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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP754F(LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754F(lf4,f) -
RFQ
ECAD 9479 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 8-SMD 下载 264-TLP754F(lf4,f) Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS,400NS
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR,SE 0.5100
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP124(TPL-PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(tpl-pp,f) -
RFQ
ECAD 5763 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP124(TPL-PPF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(f) -
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP105 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 6-MFSOP,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 5A991 8541.49.8000 150 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 250NS,250NS
TLP292-4(LGBTP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(lgbtp,e 1.7900
RFQ
ECAD 5371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP781(D4-GR-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-gr-lf6,f -
RFQ
ECAD 6070 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4-gr-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP293(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 YH-TPL,E。 0.5800
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ECAD 6964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 75 @ @ 500µA 150 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP9121A(NCNGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a(ncngbtl,f -
RFQ
ECAD 4176 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A(ncngbtlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(f) -
RFQ
ECAD 7043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP512 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP512F Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 15% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
TLP184(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR,E) -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 TLP184(GB-TPRE) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 5µs,9µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 9µs,9µs 300mv
TLP293-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293-4(lgb,e 1.6300
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP2405(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405(tp,f) -
RFQ
ECAD 1280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TLP2405 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜20V 8-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 25 ma 5Mbps 30ns,30ns 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 250NS,250NS
TLP3910(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3910(d4,e 3.3300
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP3910 DC 2 光伏 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 - - 24V 3.3V 30 ma 5000vrm - - 300µs,100µs -
TLP385(D4-Y,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(d4-y,e 0.5400
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp385 d4-ye Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP781F(GRH-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(grh-lf7,f) -
RFQ
ECAD 9323 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(GRH-LF7F) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP182(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182(bl-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP182 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP160J(IFT7,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp160j(ift7,u,c,f -
RFQ
ECAD 7846 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP160 - (1 (无限) 264-TLP160J(ift7ucftr Ear99 8541.49.8000 150
TLP184(V4GBTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(V4GBTR,SE 0.5100
RFQ
ECAD 3225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP184 AC,DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP9121A(PASGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(pasgbtl,f -
RFQ
ECAD 1110 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A(pasgbtlf Ear99 8541.49.8000 1
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n37 (短,f) -
RFQ
ECAD 1571年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) 4N37 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) 4N37(Shortf) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA - 3µs,3µs 300mv
TLP570(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP570 (MB,F) -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP570 - (1 (无限) 264-TLP570(MBSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185(gr,se 0.6000
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) TLP185(grse Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP558(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP558(f) -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP558 DC 1 三州 4.5V〜20V 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP558F Ear99 8541.49.8000 50 40 MA 5Mbps 35NS,20NS 1.55V 10mA 2500vrms 1/0 1kV/µs 400NS,400NS
TLP2066(V4-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066(v4-tpl,f) -
RFQ
ECAD 7211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜3.6V 6-MFSOP,5领先 - 264-TLP2066(V4-TPLF) Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20mbps 5n,4ns 1.6V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 60n,60n
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(bl,f) -
RFQ
ECAD 1062 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - (1 (无限) 264-TLP632(BLF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP627M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(lf5,e 0.9300
RFQ
ECAD 7235 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP627 DC 1 达灵顿 4-SMD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP2955(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(tp1,f) -
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 8-SMD 下载 264-TLP2955(TP1F) Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS,250NS
TLP290(Y-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 Y Y-TP,SE 0.4200
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP290 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2768A(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2768a(d4,e -
RFQ
ECAD 4058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2768 DC 1 开放的收藏首页,肖特基夹 2.7V〜5.5V 6-so 下载 (1 (无限) 264-TLP2768A(d4e Ear99 8541.49.8000 125 25 ma 20MBD 30ns,30ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 60n,60n
TLP3062(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp3062(s,c,f) -
RFQ
ECAD 1388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm),5条线 TLP3062 BSI,Semko,Ur 1 TRIAC 6(6 浸(切),5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 600 v 100 ma 600µA() 是的 200V/µs 10mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库