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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-C174,F) -
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 ECAD 第1372章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP734 直流 1 晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP734F(D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GRL,F 0.6600
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 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(GRLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP127(TAIKO-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(TAIKO-TPL,F -
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 ECAD 8173 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(大工-TPLFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP750(D4-TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-TP4,F) -
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 ECAD 9240 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-TP4F) EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP3905(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(TPR,E 1.8500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP3905 直流 1 光伏 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 30μA（典型值） - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 300微秒，1毫秒 -
TLP3052(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3052(S、C、F) -
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 ECAD 8903 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3052 BSI、SEMKO、UR 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 10毫安 -
TLP9121A(NCNGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(NCNGTL,F -
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 ECAD 4176 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A（NCNGBTLF） EAR99 8541.49.8000 1
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPR,E) -
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 ECAD 7902 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP2761(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761(D4-TP,E 1.1800
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 ECAD 6254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2761 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP105(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(女) -
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 ECAD 6829 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP105 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991 8541.49.8000 150 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP293-4(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(TPR,E 1.6000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP163J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP163J(TPR,U,C,F) -
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 ECAD 5514 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP163 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 3（168小时） 5A991 8541.49.8000 3,000 1.15V 50毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP184(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(GB-TPR,E) -
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 ECAD 6806 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 TLP184(GB-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 9微秒，9微秒 300毫伏
TLP9114B(BYD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(比亚迪-TL,F) -
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 ECAD 7065 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9114B(比亚迪-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP387(D4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(D4-TPR,E 0.8700
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 ECAD 3796 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP387 直流 1 达林顿 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1V
TLP250H(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(TP1,F) 1.7800
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP250 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 8贴片 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 1,500人 2.5安 - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP2768A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768A(TP,E 1.3800
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 ECAD 7783 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2768 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 25毫安 20MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP3062A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A(F 1.6100
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3062 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 600伏 100毫安 600μA（典型值） 是的 2kV/μs（典型值） 10毫安 -
TLP117(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP117(女) -
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 ECAD 2120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP117 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-MFSOP，5引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） 5A991 8541.49.8000 150 10毫安 50MBd 3纳秒、3纳秒 1.6V 25毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-TELS,F) -
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 ECAD 7023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-TELSF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP714(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714(女) -
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 ECAD 5428 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP714 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SDIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP714F EAR99 8541.49.8000 100 15毫安 1Mbps - 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(BL-TPR,E 0.5600
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 ECAD 9723 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP105(HO-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(HO-TPR,F) -
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 ECAD 6609 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP105(HO-TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP265J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4T7TR,E 0.8400
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 ECAD 3858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 7毫安 20微秒
TLP732(D4GRH-LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF5,F -
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 ECAD 4780 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4GRH-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
6N139(F) Toshiba Semiconductor and Storage 6N139(女) -
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 ECAD 3604 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 0℃～70℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 6N139 直流 1 携带底座到达林顿管 8-DIP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 60毫安 - 18V 1.65V 20毫安 2500Vrms 500%@1.6mA - 200纳秒、1微秒 -
TLP385(D4GL-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(D4GL-TR,E 0.5600
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y-TPL,E 0.5000
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781(D4-GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GB-LF6,F -
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 ECAD 3421 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GB-LF6F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LGBTR,E 1.7900
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 ECAD 7026 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
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