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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRH-LF7,F) -
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 ECAD 9323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(GRH-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP632(LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(LF2,F) -
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 ECAD 5494 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1（无限制） 264-TLP632(LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E 0.8400
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 ECAD 3858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 7毫安 20微秒
TLP558(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP558(女) -
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 ECAD 2611 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～85℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP558 直流 1 三态 4.5V～20V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP558F EAR99 8541.49.8000 50 40毫安 5Mbps 35纳秒、20纳秒 1.55V 10毫安 2500Vrms 1/0 1kV/微秒 400纳秒, 400纳秒
TLP785F(GRH-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRH-T7,F -
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 ECAD 4567 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(GRH-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(BL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(BL,F 0.2214
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 ECAD 6329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ TLP785 直流 1 晶体管 下载 1（无限制） 264-TLP785（BLF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP388(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(D4,E 0.7900
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 ECAD 8401 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP750(ELKO,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(埃尔科,F) -
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 ECAD 1691 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(埃尔科夫) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2531(TOSYK1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(TOSYK1,F) -
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 ECAD 7047 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2531（TOSYK1F） EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA - - -
TLP550(HIT-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(HIT-O,F) -
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 ECAD 3464 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550（命中） EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BL-LF7,F) -
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 ECAD 6707 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(BL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR,F 0.2172
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 ECAD 1540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ TLP785 直流 1 晶体管 下载 1（无限制） 264-TLP785（GRF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(BL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BL-TP7,F) -
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 ECAD 3513 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(BL-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP719F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(ABB-TP,F) -
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 ECAD 4749 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP719 直流 1 带基极晶体管 6-SDIP - 264-TLP719F(ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP3910(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910(D4,E 3.3300
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 ECAD 4036 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP3910 直流 2 光伏 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3V 30毫安 5000Vrms - - 300μs、100μs -
TLP781(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BL,F) -
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 ECAD 4491 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-BLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2735(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735(E 1.8300
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 ECAD 7103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2735 直流 1 推拉式、图腾柱式 9V～15V 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP2735（E） EAR99 8541.49.8000 125 20毫安 10Mbps -, 4ns 1.61V 15毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 100纳秒，100纳秒
TLP2363(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363(V4-TPR,E 1.0200
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 ECAD 5481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2363 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 10Mbps 23纳秒、7纳秒 1.5V 25毫安 3750Vrms 1/0 200kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP716(D4-MBS-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(D4-MBS-TP,F -
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 ECAD 8296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4-MBS-TPF EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP759(D4-LF1,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-LF1,J,F) 2.6400
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 ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP759 直流 1 晶体管 8贴片 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP759(D4-LF1JF) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - 200纳秒、300纳秒 -
TLP293-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-TR,E 1.6000
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(GRH-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GRH-LF2,F) -
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 ECAD 2242 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GRH-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTPE) 1.7600
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 ECAD 3413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(D4GRH-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF5,F -
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 ECAD 4780 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4GRH-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP631(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(Y,F) -
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 ECAD 6022 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785(D4B-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4B-F6,F -
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 ECAD 4369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4B-F6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4SANGBT7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4SANGBT7F) -
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 ECAD 9601 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4SANGBT7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP127(KMC-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(KMC-TPL,F) -
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 ECAD 9945 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(KMC-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP781(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB,F) -
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 ECAD 9663 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4BLL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4BLL-TP6,F -
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 ECAD 7898 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4BLL-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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