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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP250H(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H（f） 1.7900
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP250 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 8点 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 50 2.5 a - 50n，50n 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 40kV/µs 500NS，500NS
TLP3042(TP1,S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3042（tp1，s，c，f） -
RFQ
 ECAD 8806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3042 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 TLP3042（TP1SCF） Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA（） 是的 200V/µs 10mA -
TLP714F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F（tp，f） -
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 ECAD 6424 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP714F（TPF） Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP3023SF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3023SF -
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3023 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 400 v 100 ma 600µA（） 不 200V/µs 5mA -
TLP2761(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761（tp，e） 1.1800
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 ECAD 4378 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP3052A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052A（tp1，f 1.4000
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD（5条线），鸥翼 TLP3052 CQC，Cur，Ur 1 TRIAC 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA（） 不 2KV/µS典型（典型） 10mA -
TLP715F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715F（tp，f） -
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 ECAD 8866 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP715 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜20V 6-SDIP 下载 264-TLP715F（TPF） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 30ns，30ns 1.6V 20mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 250NS，250NS
TLP291(V4GRTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（v4grtp，se 0.6000
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 ECAD 7762 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP190B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp190b（tpr，u，c，f） -
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 ECAD 4583 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP104(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104（TPR，E） 1.5200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP5702H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（tp4，e 1.8300
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 ECAD 4460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns，50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP781(D4GRLT6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4grlt6tc，f -
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 ECAD 8955 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4grlt6tcftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2710(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710（e 1.6200
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 ECAD 6719 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2710 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TLP2710（e Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 5MBD 11n，13ns 1.9v （最大） 8mA 5000vrm 1/0 25kV/µs 250NS，250NS
TLP627MF(D4-T4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF（d4-t4，e 0.9200
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 ECAD 2046 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,000 150mA 60µs，30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000％ @ 1ma - 110µs，30µs 1.2V
4N37(SHORT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n37 （短 -TP5，f） -
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 ECAD 9038 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 4N37 DC 1 晶体管带有基部 6-SMD - Rohs符合条件 （1 （无限） 4N37（TP5F） Ear99 8541.49.8000 1,500 100mA - 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA - 3µs，3µs 300mv
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4t7tr，e 0.8400
RFQ
 ECAD 3858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 7ma 20µs
TLP185(GRH,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（grh，SE -
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 ECAD 3142 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（grhse Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP525G-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G-2（F） -
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 ECAD 9990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP525 ur 2 TRIAC 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 2500vrms 400 v 80 ma 200µA（200µa） 不 200V/µs 10mA -
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 （GB-TPL，E。 0.5100
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 ECAD 1851年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2766A(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A（lf4，e 1.6400
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 ECAD 6202 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 5n，4ns 1.8v （最大） 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
TLP785F(D4GLT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4Glt7，f 0.7200
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 ECAD 8544 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -25°C〜85°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP785 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.49.8000 4,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 25 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP555(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP555（f） -
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 ECAD 4730 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP555 DC 1 三州 4.5V〜20V 8点 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 40 MA 5Mbps 35NS，20NS 1.55V 10mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 400NS，400NS
TLP2962(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2962（f） 1.2700
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 ECAD 9992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2962 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2962F Ear99 8541.49.8000 50 50 mA 15MBD 3NS，12NS 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 75NS，75NS
TLP9104A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a（toyogtl，f -
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 ECAD 3431 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（toyogtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP750(ELKO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750（ELKO，F） -
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 ECAD 1691年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - （1 （无限） 264-TLP750（ELKOF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(D4-GR-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4-gr-lf2，f -
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 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP732 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP531(HIT-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531（（hit-bl，f），f） -
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - （1 （无限） 264-TLP531（HIT-BLF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2719(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719（e 1.7200
RFQ
 ECAD 1683年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2719 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜20V 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP2719（e Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 1MBD - 1.6V 25mA 5000vrm 1/0 10kV/µs 800NS，800NS
TLP160J(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160J（u，c，f） -
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 ECAD 7927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP160J ur 1 TRIAC 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 150 1.15V 50 mA 2500vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs 10mA 30µs
TLP260JTPRPF Toshiba Semiconductor and Storage TLP260JTPRPF -
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 ECAD 5567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP260 ur 1 TRIAC 4 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.15V 50 mA 3000vrm 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 30µs
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    每日平均RFQ量

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196-LFBGA裸露的垫子

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