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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP748J(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP748J(TP1,F) 1.8600
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 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SMD，鸥翼式 TLP748 BSI、SEMKO、UR 1 可控硅 6-SMD 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 1.15V 50毫安 4000Vrms 600伏 150毫安 1毫安 不 5V/微秒 10毫安 15微秒
TLP104(TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(TPR,E) 1.5200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP104 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 1Mbps - 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP385(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GB-TL,E 0.5500
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 ECAD 3486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP731(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB,F) -
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 ECAD 2744 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP184(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(TPL,E) -
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 ECAD 2019年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 TLP184(TPLE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP183(GRH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GRH,E 0.5000
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 ECAD 9795 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(GRHE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4B-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4B-F6,F -
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 ECAD 4369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4B-F6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4GRLT6TC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRLT6TC,F -
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 ECAD 8955 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781（D4GRLT6TCCFTR） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2955(MBD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(MBD,F) -
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 ECAD 4867 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8-DIP 下载 264-TLP2955（MBDF） EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP785F(D4GRT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GRT7,F -
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 ECAD 8988 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4GRT7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(GR-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GR-LF7,F) -
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 ECAD 5901 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(GR-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(BL-TP,SE 0.5100
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 ECAD 3927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP293-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4-TR,E 1.6000
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP632(HO-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(HO-GB,F) -
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 ECAD 9433 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1（无限制） 264-TLP632(HO-GBF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP184(V4-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(V4-TPR,SE 0.5100
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 ECAD 6154 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP531(BL-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(BL-TP1,F) -
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 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(BL-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP716F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F(TP,F) -
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 ECAD 8437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716F(TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP750F(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750F(D4-TP4,F) -
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 ECAD 5112 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750F(D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP781(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB,F) -
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 ECAD 9663 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP732(GRH-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GRH-LF2,F) -
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 ECAD 2242 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GRH-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(V4GBTPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTPE) 1.7600
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 ECAD 3413 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(D4GRH-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF5,F -
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 ECAD 4780 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4GRH-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(LF1,F) -
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 ECAD 3097 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP731(D4-GR-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GR-TP1,F -
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 ECAD 3010 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1（无限制） 264-TLP731(D4-GR-TP1F EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP750(D4-O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-O,F) -
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 ECAD 8171 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-OF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(LF1,F) -
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 ECAD 7104 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP2631 - 1（无限制） 264-TLP2631(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP512(MBS-SZ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(MBS-SZ,F) -
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 ECAD 5207 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - 1（无限制） 264-TLP512(MBS-SZF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-TP7,F -
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 ECAD 4889 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP3062(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062(S、C、F) -
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 ECAD 1388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3062 BSI、SEMKO、UR 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP781(D4-BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-BLL,F) -
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 ECAD 3063 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-BLLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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