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光溶剂（（1738）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 批准机构 | 频道数量 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 数据速率 | 上升 /秋季t （典型） | 电压 -输出（最大） | 电压 -向前（ -vf）（类型） | （dc 向前（如果）（）（（最大）） | 电压 -隔离 | 电压 -偏离状态 | （（rms）（rms）（最大） | 电流 -保持（ ih） | 输入 -侧面 -1/侧2 | （（（） | tplh / tphl （最大） | （（（） | （（（） | 打开 /关闭t ty（typ） | （VCE 饱和度（最大） | 零越过电路 | DV/DT （最小） | 电流-LED（IFT）（IFT）） | t |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP2116（tp，f） | - |  | 5260 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | TLP2116 | DC | 2 | 推扣，图腾柱 | 4.5V〜5.5V | 8-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,500 | 10 MA | 15MBD | 15ns，15ns | 1.65V | 20mA | 2500vrms | 2/0 | 10kV/µs | 75NS，75NS | |||||||||||||||
 | TLP754（f） | - | | 8364 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP754 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 4.5V〜30V | 8点 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP754F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 15 ma | 1Mbps | - | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 550NS，400NS | ||||||||||||||
 | TLP105 v4mbs-tpl，f | - | | 7671 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 4.5V〜20V | 6-MFSOP，5领先 | 下载 | 264-TLP105 v4mbs-tplf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 50 mA | 5Mbps | 30ns，30ns | 1.57V | 20mA | 3750vrms | 1/0 | 10kV/µs | 250NS，250NS | |||||||||||||||||
| TLP160J（v4t7，U，c，f | - | | 5917 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | TLP160 | - | （1 （无限） | 264-TLP160J（v4t7ucftr | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP9104（ogi-tl，f） | - | | 2225 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 大部分 | 过时的 | - | 264-TLP9104（OGI-TLF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | tlp385（grl-tpr，e | 0.5600 | | 4446 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 200％ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP184 （GB，SE | 0.5100 | | 2065 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP184 | AC，DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||
| TLP184（TPR，E） | - | | 2556 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP184 | AC，DC | 1 | 晶体管 | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 5µs，9µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 5mA | 400 @ @ 5mA | 9µs，9µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP2704（d4，e | 1.4400 | | 125 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） | TLP2704 | DC | 1 | 打开收藏首页 | 4.5V〜30V | 6-so | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP2704（d4e | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 15 ma | - | - | 1.55V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 20kV/µs | 400NS，550NS | ||||||||||||||
 | TLP715（f） | - | | 9941 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜100°C | 表面安装 | 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） | TLP715 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 4.5V〜20V | 6-SDIP鸥翼 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | 5A991 | 8541.49.8000 | 100 | 25 ma | 5Mbps | 30ns，30ns | 1.6V | 20mA | 5000vrm | 1/0 | 10kV/µs | 250NS，250NS | |||||||||||||||
| TLP127（MAT-TPL，F） | - | | 1425 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP127 | DC | 1 | 达灵顿 | 6-MFSOP，4领先 | - | （1 （无限） | 264-TLP127（MAT-TPLF）TR | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 150mA | 40µs，15µs | 300V | 1.15V | 50 mA | 2500vrms | 1000％ @ 1ma | - | 50µs，15µs | 1.2V | |||||||||||||||
 | 4n28 （短，f） | - | | 6801 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） | 4N28 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 6浸 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | 4N28（Shortf） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2µs，2µs | 30V | 1.15V | 80 ma | 2500vrms | 20％ @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||||||||
| TLP124（bv，f） | - | | 8492 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SMD（4个铅），鸥翼 | TLP124 | DC | 1 | 晶体管 | 6-MFSOP，4领先 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP124（BVF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 8µs，8µs | 80V | 1.15V | 50 mA | 3750vrms | 200％ @ 1ma | 1200 @ @ 1mA | 10µs，8µs | 400mv | ||||||||||||||
| TLP2372（tpr，e | 1.9300 | | 4970 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 | TLP2372 | DC | 1 | 推扣，图腾柱 | 2.2v〜5.5V | 6-SO，5领先 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 8 ma | 20mbps | 2.2NS，1.6NS | 1.53V | 8mA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 75NS，75NS | ||||||||||||||||
| TLP627MF（lf2，e | - | | 9308 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP627 | DC | 1 | 达灵顿 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP627MF（lf2e | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | 60µs，30µs | 300V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 1000％ @ 1ma | - | 110µs，30µs | 1.2V | |||||||||||||||
| TLP550（lf1，f） | - | | 1425 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP550 | - | （1 （无限） | 264-TLP550（LF1F） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3083F（d4，f | 1.7400 | | 50 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜100°C | 通过洞 | 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 | CQC，CSA，Cul，Ul，Vde | 1 | TRIAC | 6浸 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 mA | 5000vrm | 800 v | 100 ma | 600µA | 是的 | 2KV/µS典型（典型） | 5mA | - | |||||||||||||||||
 | tlp109（v4，e | 1.3100 | | 135 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 | TLP109 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，5领先 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 125 | 8mA | - | 20V | 1.64V | 20 ma | 3750vrms | 20％ @ 16mA | - | 800NS，800NS （最大） | - | |||||||||||||||
| tlp385（d4yh-tl，e | 0.5600 | | 6568 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP385 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，4领先 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 5000vrm | 75 @ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | |||||||||||||||
 | TLP785F YH-TP7，f | - | | 5112 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 4-SMD，鸥翼 | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP785F YH-TP7FTR | Ear99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 75 @ @ 5mA | 150％ @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||||||||||
| tlp109（v4-tpl，e | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C | 表面安装 | 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 | TLP109 | DC | 1 | 晶体管 | 6-SO，5领先 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 8mA | - | 20V | 1.64V | 20 ma | 3750vrms | 20％ @ 16mA | - | 800NS，800NS （最大） | - | |||||||||||||||
| tlp719f（d4fnc-tp，f | - | | 9609 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 表面安装 | 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） | DC | 1 | 晶体管 | 6-SDIP鸥翼 | - | 264-TLP719F（d4fnc-tpf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20％ @ 16mA | - | 800NS，800NS （最大） | - | |||||||||||||||||
 | tlp785（d4gh-t6，f | 0.7600 | | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 4-SMD，鸥翼 | TLP785 | DC | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | Rohs符合条件 | 不适用 | Ear99 | 8541.49.8000 | 4,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||||||||||
| tlp185（v4grtl，se | - | | 9052 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜110°C | 表面安装 | 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 | TLP185 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 6 sop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | TLP185（v4grtlse | Ear99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.25V | 50 mA | 3750vrms | 50％ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 300mv | ||||||||||||||
| TLP373（f） | - | | 6222 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP373 | - | （1 （无限） | 264-tp373（f） | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | tlp3914（tp15，f） | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 4-SMD，平坦的铅 | TLP3914 | DC | 1 | 光伏 | 4ssop | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.49.8000 | 1,500 | 20µA | - | 7V | 1.3V | 30 ma | 1500vrms | - | - | 300µs，600µs | - | |||||||||||||||
| TLP759（d4MBS-IGM，f | - | | 9951 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759（D4MBS-IGMF | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | 8mA | - | 20V | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20％ @ 16mA | - | - | - | |||||||||||||||||
| TLP731（D4-GB-LF4，f | - | | 2820 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP731 | - | （1 （无限） | 264-TLP731 （D4-GB-LF4F | Ear99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F（d4-gb，f） | - | | 1853年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜110°C | 通过洞 | 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） | TLP781F | DC | 1 | 晶体管 | 4点 | 下载 | （1 （无限） | 264-TLP781F（D4-GBF） | Ear99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2µs，3µs | 80V | 1.15V | 60 ma | 5000vrm | 100 @ @ 5mA | 600 @ 5mA | 3µs，3µs | 400mv | |||||||||||||||
| tlp759f（d4mbimt4jf | - | | 5358 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜100°C | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | TLP759 | DC | 1 | 晶体管带有基部 | 8点 | 下载 | 264-TLP759F（d4mbimt4jf | Ear99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25 ma | 5000vrm | 20％ @ 16mA | - | - | - |
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