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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4532,f -
RFQ
ECAD 4357 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP2531 DC 2 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP2531(QCPL4532F Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200NS,300NS -
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4-tpl,e 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB,SE 0.6100
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP185 (GBSE Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(d4-grh,f -
RFQ
ECAD 7042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(d4-grhf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP701F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F(d4-tp,f) -
RFQ
ECAD 8871 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP701 光学耦合 - 1 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP701F(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 - 600mA - - 5000vrm 10kV/µs 700NS,700NS - 10v〜30v
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB,E 0.8300
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(BLL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(bll-tp6,f) -
RFQ
ECAD 7168 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(BLL-TP6F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP754(MBI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 (MBI,F) -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP754 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 8点 下载 264-TLP754(MBIF) Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(gr,f) -
RFQ
ECAD 2093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP631 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(YH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F YH-TP7,F) -
RFQ
ECAD 6978 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(YH-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP285(tp,f) -
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.173“,4.40mm宽度) TLP285 DC 1 晶体管 4 SOP 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2770(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(d4,e 2.2400
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2770 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP250H(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(lf5,f) -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP250H(LF5F) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(tp4,e -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2761 AC,DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2761(tp4e Ear99 8541.49.8000 1,000 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n,80n
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(gr,f) -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 2 晶体管 8点 下载 264-TLP620-2(GRF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2768(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768(f) -
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2768 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2768(f) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(tp,e 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2745 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 50 mA - 3NS,3NS 1.55V 15mA 5000vrm 1/0 30kV/µs 120NS,120NS
TLP385(D4GR-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4gr-tr,e 0.5600
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(sanyd,f) -
RFQ
ECAD 1971年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626(sanydf) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs,8µs 400mv
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(e 1.2600
RFQ
ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5701 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 600 MA - 50n,50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP2766F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F(f) -
RFQ
ECAD 5909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2766 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766F(f) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS,55NS
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4grt6-SD,f -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4grt6-sdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(d4-gr,f 0.6200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP785(d4-grf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP759(D4,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4,J,f) -
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 TLP759(D4JF) Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - 200NS,300NS -
TLP183(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(e 0.5100
RFQ
ECAD 103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2745(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(e -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2745 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜30V 6-so - (1 (无限) 264-TLP2745(e Ear99 8541.49.8000 125 50 mA - 3NS,3NS 1.55V 15mA 5000vrm 1/0 30kV/µs 120NS,120NS
TLP183(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(grl,e 0.5100
RFQ
ECAD 9052 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP183( Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 200 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662(tp1,f) 1.8800
RFQ
ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP2662 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 10MBD 12n,3ns 1.55V 20mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 75NS,75NS
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(d4-lf4,e 1.5500
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) 264-TLP5702(d4-lf4e Ear99 8541.49.8000 125 - 15ns,8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS,200NS
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(gr,e 0.5100
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP183( Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库