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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP360JF(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360JF（d4-cano） -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 4点 下载 264-tp360Jf（d4-cano） Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma 不 500V/µs （典型） 10mA 30µs
TLP781F(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（grh，f） -
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（GRHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4b-f7，f -
RFQ
 ECAD 8709 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4b-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955（f） 1.8500
RFQ
 ECAD 579 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2955 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 25 ma - 16ns，14ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 YH-LF6，F） -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（YH-LF6F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP9118(ND2-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118（nd2-tl，f） -
RFQ
 ECAD 9132 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9118（ND2-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 YH，f -
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 ECAD 8103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（YHF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（lgbtr，e 1.6300
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 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293（tpl，e 0.5100
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 ECAD 9277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2（F） -
RFQ
 ECAD 5043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP626 AC，DC 2 晶体管 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G（tpl，U，f） -
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 ECAD 5638 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP160G - （1 （无限） 264-TLP160G（TPLUF）TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（Y，F） -
RFQ
 ECAD 2849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（YF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP669LF(D4,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF（d4，S，c，f） -
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 ECAD 8098 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通过洞 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 TLP669 CSA，CUL，UL，VDE 1 TRIAC 6浸 下载 264-TLP669LF（D4SCF） Ear99 8541.49.8000 1 - 5000vrm 800 v 100 ma - 是的 - 10mA -
TLP121(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121（TPR，F） -
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 ECAD 7190 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP285（tp，f） -
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 ECAD 8700 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.173“，4.40mm宽度） TLP285 DC 1 晶体管 4 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2662(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2662（tp1，f） 1.8800
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 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP2662 DC 2 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 10MBD 12n，3ns 1.55V 20mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 75NS，75NS
TLP5702H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（lf4，e 1.8500
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 ECAD 6302 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns，50ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB，E） -
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 ECAD 3061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP191B(MBSTPL,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B （MBSTPL，C，f -
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 ECAD 3298 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 DC 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP191B （MBSTPLCF Ear99 8541.49.8000 1 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 （GB-TPL，E。 0.8300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（v4grtr，se 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP9148J(ND-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J nd-tl，f） -
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 ECAD 2452 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J（ND-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP388(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4gb-tl，e 0.7900
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832（tp，e 2.8100
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.4V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2735（d4，e 1.8300
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2735 DC 1 推扣，图腾柱 9V〜15V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 20 ma 10Mbps - ，4ns 1.61V 15mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 100NS，100NS
TLP2958F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F（f） -
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2958 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2958F（f） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 15ns，10ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（gr-tp6，f 0.1515
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 ECAD 7283 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C TLP785 DC 1 晶体管 下载 （1 （无限） 264-TLP785（gr-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4grh-lf2，f -
RFQ
 ECAD 1476 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（grl-t7，f -
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 ECAD 8075 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（grl-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(BLL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（bll-tr，se 0.6000
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 ECAD 7102 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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