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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4(国标、E) 1.6300
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 ECAD 280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.2V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4-TPL,E 0.7900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2310(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2310(TPL,E 1.5500
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 ECAD 8032 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2310 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 5Mbps 11纳秒、13纳秒 1.53V 8毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(MAT-LF2,F) -
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 ECAD 9349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(MAT-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
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 ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP734 直流 1 晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP734(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4B-F7,F -
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 ECAD 8709 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4B-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(E 1.7100
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 ECAD 9055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP5702H(E EAR99 8541.49.8000 125 - 37纳秒、50纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP626-4(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(HITOMK,F) -
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 ECAD 8644 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP626 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP626-4(HITOMKF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP785(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(国标、法 0.2214
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 ECAD 1711 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ TLP785 直流 1 晶体管 下载 1（无限制） 264-TLP785(GBF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2958F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958F(TP4,F) -
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 ECAD 9421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8贴片 下载 264-TLP2958F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 15纳秒、10纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP3083F(D4,TP4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,TP4F 1.7800
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 ECAD 8946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SMD，鸥翼式，5插座 TLP3083 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,000 1.15V 50毫安 5000Vrms 800V 100毫安 600微安 是的 2kV/μs（典型值） 5毫安 -
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GB-TP,E) -
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 ECAD 5477 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP160J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(T7TL,U,C,F -
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 ECAD 4923 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160J - 1（无限制） 264-TLP160J(T7TLUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP768J(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP768J(S,C,F) -
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 ECAD 7613 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP768 - - - - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP768J(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - -
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(D4-LF4,E 3.0900
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 ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2270 交流、 直流 2 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 8-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 75 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 2/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TPL,F) -
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 ECAD 第1372章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP120(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2368(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2368(中) 1.7500
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 ECAD 第322章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2368 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(LF1,F) -
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 ECAD 7502 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - 1（无限制） 264-TLP512(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(E 0.8200
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 ECAD 5081 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 10毫安 20微秒
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(TP,E 1.1100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2745 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 - 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 5000Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP2768F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768F(D4-TP,F) -
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 ECAD 4795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP2768 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2768F(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372(V4-TPR,E 1.9100
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 ECAD 4072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2372 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.2V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 20Mbps 2.2纳秒、1.6纳秒 1.53V 8毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP785(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GB,F -
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 ECAD 第1379章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(SND-TPL,F) -
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 ECAD 5940 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104(SND-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP748J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J(女) 1.8600
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 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP748 BSI、SEMKO、UR 1 可控硅 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 4000Vrms 600伏 150毫安 1毫安 不 5V/微秒 10毫安 15微秒
TLP731(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(国标、F) -
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 ECAD 2664 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF5,F) -
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 ECAD 2022年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(TP7,F) -
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 ECAD 4254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP293-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(TP,E 1.6000
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 ECAD 4090 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR,E 0.5700
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP182(GRE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
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    日平均询价量

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    标准产品单位

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