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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T 年级 资质
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-T7,F -
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 ECAD 7721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(BLL-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(TPL,E 0.5700
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 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(LF1,E 0.9100
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 ECAD 2527 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SMD（0.300英寸，7.62毫米） TLP628 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400毫伏
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y,F) -
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 ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP551 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP551(YF) EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP124(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPL,F) -
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 ECAD 1975年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP124(TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(国标、英 0.5000
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 ECAD 1400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP184(BL-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(BL-TPL,SE 0.5100
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 ECAD 6089 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6,F 0.1515
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 ECAD 7283 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ TLP785 直流 1 晶体管 下载 1（无限制） 264-TLP785(GR-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 4,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0.6100
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 ECAD 6152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP9148J(PSD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9148J(PSD-TL,F) -
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 ECAD 2942 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9148J(PSD-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTRE) 1.7900
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 ECAD 2512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4,E 1.6000
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 ECAD 5859 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(TPL,E 1.0300
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 ECAD 3033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP187 直流 1 达林顿 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 3750Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP2710(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(TP,E 1.6000
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 ECAD 3111 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2710 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 5MBd 11纳秒、13纳秒 1.9V（最大） 8毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR,E 0.5100
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 ECAD 2219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(GRE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHF7,F -
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 ECAD 7137 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4GHF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
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 ECAD 29 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP525 尿道 1 所在晶闸管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP525G(女) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50毫安 2500Vrms 400V 100毫安 200μA（典型值） 不 200V/微秒 10毫安 -
TLP183(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(TPL,E 0.5100
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LA-TR,E 1.6300
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 ECAD 7543 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP108(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(V4-TPL,F) -
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 ECAD 5440 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP108 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP108(V4-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(TP,E 2.2400
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2770 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLX9905(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9905(TPL,F 4.0500
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9905 直流 1 光伏 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 300微秒，1毫秒 - 汽车 AEC-Q101
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(TP,E 1.7100
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 ECAD 7878 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP185(GRL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GRL-TL,SE 0.6000
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 ECAD 4835 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPL,E 1.7700
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 ECAD 2071 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2370 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20Mbps 3纳秒、2纳秒 1.5V 8毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(Y-TP7,F -
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 ECAD 6359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(Y-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2363(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(TPR,E 1.0200
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 ECAD 7215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2363 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 10Mbps 23纳秒、7纳秒 1.5V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP750(D4SHR-OT4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4SHR-OT4,F -
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 ECAD 6109 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4SHR-OT4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP2303(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(E 0.8100
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2303 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 80毫安 - 18V - 20毫安 3750Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP9118(ND2-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118(ND2-TL,F) -
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 ECAD 9132 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9118(ND2-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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