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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grl-lf7,f) -
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRL-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP525G(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(tp1,f) -
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) CSA,CUL,UL 1 TRIAC 4-SMD 下载 264-TLP525G(TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 200V/µs 10mA -
TLP9121A(YSKGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a(yskgbtl,f -
RFQ
ECAD 5286 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A YSKGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(Y,F) -
RFQ
ECAD 5341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(YF) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F(tp4,f) -
RFQ
ECAD 6352 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358f(TP4F) Ear99 8541.49.8000 1 6 a - 17ns,17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grh-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 8469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 (GB,E 0.8300
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J tpl,e 0.9900
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP267 CQC,Cur,Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA(200µa) 500V/µs (典型) 3MA 100µs
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(tp,f) -
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2166 DC 2 推扣,图腾柱 3v〜3.63V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 15MBD 5n,5ns 1.65V 15mA 2500vrms 2/0 15kV/µs 75NS,75NS
TLP385(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(gr-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 1320 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172,F) -
RFQ
ECAD 3338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP733 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 不适用 TLP733(D4-C172F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(psd-tl,f) -
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP781F(D4-Y-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-y-fd,f) -
RFQ
ECAD 5912 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-Y-FDF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2761(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(tp4,e -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2761 AC,DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2761(tp4e Ear99 8541.49.8000 1,000 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n,80n
TLP127(ISH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ish-tpl,f) -
RFQ
ECAD 5001 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(iSH-TPLF)tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4bll-f7,f -
RFQ
ECAD 3316 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4bll-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403(f) -
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2403 DC 1 达灵顿与基地 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2403F Ear99 8541.49.8000 100 60mA - 18V 1.45V 20 ma 3750vrms 500 @ @ 1.6mA - 300ns,1µs -
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(d4-lf4,e 3.0900
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP2270 AC,DC 2 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 60n,60n
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f(bll-t7,f -
RFQ
ECAD 7721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(bll-t7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP733(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-GB,M,F) -
RFQ
ECAD 2075 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733(D4-GBMF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB,F) -
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP504 DC 4 晶体管 16二滴 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 25 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP785(D4GB-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(d4GB-T6,f -
RFQ
ECAD 8586 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785 (D4GB-T6FTR Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M (GB-LF1,E。 0.9200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(v4gbtre 1.6300
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781(d4grl-lf6,f -
RFQ
ECAD 8041 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4grl-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(lf5,f) -
RFQ
ECAD 2022 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - (1 (无限) 264-TLP631(LF5F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719(D4FA-TPS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(d4fa-tps,f) -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 264-TLP719(D4FA-TPSF) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(v4,e 1.6000
RFQ
ECAD 5859 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP291(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 Y-TP,SE 0.6000
RFQ
ECAD 1551年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(d4-C174,f) -
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - (1 (无限) 264-TLP733F(D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库