SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP759(D4MB3F4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (D4MB3F4,J,f -
RFQ
ECAD 6129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(D4MB3F4JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP5702H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(d4lf4,e 1.8300
RFQ
ECAD 3288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns,50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP2261(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2261(lf4,e 3.0200
RFQ
ECAD 8964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP2261 DC 2 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP2261(lf4e Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 80n,80n
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(lf1,f) -
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP525 CSA,CUL,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 264-TLP525G(LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 200V/µs 10mA -
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GB-LF6,f 0.6400
RFQ
ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785 (GB-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP550 -TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 -TP1,F) -
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550-TP1F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP5774(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774(d4,e 2.5200
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5774 光学耦合 CQC,Cur,Ur,Vde 1 6-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP5774(d4e Ear99 8541.49.8000 125 1.2a,1.2a 4a 15ns,8ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 10v〜30v
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4bl-tp7,f -
RFQ
ECAD 2536 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4bl-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781(d4grh-tp6,f -
RFQ
ECAD 5325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4grh-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP701A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A(F) -
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP701 光学耦合 Cul,Ul 1 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP701AF Ear99 8541.49.8000 100 400mA,400mA 600mA 50n,50n 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 500NS,500NS 350n 10v〜30v
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grl-lf7,f) -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(d4Tp4,e 1.8300
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns,50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP161J(IFT5,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp161j(ift5,u,c,f -
RFQ
ECAD 8740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP161J - (1 (无限) 264-TLP161J(ift5ucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GB,SE 0.5100
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 不适合新设计 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs,7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs,7µs 300mv
TLP2768F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(f) -
RFQ
ECAD 7185 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 开放的收藏首页,肖特基夹 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2768F(f) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662(tp1,f) 1.8800
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP2662 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 10MBD 12n,3ns 1.55V 20mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 75NS,75NS
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grh-tpr,e 0.5400
RFQ
ECAD 5721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(tp,f) -
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2166 DC 2 推扣,图腾柱 3v〜3.63V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15MBD 5n,5ns 1.65V 15mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 75NS,75NS
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(grh-tpl,f) -
RFQ
ECAD 3273 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(GRH-TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4gr-lf7,f -
RFQ
ECAD 8701 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4gr-lf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP5752H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5752H(lf4,e 1.9500
RFQ
ECAD 5896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5752 光学耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 2.5a,2.5a 2.5a 15ns,8ns 1.55V 20 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 15V〜30V
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3905(e 1.8000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP3905 DC 1 光伏 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 (30µA)() - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 300µs,1ms -
TLP705AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705AF(tp,f) -
RFQ
ECAD 3995 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP705 光学耦合 CSA,CUL,UL,VDE 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP705AF(TPF) Ear99 8541.49.8000 1 600mA,600mA 600mA 35ns,15ns 1.57V 25 ma 5000vrm 20kV/µs 200NS,200NS 50ns 10v〜30v
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grh-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(tpl,f 7.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) DC 1 MOSFET 16件事 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 - - - 1.65V 30 ma 5000vrm - - 1ms,1ms (最大) -
TLP781(D4-Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-y-lf6,f) -
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(D4-Y-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP,E) -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs,7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs,7µs 300mv
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(hne-tl,f) -
RFQ
ECAD 9858 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - Ear99 8541.49.8000 1
TLP151A(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP151A(TPR,E) 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP151 光学耦合 Cul,Ul 1 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 400mA,400mA 600mA 50n,50n 1.55V 25 ma 3750vrms 20kV/µs 500NS,500NS 350n 10v〜30v
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
RFQ
ECAD 2849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(YF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库