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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
TLP2766A(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A(TP4,E 1.6700
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ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP2766 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 5纳秒、4纳秒 1.8V(最大) 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 55纳秒, 55纳秒
TLP754F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(TP4,F) -
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ECAD 1615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~125℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 TLP754 直流 1 集电极开路 4.5V~30V 8贴片 下载 264-TLP754F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 15毫安 1Mbps - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP2766(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766(TP,F) -
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ECAD 2345 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 20Mbps 15纳秒,15纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 55纳秒, 55纳秒
TLP719(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719(女) -
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ECAD 第1578章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP719 直流 1 晶体管 6-SDIP鸥翼 - 符合RoHS标准 1(无限制) 5A991G 8541.49.8000 100 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns(顶部) -
TLP2200(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2200(LF2,F) -
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ECAD 1247 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2200 - 1(无限制) 264-TLP2200(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP632(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GR-LF2,F) -
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ECAD 5520 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1(无限制) 264-TLP632(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BLL,F -
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ECAD 第1485章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785(BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP3083F(D4,LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F(D4,LF4F 1.7800
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ECAD 4869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式,5插座 TLP3083 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-SMD 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 800V 100毫安 600微安 是的 2kV/μs(典型值) 5毫安 -
TLP9104(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(OGI-TL,F) -
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ECAD 2225 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104(OGI-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP512(NEMIC,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC,TP1,F -
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ECAD 9630 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP512 - 1(无限制) 264-TLP512(NEMICTP1FTR) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2168(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2168(女) -
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ECAD 7498 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TLP2168 直流 2 集电极开路 2.7V~5.5V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 100 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.57V 25毫安 2500Vrms 2/0 15kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP3052A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A(F -
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ECAD 2712 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.400英寸,10.16毫米),5插座 TLP3052 CQC、CSA、cUL、UL、VDE 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 264-TLP3052A(F EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600微安 2kV/μs(典型值) 10毫安 -
TLP127(PSION-TPR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(PSION-TPR,F -
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ECAD 第1151章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(PSION-TPRFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP293-4(LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(洛杉矶,E 1.6000
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ECAD 5468 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(国标,F -
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ECAD 7295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785F(GBF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP715(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-MBS-TP,F -
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ECAD 9066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP715 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(D4-MBS-TPF EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP109(IGM-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IGM-TPR,E 1.9200
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ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽),5引脚 TLP109 直流 1 晶体管 6-SO,5铅 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 - 20V 1.64V 20毫安 3750Vrms 25%@10mA 75%@10mA 450纳秒, 450纳秒 -
TLP781F(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(国标,F) -
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ECAD 5077 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4GB-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GB-LF7,F -
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ECAD 1224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4GB-LF7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(女) -
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ECAD 6869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 TLP131 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP,5引脚 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP131F EAR99 8541.49.8000 150 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-LF6,F 0.6400
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ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(GR-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
4N28(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N28(短,女) -
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ECAD 6801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N28 直流 1 带基极晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1(无限制) 4N28(短) EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 2微秒、2微秒 30V 1.15V 80毫安 2500Vrms 20%@10mA - - 500毫伏
TLP733F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-GRL,M,F -
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ECAD 8648 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1(无限制) 264-TLP733F(D4-GRLMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(D4-TP,F) -
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ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP716 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒,15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(Y-LF5,F) -
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ECAD 4947 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1(无限制) 264-TLP531(Y-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF2,F) -
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ECAD 1724 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1(无限制) 264-TLP732(GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3064(TP1,SC,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3064(TP1,SC,F,T) -
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ECAD 3454 0.00000000 东芝半导体和存储 - 切带 (CT) 过时的 表面贴装 6-SMD(5接口),鸥翼式 TLP3064 1 所在晶闸管 6-DIP(切割),5插座 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 6毫安 5000Vrms 600伏 600微安 是的 3毫安
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(GB-TP,E 1.6000
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ECAD 4016 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B(U、C、F) -
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ECAD 5785 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃~80℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP191 直流 1 光伏 6-MFSOP,4引脚 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 150 24微安 - 8V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒,3毫秒 -
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(FJDK-TL,U,F -
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ECAD 8745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(FJDK-TLUF) EAR99 8541.49.8000 1 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库