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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP5702(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4,E -
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 ECAD 7371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP5702（D4E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP785(D4YH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4YH-T6,F 0.7700
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 4,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP292-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4LATRE) 1.7600
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP127(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TPL,F) -
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 ECAD 4736 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP127 - 1（无限制） 264-TLP127(TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2704(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(D4,E 1.4400
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2704 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2704(D4E) EAR99 8541.49.8000 125 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP104(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(中) 1.5100
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 ECAD 9716 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP104 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 1Mbps - 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP9104A(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(TOJS-TL,F -
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 ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(TOJS-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP385(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(TPR,E 0.5500
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 ECAD 2461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP131(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(TPR,F) -
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 ECAD 6602 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP131 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP131(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP118(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPR,E) 0.6165
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 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP118 直流 1 集电极开路 4.5V~5.5V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TLP118(TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 - 30纳秒、30纳秒 - 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP2704(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(D4-TP,E 1.4600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2704 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(V4-TPL,E 1.8900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP109 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 - 20V 1.64V 20毫安 3750Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP731(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(GB-LF2,F) -
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 ECAD 4510 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2601(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(LF1,F) -
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 ECAD 3893 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 0℃～70℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2601 直流 1 集电极开路，肖特基钳位 4.5V~5.5V 8贴片 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP2601(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 1/0 1kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP718(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718(D4,F) -
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 ECAD 5191 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP718 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP718(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP121(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH,F) -
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 ECAD 9586 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRHF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP185(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(Y-TPL,SE 0.6100
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 ECAD 4922 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5701(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(D4,E 1.2400
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 ECAD 第498章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5701 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP5701(D4E) EAR99 8541.49.8000 125 600毫安 - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP183(GB-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GB-TPR,E -
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 ECAD 7572 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(国标-TPRE EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP183(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BL,E 0.5100
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 ECAD 4755 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183（蓝牙低功耗） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHF7,F -
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 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4YHF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(F) -
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 ECAD 1216 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(TP,F) -
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 ECAD 2345 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766（TPF） EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 20Mbps 15纳秒，15纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 55纳秒, 55纳秒
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(女) -
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 ECAD 第1578章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP719 直流 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991G 8541.49.8000 100 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP121(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR-TPR,F) -
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 ECAD 6997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2391(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2391(TPL,E 1.3100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2391 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 10MBd 3纳秒、3纳秒 1.55V 10毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 100纳秒，100纳秒
TLP161G(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(IFT7,U,C,F -
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 ECAD 8697 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161G(IFT7UCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
4N35(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N35(短,F) -
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 ECAD 2000年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 4N35 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 30V 1.15V 60毫安 2500Vrms 40%@10mA - 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP3062A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A(TP1,F 1.6600
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 ECAD 2451 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（5坐标），鸥翼式 TLP3062 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 1,500人 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600μA（典型值） 是的 2kV/μs（典型值） 10毫安 -
TLP2095(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2095(TPL,F) -
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 ECAD 8380 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2095 - 1（无限制） 264-TLP2095(TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
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    标准产品单位

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