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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP550(SANYD-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(SANYD-O,F) -
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 ECAD 6463 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(SANYD-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4YHF7,F -
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 ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4YHF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP293(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(Y-TPL,E 0.5700
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 ECAD 5381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(V4LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LGB,E 1.6400
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 ECAD 9035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GBTPR,E 1.2300
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 ECAD 4227 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP628MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628MF(E 0.9100
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 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP628 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP628MF(E EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs、10μs 400毫伏
TLP2962(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962(TP1,F) 1.2600
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2962 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 8贴片 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 15MBd 3纳秒、12纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF1,F) -
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 ECAD 5424 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 4-SMD（0.300英寸，7.62毫米） 交流、 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 264-TLP626(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP785(D4BL-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4BL-T6,F -
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 ECAD 3703 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4BL-T6FTR) EAR99 8541.49.8000 4,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP118(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118(TPL,E 1.8300
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP118 直流 1 集电极开路 4.5V~5.5V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 20Mbps 30纳秒、30纳秒 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR-TP,E) -
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 ECAD 3608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP385(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(TPR,E 0.5500
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 ECAD 2461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4YH-F6,F -
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 ECAD 8254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4YH-F6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2770(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(D4-TP,E 2.2400
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 ECAD 5019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2770 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP268J(T2-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP268J(T2-TPL,E 1.1100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP268 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 200μA（典型值） 是的 500V/μs（典型值） 3毫安 100微秒
TLP733F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-GRL,M,F -
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 ECAD 8648 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1（无限制） 264-TLP733F(D4-GRLMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(D4SOY-TP,F -
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 ECAD 7583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP719 直流 1 带基极晶体管 6-SDIP - 264-TLP719F(D4SOY-TPF EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP550(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(LF1,F) -
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 ECAD 1425 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2301(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2301(E 0.6100
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP2301 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 - 40V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@1mA 600%@1mA - 300毫伏
TLP185(GRL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRL-TR,SE -
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 ECAD 5268 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 带基极晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP185(GRL-TRSE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP9121A(OGIGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(OGIGBTL,F -
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 ECAD 第1570章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（OGIGBTLF） EAR99 8541.49.8000 1
TLP550(YASK-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(YASK-O,F) -
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 ECAD 6088 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(亚斯克-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(TOJS-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TOJS-TPR,F) -
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 ECAD 9653 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(TOJS-TPRF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP120(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(女) -
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 ECAD 4000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BL,F) 0.6400
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2098(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2098(TPL,F) -
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 ECAD 3000 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP2098 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 符合RoHS标准 TLP2098(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP750(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(女) -
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 ECAD 7129 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(女) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GB-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-LF1,F -
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 ECAD 4468 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-GB-LF1F EAR99 8541.49.8000 50
TLP9121A(ASTGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(ASTGBTL,F -
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 ECAD 6517 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（ASTGBTLF） EAR99 8541.49.8000 1
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF2,F) -
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 ECAD 1724 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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