SIC
close

光溶剂（（15788）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（d4，f） -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（D4F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP731(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731（f） -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - （1 （无限） 264-TLP731（f） Ear99 8541.49.8000 50
PS9822-2-N-AX CEL PS9822-2-N-AX -
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 cel NEPOC 大部分 在sic中停产 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） DC 2 打开收藏首页 2.7V〜3.6V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 PS98222NAX Ear99 8541.49.8000 20 25 ma 1Mbps - 1.6V 15mA 2500vrms 2/0 - 700NS，500NS
PC912L0NSZ0F Sharp Microelectronics PC912L0NSZ0F -
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 尖锐的微电子 OPIC™ 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 逻辑 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 10 MA 25Mbps 4n，3ns - - 5000vrm 1/0 20kV/µs 40n，40n
EL3H7(H)(TB)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7（H）（TB）-VG -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） El3H7 DC 1 晶体管 4ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 5,000 50mA 5µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 3750vrms 40％ @ 10mA 80％ @ 10mA - 200mv
FODM3012R4V onsemi FODM3012R4V -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 FODM30 BSI，CSA，UL，VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,500 1.2V 60 ma 3750vrms 250 v 70 MA 300µA（） 不 10V/µs ty（typ） 5mA -
PC123X8YFZ0F SHARP/Socle Technology PC123X8YFZ0F -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 敏锐的/socle技术 - 管子 在sic中停产 -30°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 4点 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 4µs，3µs 70V 1.2V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA - 200mv
FODM121CR1 onsemi FODM121CR1 -
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 FODM12 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 80mA 3µs，3µs 80V 1.3v （最大） 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA - 400mv
MOC8104S onsemi MOC8104S -
RFQ
 ECAD 8681 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 MOC810 DC 1 晶体管 6-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 MOC8104S-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 50mA 1µs，2µs 30V 1.15V 100 ma 5300vrms 160 @ @ 10mA 256 @ @ 10mA 2µs，3µs 400mv
H11A5TM onsemi H11A5TM -
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） H11a DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 ma 7500VPK 30％ @ 10mA - 2µs，2µs 400mv
VO221AT Vishay Semiconductor Opto Division VO221AT 0.3493
RFQ
 ECAD 1771年 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） VO221 DC 1 达灵顿与基地 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA - 30V 1V 60 ma 4000vrm 100％ @ 1ma - 3µs，3µs 1V
PS2915-1-F3 CEL PS2915-1-F3 -
RFQ
 ECAD 1702 0.00000000 cel - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD，平坦的铅 AC，DC 1 晶体管 4米尼 -弗拉特 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.49.8000 3,500 40mA 5µs，10µs 40V 1.1V 50 mA 2500vrms 100％ @ 1ma 400 @ @ 1ma 40µs，120µs 300mv
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp626 fuji，f） -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 （富士） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
MOC5008SR2M onsemi MOC5008SR2M -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 Onmi GlobalOptoisolator™ 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 表面安装 6-SMD，鸥翼 MOC500 DC 1 打开收藏首页 - 6-SMD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 50 mA 1MHz - - 4ma 7500VPK 1/0 - -
MOC217R2M onsemi MOC217R2M 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOC217 DC 1 晶体管带有基部 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 2,500 150mA 3.2µs，4.7µs 30V 1.07V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA - 7.5µs，5.7µs 400mv
HCPL-7720 Broadcom Limited HCPL-7720 4.6282
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Broadcom Limited - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） HCPL-7720 逻辑 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 516-1112-5 Ear99 8541.49.8000 50 10 MA 25MBD 9NS，8NS - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40n，40n
H11B255W onsemi H11B255W -
RFQ
 ECAD 1721年 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） H11b DC 1 达灵顿与基地 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 H11B255W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA - 25µs，18µs 1V
FODM3021V onsemi FODM3021V -
RFQ
 ECAD 7506 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 FODM30 BSI，CSA，UL，VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 3,000 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA（） 不 10V/µs ty（typ） 15mA -
TLP160G(TEE-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G te Tee-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160 - （1 （无限） 264-TLP160G（TEE-TPLF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
S11MD5P Sharp Microelectronics S11MD5P 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 尖锐的微电子 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 S11M - Rohs符合条件 2（1年） Ear99 8541.49.8000 1,000
4N39300 onsemi 4N39300 -
RFQ
 ECAD 3741 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N39 Ur，Vde 1 scr 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N39300-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 1.1V 60 ma 5300vrms 200 v 300 MA 1ma 不 500V/µs 30mA （50µs）
PC3SG11YIZ Sharp Microelectronics PC3SG11YIZ -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） PC3SG11 Ur，Vde 1 TRIAC 4-SMD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 425-1376-5 Ear99 8541.49.8000 50 1.2V 50 mA 3750vrms 600 v 50 mA 3.5mA 不 100V/µs 10mA 100µs（100µs）
HCPL-0721 Broadcom Limited HCPL-0721 10.4900
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Broadcom Limited - 管子 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HCPL-0721 逻辑 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-太高 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 100 10 MA 25MBD 9NS，8NS - - 3750vrms 1/0 10kV/µs 40n，40n
H11N2300 onsemi H11N2300 -
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） H11N DC 1 打开收藏首页 - 6浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 5MHz - 1.4V 5mA 7500vrms 1/0 - 330n，330n
VOT8125AB-T Vishay Semiconductor Opto Division vot8125ab-t 1.1800
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 Vishay半导体光电部 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-SMD（5条线），鸥翼 vot8125 CQC，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 6-SMD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 400µA（） 不 1kV/µs 5mA -
PC817X2J000F Sharp Microelectronics PC817X2J000F -
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -30°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 到达不受影响 425-2186-5 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 4µs，3µs 80V 1.2V 50 mA 5000vrm 130 @ @ 5mA 230％ @ 5mA - 200mv
FODM3023R3V onsemi FODM3023R3V -
RFQ
 ECAD 5402 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 FODM30 BSI，CSA，UL，VDE 1 TRIAC 4-SMD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 ma 3750vrms 400 v 70 MA 300µA（） 不 10V/µs ty（typ） 5mA -
TLP532(GRL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532（grl，f） -
RFQ
 ECAD 2775 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - （1 （无限） 264-TLP532（GRLF） Ear99 8541.49.8000 50
PC715V0YSZX Sharp Microelectronics PC715V0YSZX -
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 尖锐的微电子 - 管子 过时的 -25°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 DC 1 达灵顿 6浸 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 425-1421-5 Ear99 8541.49.8000 50 80mA 60µs，53µs 35V 1.2V 50 mA 5000vrm 600 @ @ 1ma 7500 @ @ 1mA - 1V
4N35300W onsemi 4N35300W -
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP（0.400英寸，10.16毫米） 4N35 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 （1 （无限） 到达不受影响 4N35300W-NDR Ear99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 100 ma 5300vrms 100 @ @ 10mA - 2µs，2µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭