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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大）
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL-LF1,F) -
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 ECAD 2671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(BL-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP630(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(GB-TP1,F) -
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 ECAD 9493 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（0.300英寸，7.62毫米） 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-SMD - 264-TLP630(GB-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-TP6,F) -
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 ECAD 2044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BLL,F) -
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 ECAD 8371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F（BLLF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620-2(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(GB-TP1,F) -
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 ECAD 8683 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8贴片 下载 264-TLP620-2(GB-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP590B(OMT-LF1C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B(OMT-LF1C,F -
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 ECAD 6279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD，鸥翼式，5插座 TLP590 直流 1 光伏 6-DIP鸥翼型 下载 264-TLP590B(OMT-LF1CF) EAR99 8541.49.8000 1 12微安 - 7V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，1毫秒 -
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH,F) -
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 ECAD 6831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(电话,F -
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 ECAD 7019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785（TELSF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP532(YG,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(YG,F) -
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 ECAD 7001 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532(YGF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(TP1,F) -
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 ECAD 6092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP754 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP754(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP185(BLL-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BLL-TPR,E) -
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 ECAD 4214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 TLP185(BLL-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP532(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(BLL,F) -
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 ECAD 3873 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532（BLLF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4YH-TP7,F -
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 ECAD 7445 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4YH-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-LF5,F) -
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 ECAD 9293 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP358 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 8贴片 下载 264-TLP358(D4-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5安 - 17纳秒, 17纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP732(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF1,F) -
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 ECAD 2413 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP626(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(D4-LF2,F) -
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 ECAD 6425 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(TPL,E 0.8700
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 ECAD 6400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP387 直流 1 达林顿 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1V
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL,E 0.5500
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 ECAD 9932 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP531(Y-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(Y-LF2,F) -
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 ECAD 8609 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(Y-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4GRT7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRT7TC,F -
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 ECAD 1622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GRT7TCFTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-TP5,E 0.3090
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP627 直流 1 达林顿 4-SMD 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP250HF(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(TP4,F) -
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 ECAD 5555 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP250 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 8贴片 下载 1（无限制） 264-TLP250HF(TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人 2A - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 5毫安 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(FJDK-TL,U,F -
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 ECAD 8745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127（FJDK-TLUF） EAR99 8541.49.8000 1 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP731(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(女) -
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 ECAD 3594 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(女) EAR99 8541.49.8000 50
TLP291(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(GRH,SE 0.6000
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 ECAD 6908 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TLP291(GRHSE) EAR99 8541.49.8000 175 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP385(GRL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL-TPR,E 0.5600
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 ECAD 4446 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(YH-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(YH-TP7,F -
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 ECAD 5112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(YH-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP627-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(LF1,F) -
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 ECAD 5820 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - 1（无限制） 264-TLP627-4(LF1F) EAR99 8541.49.8000 25
TLP624F Toshiba Semiconductor and Storage TLP624F -
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 ECAD 9727 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP624 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP531(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR,F) -
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 ECAD 4494 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(GRF) EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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