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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出高,低,低 电流 -输出 /通道 数据速率 电流 -峰值输出 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() 电压 -输出电源 ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4grt7fd,f -
RFQ
ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4grt7fdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(lf1,f) -
RFQ
ECAD 1402 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - (1 (无限) 264-TLP631(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP532(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(gr-lf2,f) -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - (1 (无限) 264-TLP532(GR-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 (M,F) -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - (1 (无限) 264-TLP734(MF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f(bll-t7,f -
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(bll-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(d4grh-lf2,f -
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(e 0.9000
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP627M(e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm - 1000% @ 1ma 110µs,30µs 1.2V
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp371(lf1,f) -
RFQ
ECAD 5901 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - (1 (无限) 264-tp371(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(d4-gr,M,f) -
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733(D4-GRMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(d4-C173,f) -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - (1 (无限) 264-TLP734F(D4-C173F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp358(d4-tp1,f) -
RFQ
ECAD 1860年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358(D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns,17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP785F(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4-bl,f -
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4-blf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP734F(D4GRLF4,MF Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(d4grlf4,MF -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - (1 (无限) 264-TLP734F(d4grlf4mf Ear99 8541.49.8000 50
TLP628M(GB-TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-TP1,E。 0.9100
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP550(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 Y-LF1,F) -
RFQ
ECAD 4671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550(Y-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP513(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513(lf1,f) -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP513 - (1 (无限) 264-TLP513(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP733F(GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F (GB,M,F) -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733F(GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP372(HO,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp372(ho,f) -
RFQ
ECAD 7776 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP372 - (1 (无限) 264-tp372(HOF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5774H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5774H(d4,e 2.5100
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5774 电容耦合 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 4a,4a 4a 56ns,25ns 1.65V 8 ma 5000vrm 35kV/µs 150NS,150NS 50ns 10v〜30v
TLP781F(Y-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F Y-TP7,F) -
RFQ
ECAD 1764年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(Y-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(d4-tp1,f) -
RFQ
ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 AC,DC 2 晶体管 8-SMD 下载 264-TLP620-2(D4-TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4blt7,f -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4blt7ftr Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP350(LF1,Z,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp350(lf1,z,f),f) -
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP350 - (1 (无限) 264-tp350(LF1ZF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(grh-tl,se 0.6000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP525G(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(lf1,f) -
RFQ
ECAD 3080 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP525 CSA,CUL,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 264-TLP525G(LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 200V/µs 10mA -
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GB,SE 0.5100
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 不适合新设计 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs,7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs,7µs 300mv
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(bv,f) -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP137(BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200% @ 1ma 1200 @ @ 1ma 10µs,8µs 400mv
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(E) -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP155 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 - 35ns,15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS,170NS
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(v4-tpl,e 0.8400
RFQ
ECAD 2042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP265 CQC,Cur,Ur,Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma (典型) 500V/µs (典型) 10mA 20µs
TLP182(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182(bl,e 0.5700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP182 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP182(ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库