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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A(女) -
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 ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP504 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 1（无限制） TLP504AF EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 2500Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP160J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(TPR、U、C、F) -
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 ECAD 3973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP160J 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/微秒 10毫安 30微秒
TLP188(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(TPL,E 0.8300
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP188 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2200(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(TP1,F) -
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 ECAD 5811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2200 直流 1 三态 4.5V～20V 8贴片 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 25毫安 2.5MBd 35纳秒、20纳秒 1.55V 10毫安 2500Vrms 1/0 1kV/微秒 400纳秒, 400纳秒
TLP597J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP597J(女) -
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 ECAD 7997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP597 - - - - 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - - - - -
TLP184(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(TPR,E) -
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 ECAD 2556 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(TP1,F) -
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 ECAD 9827 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP570 - 1（无限制） 264-TLP570(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(D4,F) -
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 ECAD 9878 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2761 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2761F(D4F) EAR99 8541.49.8000 50 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBJ-IGM,J,F -
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 ECAD 5035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(MBJ-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(Y,E 0.5500
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 ECAD 2132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(叶 EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(V4-TPL,E 1.8900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP109 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 - 20V 1.64V 20毫安 3750Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TL,E 0.9200
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 ECAD 2489 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(TP1,F) -
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 ECAD 1950年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP2116(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116(TP,F) -
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 ECAD 5260 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TLP2116 直流 2 推拉式、图腾柱式 4.5V～5.5V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 2/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(女) -
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 ECAD 8284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP361 尿道 1 所在晶闸管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP385(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GB-TPR,E 0.5500
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 ECAD 第1431章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BL-TPL,SE 0.6000
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 ECAD 5987 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(TPL,E 0.5500
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 ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP731(D4-BL-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-BL-LF2,F -
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 ECAD 4488 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-BL-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-FUN,F) -
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 ECAD 1717 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-FUNF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP292-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(TPR,E 1.7900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-TP,E 1.6300
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 ECAD 9034 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP291-4(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4(GB-TP,E) 1.4600
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 ECAD 4285 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.2V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G(FUJT,F) -
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 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP525 CSA、cUL、UL 1 所在晶闸管 4-DIP 下载 264-TLP525G(FUJTF) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50毫安 2500Vrms 400V 100毫安 600微安 不 200V/微秒 10毫安 -
TLP620-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(F) -
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 ECAD 1216 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP9114B(NIEC-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(NIEC-TL,F -
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 ECAD 6623 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9114B(NIEC-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP785F(D4-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-LF7,F -
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 ECAD 1092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(短,F) -
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 ECAD 2000年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 4N35 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 30V 1.15V 60毫安 2500Vrms 40%@10mA - 3微秒、3微秒 300毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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