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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 年级 资质
TLP754(MBI,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(MBI,F) -
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 ECAD 7757 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP754 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 8-DIP 下载 264-TLP754（MBIF） EAR99 8541.49.8000 1 15毫安 1Mbps - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(LF1,F) -
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 ECAD 2723 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP2530 直流 2 带基极晶体管 8贴片 下载 264-TLP2530(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 30%@16mA 300纳秒、500纳秒 -
TLP293-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4GBTRE 1.6300
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 ECAD 8493 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188(GB-TPL,E 0.8300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP188 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP385(D4GB-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GB-TR,E 0.5600
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 ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2630(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(垫,F) -
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 ECAD 8093 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2630 - 1（无限制） 264-TLP2630（MATF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4GRT7FD,F -
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 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4GRT7FDFTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP733F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-C174,F) -
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 ECAD 4345 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1（无限制） 264-TLP733F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP620-2(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(GR,F) -
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 ECAD 6523 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 264-TLP620-2(GRF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPRS,F) -
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 ECAD 5023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP124(TPRSF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP715(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4-TP,F) -
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 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP715 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP117(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117(TPR,F) -
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 ECAD 8565 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP117 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～5.5V 6-MFSOP，5引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991 8541.49.8000 3,000 10毫安 50MBd 3纳秒、3纳秒 1.6V 25毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP2361(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(E 1.1200
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2361 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(国标、英) -
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 ECAD 3061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 EAR99 8541.49.8000 175 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(HIT-BL-L1,F -
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 ECAD 5237 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532(HIT-BL-L1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP732(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(女) -
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 ECAD 4532 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(女) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-BL-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-BL-TP1,F -
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 ECAD 7743 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-BL-TP1F EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(TPL,E) 1.0800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP155 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - 35纳秒、15纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 1/0 15kV/微秒 170纳秒, 170纳秒
TLP185(BLL-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(BLL-TR,SE 0.6000
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 ECAD 7102 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303(TPL,E 0.8300
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2303 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 80毫安 - 18V - 20毫安 3750Vrms 500% @ 5mA - - -
TLP734(M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(男、女) -
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 ECAD 第1483章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - 1（无限制） 264-TLP734(MF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF1,F) -
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 ECAD 第1402章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP124F Toshiba Semiconductor and Storage TLP124F -
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 ECAD 4843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124F 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP124(女) EAR99 8541.49.8000 150 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP785F(D4Y-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4Y-F7,F -
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 ECAD 8840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4Y-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(LGBTR,E 1.6300
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 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLX9185(TOJ2GBTF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185(TOJ2GBTF(O -
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 ECAD 3905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9185 直流 1 晶体管 6-SOP - 264-TLX9185(TOJ2GBTF(O EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 3微秒、5微秒 80V 1.27V 30毫安 3750Vrms 20%@5mA 600% @ 5mA 5μs、5μs 400毫伏
TLX9906(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9906(TPL,F 4.0500
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9906 直流 1 光伏 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 200μs、200μs - 汽车 AEC-Q101
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4DMT7TRCF) -
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 ECAD 8447 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161J(V4DMT7TRCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP631(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GB-TP1,F) -
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 ECAD 7347 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(GB-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLX9291(FDKGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291(FDKGBBTLF(O -
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 ECAD 7115 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLX9291(FDKGBTLF(O EAR99 8541.49.8000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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