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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高，低，低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） 电压 -输出电源 （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF（d4-lf4，f） -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP250HF（D4-LF4F） Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50n，50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4Gb-f6，f -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（D4GB-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP352(LF5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352（lf5，S） -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP352 - （1 （无限） 264-tp352 lf5s） Ear99 8541.49.8000 50
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a（ncn-tl，f） -
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（NCN-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（gb-tpl，e -
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（TPR，F） -
RFQ
 ECAD 7190 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（gb，f 0.2214
RFQ
 ECAD 1711年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C TLP785 DC 1 晶体管 下载 （1 （无限） 264-TLP785 （GBF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP121(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（gr-tpl，f） -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GR-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp161g u，c，f） -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP161G ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 70 MA 600µA（） 是的 200V/µs 10mA -
TLP5752H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H（tp4，e 1.9500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5752 光学耦合 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 2.5a，2.5a 2.5a 15ns，8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS，150NS 50ns 15V〜30V
TLP5772(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772（tp，e 2.4000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5772 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.65V 8mA 5000vrm 1/0 35kV/µs 150NS，150NS
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734（D4-C172，F） -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP734 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP734（D4-C172F） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB-TP，E） -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 Y Y，E。 0.5100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp183（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（gr，f 0.7200
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785F（grf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127TPRUF Toshiba Semiconductor and Storage TLP127TPRUF -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958（f） -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2958（f） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns，10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-yh，f） -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-YHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116（f） -
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2116 DC 2 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2116F Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 15ns，15ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 10kV/µs 75NS，75NS
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033（s，c，f） -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3033 Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP3033（SCF） Ear99 8541.49.8000 50 - 5000vrm 250 v 100 ma - 是的 - 5mA -
TLP2200(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2200 - （1 （无限） 264-TLP2200（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（V4GBTP，SE 0.5100
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292（tpl，e 0.5700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bl，e 0.5500
RFQ
 ECAD 6092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP705F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705F（d4-tp，f） -
RFQ
 ECAD 8857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP705F 光学耦合 图夫，ur 1 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP705F（D4-TPF） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 450mA - - 5000vrm 10kV/µs 200NS，200NS - 10v〜20V
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767（e 2.5400
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2767 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 50MBD 2NS，1NS 2.1V（（） 15mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 20N，20N
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（tpr，SE 0.1530
RFQ
 ECAD 1778年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP751(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751（lf2，f） -
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP751（LF2F） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182（gr，E。 0.5700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP182（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（d4-grh，e 0.5400
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（d4-grhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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