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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t 年级 资格
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187(tpl,e 1.0300
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626((F),f) -
RFQ
ECAD 7970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP626 AC,DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626(fanucf) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP160G(TPL,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(tpl,U,f) -
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160G - (1 (无限) 264-TLP160G(TPLUF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP785F(D4-BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4-bl,f -
RFQ
ECAD 1512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4-blf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp184(bl-tpl,se 0.5100
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4gb-tr,e 0.5600
RFQ
ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403(f) -
RFQ
ECAD 3046 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2403 DC 1 达灵顿与基地 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP2403F Ear99 8541.49.8000 100 60mA - 18V 1.45V 20 ma 3750vrms 500 @ @ 1.6mA - 300ns,1µs -
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(d4,e 0.9000
RFQ
ECAD 96 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP627MF(d4e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270(lf4,e 3.0900
RFQ
ECAD 8042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) TLP2270 AC,DC 2 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 75 10 MA 20MBD 1.3NS,1NS 1.5V 8mA 5000vrm 2/0 20kV/µs 60n,60n
TLP161J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J u,c,f) -
RFQ
ECAD 3279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP161J ur 1 TRIAC 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 600µA() 是的 200V/µs 10mA -
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(d4,f) -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4F) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 15MBD 15ns,15ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(bv,f) -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP137(BVF) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(d4cos-tp5,f -
RFQ
ECAD 2015 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP750(d4cos-tp5f Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10% @ 16mA - 200NS,1µs -
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (GB-LF7,F) -
RFQ
ECAD 3093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GB-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP9104(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(hne-tl,f) -
RFQ
ECAD 8396 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104(HNE-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(bl,e 0.5500
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp385(ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J(tpr,u,c,f) -
RFQ
ECAD 1634年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP168 ur 1 TRIAC 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.4V 20 ma 2500vrms 600 v 70 MA 600µA() 是的 200V/µs 3MA -
4N35(SHORT-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n35(短-lf1,f) -
RFQ
ECAD 6362 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 4N35 - (1 (无限) 264-4N35 (短 -LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(e -
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2398 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 6-SO,5领先 - (1 (无限) 264-TLP2398(ETR Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 5Mbps 15ns,12ns 1.5V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(ta,f) -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP630 AC,DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 264-TLP630(TAF) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(v4-tpl,e 1.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS,400NS
TLP385(D4-GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4-grh,e 0.5400
RFQ
ECAD 5312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp385(d4-grhe Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP781(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-tel,f) -
RFQ
ECAD 1749年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(D4-TELSF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2372(v4-tpr,e 1.9100
RFQ
ECAD 4072 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2372 DC 1 推扣,图腾柱 2.2v〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 20mbps 2.2NS,1.6NS 1.53V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 75NS,75NS
TLP160J(V4OM5TRUCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4OM5TRUCF -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160J - (1 (无限) 264-TLP160J v4OM5Trucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP265J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(v4-tpr,e 0.8500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP265 CQC,Cur,Ur,Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma (典型) 500V/µs (典型) 10mA 20µs
TLP732(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(f) -
RFQ
ECAD 4532 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(f) Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(d4grh-lf2,f -
RFQ
ECAD 1476 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(D4GRH-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9905(tpl,f 4.0500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLX9905 DC 1 光伏 6 sop 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 - - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 300µs,1ms - 汽车 AEC-Q101
TLP2766(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(f) -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2766 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766(f) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS,55NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库