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（2050））

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（e 1.7900
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP292-4（t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP385(GRH-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（grh-tpr，e 0.5400
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（d4cos-tp5，f -
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP750（d4cos-tp5f Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10％ @ 16mA - 200NS，1µs -
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4cos-lf2，f -
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP669LF(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF（d4，S，c，f） -
RFQ
 ECAD 8098 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通过洞 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 TLP669 CSA，CUL，UL，VDE 1 TRIAC 6浸 下载 264-TLP669LF（D4SCF） Ear99 8541.49.8000 1 - 5000vrm 800 v 100 ma - 是的 - 10mA -
TLP759(D4MBIMT1J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4mbimt1j，f -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4mbimt1jf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP185(BLL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（bll-tr，se 0.6000
RFQ
 ECAD 7102 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4-tpl，e 0.7900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5772(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772（d4，e 2.4500
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5772 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP5772（d4e Ear99 8541.49.8000 125 - 15ns，8ns 1.65V 8mA 5000vrm 1/0 35kV/µs 150NS，150NS
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309（E） 1.2600
RFQ
 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15％ @ 16mA - 1µs，1µs （最大） -
TLP292-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（V4-GB，E。 1.7900
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4teigf2J，f -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4teigf2jf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP785(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（tp6，f） 0.6400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP550(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550（lf5，f） -
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550（LF5F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP3083F(D4,TP4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F（d4，TP4F 1.7800
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼，5条线 TLP3083 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 6-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,000 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型（典型） 5mA -
TLP2766A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2766a（tp，e 1.6700
RFQ
 ECAD 7843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2766 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 20MBD 5n，4ns 1.8v （最大） 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
TLP293-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（v4latre 1.6400
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF（d4，e 0.9000
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP627MF（d4e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
TLP250HF(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF（d4-lf4，f） -
RFQ
 ECAD 2051 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP250HF（D4-LF4F） Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50n，50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G（tpl，U，f） -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160G - （1 （无限） 264-TLP160G（TPLUF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4-y-fd，f） -
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4-Y-FDF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（bv-lf2，f） -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626（BV-LF2F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs，8µs 400mv
TLP732(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（f） -
RFQ
 ECAD 4532 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（f） Ear99 8541.49.8000 50
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a（ncn-tl，f） -
RFQ
 ECAD 1211 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（NCN-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4Gb-f6，f -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（D4GB-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP352(LF5,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352（lf5，S） -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP352 - （1 （无限） 264-tp352 lf5s） Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp190b（tpl，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP190B（TPLUCF） Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2531 DC 2 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP2531（TP1F） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19％ @ 16mA 30％ @ 16mA 200NS，300NS -
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（gb-tpl，e -
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP781F(D4DLTGRL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4dltgrl，f -
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4dltgrlf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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