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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP160G(T7-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(T7-TPR,U,F -
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 ECAD 6615 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(T7-TPRUFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-TP,E 1.7900
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 ECAD 1944年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLX9160T(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9160T(TPL,F 7.4200
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 直流 1 场效应管 16-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - - - 1.65V 30毫安 5000Vrms - - 1ms、1ms（最大） -
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-BLL,F -
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 ECAD 7615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP331(BV-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF1,F) -
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 ECAD 6076 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - 1（无限制） 264-TLP331(BV-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHT7,F -
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 ECAD 6227 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4GHT7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0.5100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GR,F 0.6200
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 ECAD 85 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(D4-GRF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403(女) -
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 ECAD 3046 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TLP2403 直流 1 携带底座到达林顿管 8-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2403F EAR99 8541.49.8000 100 60毫安 - 18V 1.45V 20毫安 3750Vrms 500%@1.6mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GRTR,SE 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781(D4GRH-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRH-TP6,F -
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 ECAD 5325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4GRH-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2398(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(TPL,E -
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 ECAD 1028 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2398 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 6-SO，5铅 - 1（无限制） 264-TLP2398（TPLETR） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 5Mbps 15纳秒、12纳秒 1.5V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GRH,F) -
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 ECAD 5401 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785F(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GR,F 0.7200
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 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785F(GRF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP531(MBS-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(MBS-TP5,F) -
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 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(MBS-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP120(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GB-TPR,F) -
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 ECAD 6747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP120(GB-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4FA1T4SJF) -
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 ECAD 3610 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4FA1T4SJF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(TPL,E 0.8200
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 ECAD 5753 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 10毫安 20微秒
TLP290(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(国标-TP,E) -
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 ECAD 9873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP781F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(女) -
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 ECAD 6116 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(女) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(MBS-TR,U,F -
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 ECAD 9680 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(MBS-TRUFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-LA,E 1.7900
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 ECAD 3649 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5702(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-LF4,E 1.5500
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 ECAD 6558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP5702(D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 125 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP781F(D4-GR-TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-TC,F -
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 ECAD 5980 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-GR-TCF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP160G(DT-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(DT-TPL,F) -
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 ECAD 8423 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(DT-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(BL,F) -
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 ECAD 8121 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532（BLF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP290-4(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290-4(国标、E) 1.6300
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 ECAD 280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.2V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4-TPL,E 0.7900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2310(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2310(TPL,E 1.5500
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 ECAD 8032 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2310 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 5Mbps 11纳秒、13纳秒 1.53V 8毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(MAT-LF2,F) -
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 ECAD 9349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(MAT-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    智能仓库

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