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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP,E 1.4400
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1A - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP293(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(BLL-TPL,E 0.5100
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 ECAD 3760 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@500μA 400%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP513(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP513(女) -
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 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP513 - 1（无限制） 264-TLP513(女) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(U,F) -
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 ECAD 7414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(UF) EAR99 8541.49.8000 150 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4KEBIMT1JF) -
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 ECAD 7952 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4KEBIMT1JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(MBS,F) -
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 ECAD 6376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP2531 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2531（MBSF） EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA 30%@16mA 200纳秒、300纳秒 -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(TPL,F) -
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 ECAD 9257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP2066 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～3.6V 6-MFSOP，5引脚 - 264-TLP2066(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 20Mbps 5纳秒、4纳秒 1.6V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP105(DPW-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(DPW-TPL,F) -
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 ECAD 6810 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP105 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP105(DPW-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4FA1T1SJ,F -
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 ECAD 4617 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4FA1T1SJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(FD-TL,F) -
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 ECAD 2021年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(TP6,F) -
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 ECAD 3754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRLL6TC,F -
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 ECAD 1217 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781（D4GRLL6TCCFTR） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-LF6,F) -
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 ECAD 4918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP160J(V4T7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J(V4T7,U,C,F -
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 ECAD 5917 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160 - 1（无限制） 264-TLP160J(V4T7UCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP187(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(V4-TPL,E -
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 ECAD 8201 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP187 直流 1 达林顿 6-SOP - 1（无限制） 264-TLP187(V4-TPLETR) EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 3750Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP9148J(OGI-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(OGI-TL,F) -
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 ECAD 5576 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(OGI-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP2704(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(E 1.4400
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 ECAD 5375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2704 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP2767(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767(TP,E 2.5900
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 ECAD 5296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2767 直流 1 推拉式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 50MBd 2纳秒、1纳秒 1.6V 15毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP620F-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2(F) -
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 ECAD 9705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 1 - 8-DIP - 264-TLP620F-2(F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 - 55V - 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - -
TLP551(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(女) -
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 ECAD 5111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP551 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP388(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(E 0.8000
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 ECAD 9779 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） 264-TLP388（E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP750(PPA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(PPA,F) -
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 ECAD 1617 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP750 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 264-TLP750(PPAF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 10%@16mA - - -
TLP532(NEMI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(NEMI,F) -
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 ECAD 7466 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532（NEMIF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP550(TCCJ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(TCCJ,F) -
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 ECAD 3899 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(TCCJF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4-TPR,E 0.9300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP732(GB-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GB-LF4,F) -
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 ECAD 3479 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GB-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-NEMIC,F) -
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 ECAD 5116 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4-NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2361(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPL,E 1.0600
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 ECAD 1208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2361 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP750(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF2,F) -
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 ECAD 7625 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-O-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4IM-F1,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4IM-F1,J,F -
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 ECAD 8173 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4IM-F1JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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