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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大)
TLP2348(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(E 1.1200
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ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP2348 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~30V 6-SO,5铅 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 264-TLP2348(E) EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 10Mbps 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 3750Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP620-4(D4GB-F1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4GB-F1,F -
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ECAD 4840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP620-4(D4GB-F1F EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP5705H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(E 1.9300
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ECAD 2268 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 1(无限制) 264-TLP5705H(E EAR99 8541.49.8000 125 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F(ABB-TP,F) -
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ECAD 6660 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP716 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP 下载 264-TLP716F(ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒,15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP750(NEMIC-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(NEMIC-LF2,F -
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ECAD 4421 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1(无限制) 264-TLP750(NEMIC-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP9114B(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(HNE-TL,F) -
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ECAD 9858 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - EAR99 8541.49.8000 1
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(女) -
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ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP719 直流 1 带基极晶体管 6-SDIP - 264-TLP719F(女) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BLL-F7,F -
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ECAD 3316 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP719(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(D4-TP,F) -
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ECAD 7485 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) 直流 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns(顶部) -
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(D4C20TPE 3.3300
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP3910 直流 2 光伏 6-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - - 24V 3.3V 30毫安 5000Vrms - - 300μs、100μs -
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(MBHAGBTLF) -
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ECAD 1213 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A(MBHAGBTLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF2,F -
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ECAD 第1476章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1(无限制) 264-TLP732(D4GRH-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(国标、英 0.5600
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ECAD 第2272章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP182(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP631(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(TP1,F) -
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ECAD 9923 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP631 - 1(无限制) 264-TLP631(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP781F(GRL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRL-TP7,F) -
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ECAD 2158 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(GRL-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2468(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468(女) -
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ECAD 5641 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TLP2468 直流 1 集电极开路 2.7V~5.5V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP2468F EAR99 8541.49.8000 100 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.57V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/微秒 60纳秒, 60纳秒
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(国标、英 0.8300
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ECAD 4747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP188 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(Y-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(Y-LF6,F -
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ECAD 6945 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785(Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP731(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GB-LF1,F) -
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ECAD 7795 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1(无限制) 264-TLP731(GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPL,E 1.4000
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ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP2366 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO,5铅 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20MBd 15纳秒,15纳秒 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40纳秒, 40纳秒
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(国标、SE 0.5100
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ECAD 2539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 不适合新设计 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 175 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP285(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP285(TP,F) -
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ECAD 8700 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) TLP285 直流 1 晶体管 4-SOP 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(YH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(YH-TP7,F) -
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ECAD 6978 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(YH-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP108(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(TPL,F) -
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ECAD 7832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 TLP108 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~20V 6-MFSOP,5引脚 下载 264-TLP108(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP785(BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BLL-TP6,F -
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ECAD 3089 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP785(BLL-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785F(D4Y-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-T7,F -
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ECAD 5839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785F(D4Y-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP5705H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(D4LF4,E 2.0100
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ECAD 3764 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
4N35(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(短-TP1,F) -
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ECAD 9664 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 4N35 - 1(无限制) 264-4N35(短-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP734F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GRL,M,F -
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ECAD 4173 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - 1(无限制) 264-TLP734F(D4-GRLMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRH,F) -
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ECAD 8682 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库