264-tp352 lf5s) Ear99 8541.49.8000 50
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(tpl,f 7.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) DC 1 MOSFET 16件事 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 - - - 1.65V 30 ma 5000vrm - - 1ms,1ms (最大) -
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grh-tpr,e 0.5400
RFQ
ECAD 5721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP350(TP1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp350(tp1,z,f),f) -
RFQ
ECAD 3902 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP350 - (1 (无限) 264-tp350(TP1ZF)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(d4-tp,f) -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2768 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2768F(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(ta,f) -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP630 AC,DC 1 晶体管带有基部 六点 下载 264-TLP630(TAF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP5752H(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(d4-tp,e -
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 2 6-so 下载 1 2.5a,2.5a 2.5a 15ns,8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 15V〜30V
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331(lf5,f) -
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - (1 (无限) 264-tp331(LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grh-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-gr-TP6,f -
RFQ
ECAD 8326 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4-gr-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP627(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627(tp1,f) -
RFQ
ECAD 2664 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 60 ma 5000vrm 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651(o,f) -
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP651 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP651() Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 19% @ 16mA - 300NS,500NS -
TLP701HF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701HF(d4-tp,f) -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 上次购买 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) 光学耦合 CSA,CUL,UL,VDE 2 6-SDIP 下载 1 400mA,400mA 600mA 50n,50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 700NS,700NS 500NS 10v〜30v
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383(d4gb-tl,e 0.6100
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4GHF7,f -
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4GHF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 (GB,E。 0.5600
RFQ
ECAD 2272 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP182 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP182(gbe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP705F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F(d4-tp,f) -
RFQ
ECAD 8857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP705F 光学耦合 图夫,ur 1 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP705F(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 450mA - - 5000vrm 10kV/µs 200NS,200NS - 10v〜20V
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp387(tpr,e 0.8700
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP387 DC 1 达灵顿 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1V
TLP291(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(E) -
RFQ
ECAD 1657年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs,7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs,7µs 300mv
TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(lf4,e 1.9500
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5752 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 2.5a,2.5a 2.5a 15ns,8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 15V〜30V
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
RFQ
ECAD 8672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 TLP3042 BSI,Semko,Ur 1 TRIAC 6(6 浸(切),5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA() 是的 200V/µs 10mA -
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312(v4-tpl,e 1.7100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2312 DC 1 推扣,图腾柱 2.2v〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) 264-TLP2312(v4-tpletr Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 5Mbps 2.2NS,1.6NS 1.53V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP350F(Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP350f Z,F) -
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP350 - (1 (无限) 264-tp350f(ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182 y-tpl,e 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP182 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160J - (1 (无限) 264-TLP160J v4OM5Trucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库