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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大)
TLP512(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(tp1,f) -
RFQ
ECAD 7752 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP512 - (1 (无限) 264-TLP512(TP1F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2768a(tp,e 1.3800
RFQ
ECAD 7783 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2768 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP627MF(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(tp4,e 0.3090
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP280-4(GB,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP280-4 (GB,J,f) -
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 16-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) TLP280 AC,DC 4 晶体管 16 SOP 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 2500vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLPN137(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137(f) 1.5600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLPN137 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 10MBD 3NS,12NS 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 75NS,75NS
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(gb-tpr,e) -
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP732(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (D4-GB-LF2,f -
RFQ
ECAD 9902 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(D4-GB-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP715F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F(f) -
RFQ
ECAD 4992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP715 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP 下载 264-TLP715F(f) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP781(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-bl,f) -
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(D4-BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP785F(GR-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(gr-lf7,f -
RFQ
ECAD 3252 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(gr-lf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200% @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP383(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383(d4,e -
RFQ
ECAD 1774年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 (1 (无限) 264-tp383 d4e Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP127(DEL-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(del-tpr,f) -
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(del-tprf)tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP781F(D4BL-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f(d4bl-lf7,f -
RFQ
ECAD 6770 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(d4bl-lf7f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(ho-gb,f) -
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - (1 (无限) 264-TLP632(HO-GBF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2108(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2108(f) -
RFQ
ECAD 5512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2108 DC 2 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP184(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(E) -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP121(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GB-TPR,F) -
RFQ
ECAD 4849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP121(GB-TPRF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP3924(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3924(tp15,f) 4.0800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-SMD,平坦的铅 TLP3924 DC 1 光伏 4ssop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 4µA - 30V 1.3V 30 ma 1500vrms - - - -
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(tpl-pp,f) -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP124(TPL-PPF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP5701(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(tp,e 1.2700
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP5701 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 600 MA - 50n,50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP184(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (SE 0.5000
RFQ
ECAD 1390 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP191B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (TPR,U,C,F) -
RFQ
ECAD 5325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C 〜80°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs,3ms -
TLP184(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR,E) -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 TLP184(GB-TPRE) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP531(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(bl-tp1,f) -
RFQ
ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP531 - (1 (无限) 264-TLP531(BL-TP1F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP2358(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2358(tpl,E) 1.0200
RFQ
ECAD 5634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2358 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 15ns,12ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(gr-tpl,se 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP184(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(tpl,E) -
RFQ
ECAD 2019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 TLP184(TPLE) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP250H(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(lf1,f) 1.7800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP250 DC 1 推扣,图腾柱 10v〜30v 8-SMD 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP250H(LF1F) Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n,50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS,500NS
TLP627-2(HITOMK,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp627-2(荷马克,f) -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - (1 (无限) 264-TLP627-2(hitomkf) Ear99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4-gb,f -
RFQ
ECAD 5988 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4-gbf Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库