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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(TPR,F) -
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 ECAD 6602 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP131 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP131(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP3914(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3914(TP15,F) 3.9600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 4-SMD，写入 TLP3914 直流 1 光伏 4-SSOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 20微安 - 7V 1.3V 30毫安 1500Vrms - - 300μs、600μs -
TLPN137(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(D4,S) -
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 ECAD 7613 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLPN137 - 1（无限制） 264-TLPN137(D4S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP559(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559(女) -
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 ECAD 8414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP559 直流 1 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 20%@16mA - 200纳秒、300纳秒 -
TLP185(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(SE 0.6100
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 ECAD 6126 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP669L(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669L(S、C、F) -
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 ECAD 4419 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 CSA、cUL、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 264-TLP669L(SCF) EAR99 8541.49.8000 1 1.2V 30毫安 5000Vrms 800V 100毫安 600微安 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP2631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(LF5,F) -
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 ECAD 2200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2631 直流 2 集电极开路，肖特基钳位 4.5V～5.5V 8贴片 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP2631(LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 16毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 2/0 1kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4,F) -
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 ECAD 6927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP716(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(TP,F) -
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 ECAD 5496 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP716 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～5.5V 6-SDIP鸥翼 - 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991G 8541.49.8000 1,500人 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP2348(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(V4-TPR,E 1.1200
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 ECAD 7824 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2348 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 10Mbps 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 3750Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP293-4(V4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-GB,E 1.6300
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 ECAD 4183 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5702H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(D4,E 1.7100
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 ECAD 2347 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 - 37纳秒、50纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP531(MBSIN-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBSIN-TP5,F -
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 ECAD 5651 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(MBSIN-TP5FTR) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP715(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(女) -
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 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP715 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991 8541.49.8000 100 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP5772(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772(D4-TP,E 0.9772
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 ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5772 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP5772(D4-TPE EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.65V 8毫安 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒
TLP161J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T7TL,U,C,F -
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 ECAD 8555 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161J(T7TLUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
4N38A(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38A(短,F) -
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 ECAD 9550 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 4N38 直流 1 带基极晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） 4N38A（短） EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 80V 1.15V 80毫安 2500Vrms 10%@10mA - 3微秒、3微秒 1V
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF1,F) -
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 ECAD 2156 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-O-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP265J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TL,E 0.8400
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 ECAD 4119 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 7毫安 20微秒
TLP781(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(BL,F) -
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 ECAD 4864 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP781BLF 5A991G 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP183(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL-TPL,E 0.5100
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP550(MBS-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(MBS-O,F) -
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 ECAD 3089 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(MBS-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP626-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-4(F) -
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 ECAD 5003 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP626 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 25 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(国标-TPL,SE 0.6100
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 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(GRH-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRH-F7,F -
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 ECAD 1720 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(GRH-F7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
4N27(SHORT-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N27(短-TP1,F) -
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 ECAD 6824 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD，鸥翼式 4N27 直流 1 带基极晶体管 6-SMD - 符合RoHS标准 1（无限制） 4N27(短-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 100毫安 2微秒、2微秒 30V 1.15V 80毫安 2500Vrms 20%@10mA - - 500毫伏
TLP2710(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(D4-LF4,E 1.6000
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 ECAD 3036 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2710 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 5MBd 11纳秒、13纳秒 1.9V（最大） 8毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP785F(BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-F7,F -
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 ECAD 2014年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(BLL-F7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4-GR-FD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR-FD,F) -
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 ECAD 2489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GR-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBJ-IGM,J,F -
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 ECAD 5035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(MBJ-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
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