SIC
close

光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4-y-lf7，f -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F d4-Y-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP525 ur 1 TRIAC 4点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP525G（f） Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 200µA（200µa） 不 200V/µs 10mA -
TLP512(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512（tojs，f） -
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - （1 （无限） 264-TLP512（TOJSF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp371（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - （1 （无限） 264-tp371（LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp190b（tpl，u，c，f） -
RFQ
 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP190B（TPLUCF） Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（dlt-hr，f） -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（DLT-HRF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（bl-tp，se 0.6100
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631（gr，f） -
RFQ
 ECAD 2093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP631 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531（tosyk，f） -
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 2 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP2531（TOSYKF） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19％ @ 16mA - - -
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734 （M，F） -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734（MF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187（tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP512(HITACHI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 （日立，f） -
RFQ
 ECAD 4572 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - （1 （无限） 264-TLP512（Hitachif） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4bl-tp7，f -
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4bl-tp7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP626(SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626（sanyd，f） -
RFQ
 ECAD 1971年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626（sanydf） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（bv-lf1，f） -
RFQ
 ECAD 6076 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - （1 （无限） 264-tp331（BV-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 9923 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP627M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M（e 0.9000
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP627M（e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm - 1000％ @ 1ma 110µs，30µs 1.2V
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-yh，f） -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-YHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n35 （短 tp1，f） -
RFQ
 ECAD 9664 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 4N35 - （1 （无限） 264-4N35（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F Y Y-TP7，f -
RFQ
 ECAD 6359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP785F Y-TP7FTR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 （GB-LF1，F） -
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（GB-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4hitim，J，f -
RFQ
 ECAD 2380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4hitimjf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20％ @ 16mA - - -
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M（lf1，e 0.9100
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD （0.300英寸，7.62mm） TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs，10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs，10µs 400mv
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（d4-gb，e -
RFQ
 ECAD 3269 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 （1 （无限） 264-tp383（d4-gbetr Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP785F(BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（bl-lf7，f -
RFQ
 ECAD 7849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（bl-lf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731（d4-bl-tp1，f -
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - （1 （无限） 264-TLP731（d4-bl-tp1f Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP571(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP571（tp1，f） -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP571 - （1 （无限） 264-TLP571（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（d4Gb-f6，f -
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（D4GB-F6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（lf6，f -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP781F(D4FUNBLL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4funbll，f -
RFQ
 ECAD 3703 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4funbllf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭