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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP732(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(bl-lf2,f) -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(BL-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP250HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(f) -
RFQ
ECAD 6169 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8点 下载 (1 (无限) 264-TLP250HF(f) Ear99 8541.49.8000 50 2 a - 50n,50n 1.57V 5mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP759(D4MB-F2,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4Mb-f2,j,f -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(D4MB-F2JF Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP714F(D4-MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F(d4-MBSTP,f -
RFQ
ECAD 8895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP714 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP714F D4-MBSTPF Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP781F(D4DLTGRH,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4dltgrh,f -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4dltgrhf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2531(QCPL4531,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4531,f -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP2531 DC 2 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP2531(QCPL4531F Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 19% @ 16mA 30% @ 16mA 200NS,300NS -
TLP2766F(D4MBSTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F(d4mbstp,f -
RFQ
ECAD 6271 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP2766 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766F(d4mbstpf Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS,55NS
TLP358(D4-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp358(d4-lf5,f) -
RFQ
ECAD 9293 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358(D4-LF5F) Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns,17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP781F(D4NKODGB7F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4nkodgb7f -
RFQ
ECAD 3296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4nkodgb7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781F(GRH-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grh-tp7,f) -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRH-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH,F) -
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(YHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP781(BL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(bl-lf6,f) -
RFQ
ECAD 8061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(BL-LF6F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP160G(T7-TPL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G t7-tpl,U,f -
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160G - (1 (无限) 264-TLP160G(t7-tpluftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP265J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TL,E。 0.8400
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP265 CQC,Cur,Ur,Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma (典型) 500V/µs (典型) 7ma 20µs
TLP531(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(bl-lf1,f) -
RFQ
ECAD 2671 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(BL-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP5702(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(lf4,e 1.5200
RFQ
ECAD 5079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5702 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) 264-TLP5702(lf4e Ear99 8541.49.8000 125 - 15ns,8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS,200NS
TLP626(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(lf1,f) -
RFQ
ECAD 5424 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 4-SMD (0.300英寸,7.62mm) AC,DC 1 晶体管 4-SMD 下载 264-TLP626(LF1F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs,8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP266J(V4T7TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TL,E。 0.9200
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP266 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 600µA() 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP388(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388(d4gb-tr,e 0.7800
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(d4-lf2,J,f),f) -
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759(D4-LF2JF) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP361J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP361J(f) -
RFQ
ECAD 8284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP361 ur 1 TRIAC 4点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA() 是的 200V/µs 10mA 30µs
TLP385(D4GL-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4gl-tl,e 0.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP719F(D4SOY-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp719f(d4soy-tp,f -
RFQ
ECAD 7583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP719 DC 1 晶体管带有基部 6-SDIP - 264-TLP719F d4soy-tpf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP9104A(TOJS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a(tojs-tl,f -
RFQ
ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(tojs-tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP9104A(HNE-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a(hne-tl,f) -
RFQ
ECAD 6741 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(HNE-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP185(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(tpr,E) -
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 TLP185(TPRE) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP127(ITO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(iTo-tpr,f) -
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127((ITO-TPRF)Tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP785F(D4YHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4yhf7,f -
RFQ
ECAD 8839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4yhf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP187(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(e 1.0200
RFQ
ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP715(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-MBS-TP,f -
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP715 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(D4-MBS-TPF Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库