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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 霓机构 | 通道数 | 输出类型 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 电流 - 输出/通道 | 数据速率 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 输出(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电流 - 保持 (Ih) | 输入 - 侧 1/侧 2 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 电流传输率比(最小) | 电流传输率比(最大) | 打开/关闭T(典型值) | Vce 渗透度(最大) | 过零电路 | 静态 dV/dt(简单) | 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) | 开启T |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP160G(T7-TPR,U,F | - | ![]() | 6615 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP160G | - | 1(无限制) | 264-TLP160G(T7-TPRUFTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4-TP,E | 1.7900 | ![]() | 1944年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP292 | 交流、 直流 | 4 | 晶体管 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||||
| TLX9160T(TPL,F | 7.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 直流 | 1 | 场效应管 | 16-SO | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | - | - | - | 1.65V | 30毫安 | 5000Vrms | - | - | 1ms、1ms(最大) | - | ||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4-BLL,F | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785F(D4-BLLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 200%@5mA | 400% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP331(BV-LF1,F) | - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP331 | - | 1(无限制) | 264-TLP331(BV-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4GHT7,F | - | ![]() | 6227 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785F(D4GHT7FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP290(TP,SE | 0.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP290 | 交流、 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP785(D4-GR,F | 0.6200 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | TLP785(D4-GRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | ||||||||||||||
![]() | TLP2403(女) | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | TLP2403 | 直流 | 1 | 携带底座到达林顿管 | 8-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP2403F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60毫安 | - | 18V | 1.45V | 20毫安 | 3750Vrms | 500%@1.6mA | - | 300纳秒、1微秒 | - | ||||||||||||||
![]() | TLP185(V4GRTR,SE | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP185 | 直流 | 1 | 晶体管 | 6-SOP | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 100%@5mA | 300% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4GRH-TP6,F | - | ![]() | 5325 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | TLP781 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP781(D4GRH-TP6FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
| TLP2398(TPL,E | - | ![]() | 1028 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 | TLP2398 | 直流 | 1 | 推拉式、图腾柱式 | 3V~20V | 6-SO,5铅 | - | 1(无限制) | 264-TLP2398(TPLETR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 25毫安 | 5Mbps | 15纳秒、12纳秒 | 1.5V | 20毫安 | 3750Vrms | 1/0 | 20kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | ||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4-GRH,F) | - | ![]() | 5401 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP781 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP781(D4-GRHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 150% @ 5mA | 300% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP785F(GR,F | 0.7200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | TLP785F(GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 300% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | ||||||||||||||
![]() | TLP531(MBS-TP5,F) | - | ![]() | 3705 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP531 | - | 1(无限制) | 264-TLP531(MBS-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP120(GB-TPR,F) | - | ![]() | 6747 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SMD(4端口),鸥翼式 | TLP120 | 交流、 直流 | 1 | 晶体管 | 6-MFSOP,4引脚 | - | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP120(GB-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 50毫安 | 3750Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | ||||||||||||||
![]() | TLP759F(D4FA1T4SJF) | - | ![]() | 3610 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP759 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-DIP | 下载 | 264-TLP759F(D4FA1T4SJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25毫安 | 5000Vrms | 20%@16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP265J(TPL,E | 0.8200 | ![]() | 5753 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP265 | CQC、cUR、UR | 1 | 所在晶闸管 | 6-SOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.27V | 50毫安 | 3750Vrms | 600伏 | 70毫安 | 1mA(典型值) | 不 | 500V/μs(典型值) | 10毫安 | 20微秒 | |||||||||||||||
![]() | TLP290(国标-TP,E) | - | ![]() | 9873 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP290 | 交流、 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,500人 | 50毫安 | 4微秒、7微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 100%@5mA | 400% @ 5mA | 7微秒, 7微秒 | 300毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP781F(女) | - | ![]() | 6116 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP781F | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP781F(女) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP160G(MBS-TR,U,F | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP160G | - | 1(无限制) | 264-TLP160G(MBS-TRUFTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(V4-LA,E | 1.7900 | ![]() | 3649 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP292 | 交流、 直流 | 4 | 晶体管 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 50%@500μA | 600%@500μA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||||
![]() | TLP5702(D4-LF4,E | 1.5500 | ![]() | 6558 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~110℃ | 表面贴装 | TLP5702 | 直流 | 1 | 推拉式、图腾柱式 | 15V~30V | 6-SO | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP5702(D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15纳秒、8纳秒 | 1.55V | 20毫安 | 5000Vrms | 1/0 | 20kV/μs | 200纳秒、200纳秒 | |||||||||||||||||
![]() | TLP781F(D4-GR-TC,F | - | ![]() | 5980 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP781F | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP781F(D4-GR-TCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 300% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP160G(DT-TPL,F) | - | ![]() | 8423 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP160G | - | 1(无限制) | 264-TLP160G(DT-TPLF)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP532(BL,F) | - | ![]() | 8121 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP532 | - | 1(无限制) | 264-TLP532(BLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290-4(国标、E) | 1.6300 | ![]() | 280 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP290 | 交流、 直流 | 4 | 晶体管 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.2V | 50毫安 | 2500Vrms | 100%@5mA | 400% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | ||||||||||||||||
![]() | TLP388(D4-TPL,E | 0.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP388 | 直流 | 1 | 晶体管 | 6-SO,4导联 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 350V | 1.25V | 50毫安 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
| TLP2310(TPL,E | 1.5500 | ![]() | 8032 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 | TLP2310 | 直流 | 1 | 推拉式、图腾柱式 | 2.7V~5.5V | 6-SO,5铅 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 10毫安 | 5Mbps | 11纳秒、13纳秒 | 1.53V | 8毫安 | 3750Vrms | 1/0 | 25kV/微秒 | 250纳秒, 250纳秒 | ||||||||||||||||
![]() | TLP626(MAT-LF2,F) | - | ![]() | 9349 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP626 | 交流、 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 264-TLP626(MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50毫安 | 8微秒,8微秒 | 55V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@1mA | 1200%@1mA | 10μs、8μs | 400毫伏 |

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