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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大）
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-TP,F) -
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 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP715 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(GR,F) -
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 ECAD 6523 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 264-TLP620-2(GRF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2361(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(E 1.1200
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2361 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(垫,F) -
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 ECAD 8093 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2630 - 1（无限制） 264-TLP2630（MATF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GB-TR,E 0.5600
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 ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRT7FD,F -
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 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GRT7FDFTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR,SE 0.5900
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 ECAD 3461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP137(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPL,F) -
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 ECAD 1862年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP137 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP137(BV-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 200%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(V4-TPL,E 1.5200
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP104 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 1Mbps - 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/微秒 550纳秒、400纳秒
TLP785F(D4BLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4BLT7,F -
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 ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4BLT7FTR) EAR99 8541.49.8000 4,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C174,F) -
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 ECAD 4345 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1（无限制） 264-TLP733F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ITO-TPR,U,F -
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 ECAD 3744 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(ITO-TPRUFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP371(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP371(LF1,F) -
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 ECAD 5901 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP371 - 1（无限制） 264-TLP371(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(OGI-TL,F(O -
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 ECAD 2489 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLX9291(OGI-TLF(O EAR99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4GRL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-T7,F -
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 ECAD 2410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GRL-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP385(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4-TPL,E 0.5400
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(T7TR,U,C,F -
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 ECAD 7059 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161G(T7TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP781F(D4GR-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GR-TP7,F -
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 ECAD 9870 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GR-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPR,F) -
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 ECAD 5868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP137 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP137(BV-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 200%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP632(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(Y,F) -
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 ECAD 2810 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1（无限制） 264-TLP632(YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(COSTPLUC,F -
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 ECAD 3149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP190 直流 1 光伏 6-MFSOP，4引脚 下载 264-TLP190B（科斯特普卢CF） EAR99 8541.49.8000 1 12微安 - 8V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，1毫秒 -
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ISH-TPL,F) -
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 ECAD 5001 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(ISH-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GB-TPL,F) -
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 ECAD 8605 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP131 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP131(GB-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759(MBS-IT,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBS-IT,J,F) -
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 ECAD 1082 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(MBS-ITJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP781(D4BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4BLL-LF6,F -
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 ECAD 7971 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4BLL-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(国标、法文) -
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 ECAD 3007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP190B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(TPL、U、C、F) -
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 ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP190 直流 1 光伏 6-MFSOP，4引脚 下载 264-TLP190B(TPLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 12微安 - 8V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，1毫秒 -
TLP191B(TPL,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(TPL、U、C、F) -
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 ECAD 9293 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP191 直流 1 光伏 6-MFSOP，4引脚 下载 264-TLP191B（TPLUCF） EAR99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，3毫秒 -
TLP185(BLL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BLL-TR,SE 0.6000
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 ECAD 7102 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
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 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
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