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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP290(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(GR-TP,E) -
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 ECAD 3608 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 4微秒、7微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 7微秒, 7微秒 300毫伏
TLP781F(D4-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-LF7,F) -
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 ECAD 6163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP161J(V4DMTR,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4DMTR,C,F -
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 ECAD 7599 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161J(V4DMTRCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP9121A(ASTGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(ASTGBTL,F -
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 ECAD 6517 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（ASTGBTLF） EAR99 8541.49.8000 1
TLP628M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(TP1,E 0.9100
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 ECAD 7614 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SMD（0.300英寸，7.62毫米） TLP628 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs、10μs 400毫伏
TLP2116(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116(TP,F) -
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 ECAD 5260 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TLP2116 直流 2 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 2/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP121(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GR,F) -
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 ECAD 9097 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRF) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP9114B(AW-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(AW-TL,F) -
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 ECAD 7292 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - EAR99 8541.49.8000 1
TLP627M(D4-TP5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4-TP5,E 0.3090
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP627 直流 1 达林顿 4-SMD 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP385(GRL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GRL,E 0.5500
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 ECAD 9932 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(GRLE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4YH-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4YH-F6,F -
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 ECAD 8254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4YH-F6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP387(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(TPL,E 0.8700
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 ECAD 6400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP387 直流 1 达林顿 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1V
TLP731(D4-GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GR,F) -
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 ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP731 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2370(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(V4,E 1.7700
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 ECAD 2020年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2370 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 20Mbps 3纳秒、2纳秒 1.5V 8毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLPN137(S) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(S) -
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 ECAD 7193 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLPN137 - 1（无限制） 264-TLPN137(S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP620-4(D4BLFNC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4BLFNC,F -
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 ECAD 7592 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP620-4(D4BLFNCF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP182(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GB-TPL,E 0.5700
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP750(D4-O-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O-LF1,F) -
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 ECAD 2156 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-O-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(MBJ-IGM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(MBJ-IGM,J,F -
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 ECAD 5035 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(MBJ-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP733F(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C172,F) -
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 ECAD 9187 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP733 直流 1 带基极晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP733F(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP385(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(TPL,E 0.5500
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 ECAD 5885 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2710(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP4,E 1.6000
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 ECAD 1480 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2710 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 5MBd 11纳秒、13纳秒 1.9V（最大） 8毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP731(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-LF4,F -
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 ECAD 2820 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-GB-LF4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP121(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL,F) -
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 ECAD 8069 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(BLF) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2704(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2704(D4,E 1.4400
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2704 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2704(D4E) EAR99 8541.49.8000 125 15毫安 - - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 400纳秒、550纳秒
TLP127(YASK-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(亚斯克-TPL,F) -
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 ECAD 9683 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(YASK-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP160G(IFT5,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(IFT5,U,F) -
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 ECAD 6294 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(IFT5UF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP3083(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083(TP1,F 1.9500
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 ECAD 670 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（5接口），鸥翼式 TLP3083 CQC、CSA、cUL、UL 1 所在晶闸管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1.15V 50毫安 5000Vrms 800V 100毫安 600μA（典型值） 是的 2kV/μs（典型值） 5毫安 -
TLP385(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(Y,E 0.5500
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 ECAD 2132 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP385(叶 EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP121(GRH-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TP,F) -
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 ECAD 5792 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRH-TPF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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