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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP292-4(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 （GB，E。 1.7900
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(GB-TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 （GB-TPL，E） -
RFQ
 ECAD 4003 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TLP185（GB-TPLE） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs，9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs，9µs 300mv
TLP624-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 1878年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP624 - （1 （无限） 264-TLP624-4（LF1F） Ear99 8541.49.8000 25
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（fd-gbtl，f -
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（FD-GBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（V4GBTPE 1.7600
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP290(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290（E） -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 175 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP120(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120（gr-tpr，f） -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP120 AC，DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP120（GR-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP733(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 （D4-C173，F） -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP733 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 不适用 TLP733（D4-C173F） Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP748J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J tp1，f） 1.8600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-SMD，鸥翼 TLP748 BSI，Semko，Ur 1 scr 6-SMD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 1.15V 50 mA 4000vrm 600 v 150 ma 1ma 不 5V/µs 10mA 15µs
TLP620-2(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2（d4-gb，f） -
RFQ
 ECAD 2946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP620 AC，DC 2 晶体管 8点 下载 264-TLP620-2（D4-GBF） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP121(GB-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 （GB-TPR，F） -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GB-TPRF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP116A(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp116a（e 1.5100
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP116 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 5A991 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.58V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60n，60n
TLP385(BLL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bll-tpr，e 0.5500
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP3052(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052 （S，C，F） -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm），5条线 TLP3052 BSI，Semko，Ur 1 TRIAC 6（6 浸（切），5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA -
TLP191B(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B （TPR，U，C，F） -
RFQ
 ECAD 5325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜80°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP191 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 24µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，3ms -
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（tp，E） -
RFQ
 ECAD 1575年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP2468(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468（tp，f） -
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2468 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 25 ma 20MBD 30ns，30ns 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n，60n
TLP183(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183（bl-tpr，e -
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP183（bl-tpre Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9376（tpl，f 4.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLX9376 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA - 2NS，2NS 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 35ns，35ns
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F（f） -
RFQ
 ECAD 3171 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP2955 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8点 下载 264-TLP2955F（f） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 16ns，14ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（lf7，f） -
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP5701(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701（d4-tp，e 1.2700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5701 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 600 MA - 50n，50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP2370(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370（v4-tpr，e 1.7700
RFQ
 ECAD 8434 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2370 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 20mbps 3n，2ns 1.5V 8mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 60n，60n
TLP2110(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2110（tp，f） 0.8837
RFQ
 ECAD 5728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TLP2110 DC 2 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP2110（TPF） Ear99 8541.49.8000 2,500 10 MA 5MBD 11n，13ns 1.53V 8mA 2500vrms 2/0 25kV/µs 250NS，250NS
6N139(F) Toshiba Semiconductor and Storage 6n139（f） -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 0°C〜70°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） 6n139 DC 1 达灵顿与基地 8点 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 60mA - 18V 1.65V 20 ma 2500vrms 500 @ @ 1.6mA - 200NS，1µs -
TLP785F(Y,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785f（y，f -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F YF Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（tp，e 1.7900
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2761F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F（f） -
RFQ
 ECAD 7422 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2761 AC，DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-so - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 10 MA 15MBD 3NS，3NS 1.5V 10mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 80n，80n
TLP9121A(BYDGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（bydgbtl，f -
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（bydgbtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP183(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183（gr-tpl，e 0.5100
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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