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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP570(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570(TP1,F) -
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 ECAD 9827 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP570 - 1（无限制） 264-TLP570(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP626(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(TP1,F) -
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 ECAD 1950年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP358(D4-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-LF1,F) -
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 ECAD 2941 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP358 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 8贴片 下载 264-TLP358(D4-LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5安 - 17纳秒, 17纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(TPR,E) -
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 ECAD 6582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 TLP185(TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(BL-LF6,F) -
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 ECAD 8061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(BL-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP265J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TL,E 0.8400
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 ECAD 4119 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 7毫安 20微秒
TLP127(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(女) -
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 ECAD 4433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP127 - 1（无限制） 264-TLP127(女) EAR99 8541.49.8000 150
TLP532(GR-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(GR-TP5,F) -
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 ECAD 2528 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532(GR-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331(BV-LF2,F) -
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 ECAD 6523 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - 1（无限制） 264-TLP331(BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2530(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(TP1,F) -
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 ECAD 9916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2530 直流 2 带基极晶体管 8贴片 下载 264-TLP2530(TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 30%@16mA 300纳秒、500纳秒 -
TLP127(DEL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(DEL-TPL,F) -
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 ECAD 3952 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(DEL-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP127(TEE-TPLS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TEE-TPLS,F) -
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 ECAD 6416 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(TEE-TPLSF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP781(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(国标、法文) -
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 ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP781GBF 5A991G 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLX9185(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(TOJGBTLF(O -
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 ECAD 9576 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9185 直流 1 晶体管 6-SOP - 264-TLX9185(TOJGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 3微秒、5微秒 80V 1.27V 30毫安 3750Vrms 20%@5mA 600% @ 5mA 5μs、5μs 400毫伏
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(女) -
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 ECAD 8284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP361 尿道 1 所在晶闸管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4MB-F2,J,F -
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 ECAD 2825 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4MB-F2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP3902(TPR,U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3902(TPR,U,F) 1.0712
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 ECAD 9472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP3902 直流 1 光伏 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 3（168小时） 5A991 8541.49.8000 3,000 5微安 - 7V 1.15V 50毫安 2500Vrms - - 600微秒，2毫秒 -
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(TPR,F) -
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 ECAD 2750 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP137 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP137(TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP109(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(V4-TPL,E 1.8900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP109 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 - 20V 1.64V 20毫安 3750Vrms 20%@16mA - 800ns、800ns（顶部） -
TLP184(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(国标、英) -
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 ECAD 9774 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP715(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(TP,F) -
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 ECAD 2863 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP9121A(HNEGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(HNEGBTL,F -
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 ECAD 3405 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（HNEGBTLF） EAR99 8541.49.8000 1
TLP292-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TR,E 1.8100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781F(D4GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRL-F7,F -
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 ECAD 7446 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GRL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLX9185(KMGBTL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(KMGBTL,F(O -
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 ECAD 5179 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9185 直流 1 晶体管 6-SOP - 264-TLX9185(KMGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 3微秒、5微秒 80V 1.27V 30毫安 3750Vrms 20%@5mA 600% @ 5mA 5μs、5μs 400毫伏
TLP626(FUJI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(富士、F) -
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 ECAD 6112 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(富士) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP161J(T5TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TR,U,C,F -
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 ECAD 6551 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161J - 1（无限制） 264-TLP161J(T5TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP185(YH-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(YH-TPL,SE 0.4500
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 ECAD 2619 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4-Y-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-Y-T6,F -
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 ECAD 4691 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4-Y-T6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2770(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(E 2.2400
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 ECAD 2675 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2770 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2770(E(O EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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