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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP185(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (SE 0.6100
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP185(V4GBTL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GBTL,SE -
RFQ
ECAD 3535 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP185(V4GBTLSE Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (MBSIN-TP5,f -
RFQ
ECAD 5651 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531 (MBSIN-TP5FTR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(D4-TP,F) -
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP716 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns,15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP127(TOJS-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(tojs-tpr,f) -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127((TOJS-TPRF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(bll-f7,f -
RFQ
ECAD 2014 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(bll-f7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2355(tpr,e 1.0200
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2355 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 15ns,12ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 25kV/µs 250NS,250NS
TLP759(D4MBS-IGM,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4MBS-IGM,f -
RFQ
ECAD 9951 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(D4MBS-IGMF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(tpr,f) -
RFQ
ECAD 6602 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP131(TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPR,E) 0.6165
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP118 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP118(TPRE) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 30ns,30ns - 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n,60n
TLP2363(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(tpl,e 1.0200
RFQ
ECAD 6657 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns,7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 80n,80n
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(gr-tpr,f) -
RFQ
ECAD 6997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(GR-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2631TP1F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631TP1F -
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP2631 DC 2 开放的收藏首页,肖特基夹 4.5V〜5.5V 8-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 16 ma 10MBD 30ns,30ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 1kV/µs 75NS,75NS
TLP716(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(f) -
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP716 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 - Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991G 8541.49.8000 100 10 MA 15MBD 15ns,15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP785(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785(bll,f -
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(bllf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388(d4gb-tr,e 0.7800
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(tpr,f) -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP137(TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP631(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(bl,f) -
RFQ
ECAD 9685 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP631 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(IgM-LF5,J,f -
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP759(IgM-LF5JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLP2531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(lf1,f) -
RFQ
ECAD 2555 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 2 晶体管带有基部 8-SMD 下载 264-TLP2531(LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA - - -
TLP388(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388(gb-tpr,e 0.8000
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A(f) -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP504 DC 2 晶体管 8点 下载 (1 (无限) TLP504AF Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 2500vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2761(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(d4-lf4,e -
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2761 AC,DC 1 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2761 (D4-LF4E Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n,80n
TLP628M(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(e 0.9200
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP628 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP628M(e Ear99 8541.49.8000 100 50mA 5.5µs,10µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 10µs,10µs 400mv
TLP2761F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(d4,f) -
RFQ
ECAD 9878 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2761 AC,DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2761F(D4F) Ear99 8541.49.8000 50 10 MA 15MBD 3NS,3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n,80n
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(bl,e 0.5100
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP183(ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
RFQ
ECAD 9727 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP624 DC 1 晶体管 4点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB,SE 0.5100
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP731(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(f) -
RFQ
ECAD 3594 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - (1 (无限) 264-TLP731(f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP552(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(tp1,f) -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP552 - (1 (无限) 264-TLP552(TP1F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库