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光溶剂（（15788）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
PS9817A-1-AX CEL PS9817A-1-AX -
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 cel NEPOC 大部分 在sic中停产 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 300 25 ma 10Mbps 20n，5ns 1.65V 20mA 2500vrms 1/0 15kV/µs 75NS，75NS
4N27300W onsemi 4N27300W -
RFQ
 ECAD 2010 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） 4N27 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N27300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 ma 5300vrms 10％ @ 10mA - 2µs，2µs 500mv
TLP550(HITNA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550（（HITNA），F） -
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550（HITNAF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4-gr-fd，f -
RFQ
 ECAD 6200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4-gr-fdf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
SFH608-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-2X006 0.4891
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 ECAD 8464 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） SFH608 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 5µs，7µs 55V 1.1V 50 mA 5300vrms 63％ @ 1ma 125 @ @ 1ma 8µs，7.5µs 400mv
VOT8024AB-V Vishay Semiconductor Opto Division vot8024ab-v 0.4370
RFQ
 ECAD 8692 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 vot8024 CQC，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 4-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 1.2V 50 mA 5300vrms 800 v 100 ma 400µA（） 是的 1kV/µs 5mA -
PC3H4J00000F SHARP/Socle Technology PC3H4J00000F -
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 ECAD 5659 0.00000000 敏锐的/socle技术 - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -30°C〜100°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） AC，DC 1 晶体管 4米尼 -弗拉特 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 2500vrms 20％ @ 1ma 400 @ @ 1ma - 200mv
PS2913-1-F3-K-A CEL PS2913-1-F3-KA -
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 ECAD 9931 0.00000000 cel - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD，平坦的铅 DC 1 晶体管 4米尼 -弗拉特 下载 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.49.8000 3,500 30mA 10µs，10µs 120V 1.1V 50 mA 2500vrms 100％ @ 1ma 200％ @ 1ma 80µs，50µs 300mv
HCNW135-500E Broadcom Limited HCNW135-500E 1.0127
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 ECAD 5537 0.00000000 Broadcom Limited - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜85°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 HCNW135 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 750 8mA - 20V 1.68V 25 ma 5000vrm 5 @ @ 16mA - 2µs，2µs （最大） -
PC847X7 Sharp Microelectronics PC847x7 -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） DC 4 晶体管 16二滴 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 425-1500-5 Ear99 8541.49.8000 25 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA - 200mv
MOC3023TVM onsemi MOC3023TVM 1.1200
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 ECAD 6 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） MOC302 IEC/EN/DIN，UL 1 TRIAC 6浸 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.15V 60 ma 4170VRM 400 v 100µA（（100µA） 不 - 5mA -
LH1262CACTR Vishay Semiconductor Opto Division LH1262CACTR 4.0600
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 ECAD 5 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 LH1262 DC 2 光伏 8-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 1µA - 15V 1.26V 50 mA 5300vrms - - 35µs，90µs -
TIL1113S onsemi TIL1113S -
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 ECAD 9205 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 TIL111 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 TIL1113S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 2mA 10µs，10µs （最大） 30V 1.2V 100 ma 5300vrms - - - 400mv
H11AG3 onsemi H11AG3 -
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 ECAD 1297 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） H11a DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11AG3-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA - 30V 1.5v （最大） 50 mA 5300vrms 20％ @ 1ma - 5µs，5µs 400mv
CNY171SR2VM onsemi CNY171SR2VM 0.7800
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 ECAD 990 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 CNY171 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 4µs，3.5µs（（3.5µs）） 70V 1.35V 60 ma 4170VRM 40％ @ 10mA 80％ @ 10mA 2µs，3µs 400mv
MCT9001 onsemi MCT9001 1.0800
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） MCT9 DC 2 晶体管 8点 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 30mA 2.4µs，2.4µs 55V 1V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
PC123YSJ000F Sharp Microelectronics PC123YSJ000F -
RFQ
 ECAD 2534 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 425-2083-5 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4µs，3µs 70V 1.2V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA - 200mv
FOD2200T onsemi FOD2200T -
RFQ
 ECAD 8655 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（ 0.400英寸，10.16毫米） FOD220 DC 1 三州 4.5V〜20V 8-mdip 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 25 ma 2.5MBD 80n，25ns 1.4V 10mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 300NS，300NS
MOC211R2VM Fairchild Semiconductor MOC211R2VM 0.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DC 1 晶体管带有基部 8-SOIC 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,305 150mA 3.2µs，4.7µs 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 20％ @ 10mA - 7.5µs，5.7µs 400mv
PC355N Sharp Microelectronics PC355N -
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 尖锐的微电子 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 DC 1 达灵顿 4米尼 -弗拉特 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 80mA 60µs，53µs 35V 1.2V 50 mA 3750vrms 600 @ @ 1ma - - 1V
PC81410NSZ Sharp Microelectronics PC81410NSZ -
RFQ
 ECAD 1106 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 425-1444-5 Ear99 8541.49.8000 50 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 10 MA 5000vrm 50％ @ 500µA 400 @ @ 500µA - 200mv
SL5583W onsemi SL5583W -
RFQ
 ECAD 8628 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） SL5583 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 SL5583W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 50V 1.2V 100 ma 5300vrms 40％ @ 10mA 320％ @ 10mA 20µs，50µs （最大） 400mv
CNY17-4X017T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X017T 0.2997
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 CNY17 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 2µs，2µs 70V 1.39V 60 ma 5000vrm 160 @ @ 10mA 320％ @ 10mA 3µs，2.3µs 400mv
TLP781(BL-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（bl-tp6，f） -
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（BL-TP6F）TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
PC451J00000F SHARP/Socle Technology PC451J00000F 0.6712
RFQ
 ECAD 8958 0.00000000 敏锐的/socle技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -25°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 PC451 DC 1 晶体管 4米尼 -弗拉特 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 4µs，5µs 350V 1.2V 50 mA 3750vrms 40％ @ 5mA - - 300mv
FOD2741BV onsemi FOD2741BV 1.9000
RFQ
 ECAD 993 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） FOD2741 DC 1 晶体管 8点 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 50mA - 30V 1.5v （最大） 5000vrm 100 @ @ 10mA 200 @ @ 10mA - 400mv
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531（bl，f） -
RFQ
 ECAD 1240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - （1 （无限） 264-TLP531（BLF） Ear99 8541.49.8000 50
PC81713NSZ0F Sharp Microelectronics PC81713NSZ0F -
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 425-2183-5 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 10 MA 5000vrm 200 @ @ 500µA 500 @ @ 500µA - 200mv
CNX39U onsemi CNX39U -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） CNX39 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 CNX39U-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 60％ @ 10mA 100 @ @ 10mA 20µs，20µs 400mv
EL816(S1)(B)(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL816（S1）（b）B） -
RFQ
 ECAD 3751 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 胶带和卷轴（（tr） 在sic中停产 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 60 ma 5000vrm 130 @ @ 5mA 260 @ @ 5mA - 200mv
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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