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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP781F(D4GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4GB-LF7,f -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F d4GB-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(GRH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(grh-lf6,f) -
RFQ
ECAD 8837 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(GRH-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP550(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550((Necic),f) -
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550(NemicF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2404(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2404(f) -
RFQ
ECAD 4058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2404 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2404F Ear99 8541.49.8000 100 15 ma 1Mbps - 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS,400NS
6N138(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 6n138(tp1,f) -
RFQ
ECAD 1363 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 6n138 DC 1 达灵顿与基地 8-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 60mA - 18V 1.65V 20 ma 2500vrms 300 @ @ 1.6mA - 1µs,4µs -
TLP626(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(bv,f) -
RFQ
ECAD 2360 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP626 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LGB,E 1.6400
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP525G(FUJT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G fujt,f) -
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP525 CSA,CUL,UL 1 TRIAC 4点 下载 264-TLP525G(fujtf) Ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 100 ma 600µA 200V/µs 10mA -
TLP127(V4-TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(v4-tpr,u,f) -
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(V4-TPRUF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP385(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(grl-tpl,e 0.5400
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP265J(T7-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(t7-tpl,e 0.8200
RFQ
ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP265 CQC,Cur,Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma (典型) 500V/µs (典型) 7ma 100µs(100µs)
TLP750(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(d4-lf2,f) -
RFQ
ECAD 2573 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP3083F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(d4,f 1.7400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6浸入0.400英寸,10.16毫米),5个铅 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 TRIAC 6浸 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型(典型) 5mA -
TLP385(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(e 0.5500
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP293-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(lgbtp,e 1.6400
RFQ
ECAD 8910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB,E) -
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(d4-o-lf2,f) -
RFQ
ECAD 7625 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - (1 (无限) 264-TLP750(D4-O-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 Y-LF2,F) -
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(Y-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp127(fjdk-tl,u,f -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(fjdk-tluf Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP572(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP572(f) -
RFQ
ECAD 5833 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP572 - (1 (无限) 264-TLP572(f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5702(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(e 1.4000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 1 a - 15ns,8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS,200NS
TLP2409(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2409(f) -
RFQ
ECAD 1952年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2409 DC 1 晶体管 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2409F Ear99 8541.49.8000 100 16MA - 20V 1.57V 25 ma 3750vrms 20% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
TLP121(Y-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 Y Y-TPR,F) -
RFQ
ECAD 1498年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(Y-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(D4-GR,F,W) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-gr,f,w) -
RFQ
ECAD 8748 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-GRFW) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP718(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718(f) -
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP718 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP620(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620(f) -
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(f) -
RFQ
ECAD 5111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10% @ 16mA - 300ns,1µs -
TLP127(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(u,f) -
RFQ
ECAD 7414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(UF) Ear99 8541.49.8000 150 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库