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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压隔离 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大)
TLP9104A(FD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(FD-TL,F) -
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ECAD 2021年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(FD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5702(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP,E 1.4400
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 1A - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP781(D4-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-LF6,F) -
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ECAD 4918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(D4-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(TP6,F) -
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ECAD 3754 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4GRLL6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRLL6TC,F -
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ECAD 1217 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781(D4GRLL6TCCFTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759(D4FA1T1SJ,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4FA1T1SJ,F -
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ECAD 4617 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4FA1T1SJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP2066(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(TPL,F) -
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ECAD 9257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 TLP2066 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V~3.6V 6-MFSOP,5引脚 - 264-TLP2066(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 20Mbps 5纳秒、4纳秒 1.6V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP127(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(U,F) -
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ECAD 7414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(UF) EAR99 8541.49.8000 150 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP759(D4KEBIMT1JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4KEBIMT1JF) -
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ECAD 7952 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4KEBIMT1JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP2531(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(MBS,F) -
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ECAD 6376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP2531 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2531(MBSF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA 30%@16mA 200纳秒、300纳秒 -
TLP550-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-TP4,F) -
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ECAD 2240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP550 - 1(无限制) 264-TLP550-TP4F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(E 1.0200
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ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP187 直流 1 达林顿 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 3750Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP781F(D4GRF7TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRF7TC,F -
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ECAD 第1337章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4GRF7TCF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4NKODGB7F -
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ECAD 3296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4NKODGB7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4-GR-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-FD,F -
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ECAD 6200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(D4-GR-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4-Y-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-Y-TP6,F) -
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ECAD 第3052章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(D4-Y-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP628M(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(国标、E 0.9100
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ECAD 5715 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP628 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400毫伏
TLP716(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(D4-TP,F) -
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ECAD 7993 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.268英寸,6.80毫米宽) TLP716 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒,15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP3910(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(TP,E 3.3300
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ECAD 2010年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP3910 直流 2 光伏 6-SO 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - - 24V 3.3V 30毫安 5000Vrms - - 300μs、100μs -
TLP531(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL,F) -
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ECAD 1240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1(无限制) 264-TLP531(BLF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP570(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(LF1,F) -
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ECAD 2392 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP570 - 1(无限制) 264-TLP570(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL-LF1,F) -
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ECAD 2671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1(无限制) 264-TLP531(BL-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP630(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(GB-TP1,F) -
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ECAD 9493 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(0.300英寸,7.62毫米) 交流、 直流 1 带基极晶体管 6-SMD - 264-TLP630(GB-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4-TP6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-TP6,F) -
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ECAD 2044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(D4-TP6F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BLL,F) -
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ECAD 8371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781F(BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP590B(OMT-LF1C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP590B(OMT-LF1C,F -
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ECAD 6279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 6-SMD,鸥翼式,5插座 TLP590 直流 1 光伏 6-DIP鸥翼型 下载 264-TLP590B(OMT-LF1CF) EAR99 8541.49.8000 1 12微安 - 7V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒,1毫秒 -
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH,F) -
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ECAD 6831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP781(YHF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(TELS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(电话,F -
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ECAD 7019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785(TELSF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP754(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(TP1,F) -
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ECAD 6092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~125℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP754 直流 1 集电极开路 4.5V~30V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP754(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP185(BLL-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BLL-TPR,E) -
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ECAD 4214 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 TLP185(BLL-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 9微秒,9微秒 300毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库