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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP785(TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(tels-t6,f -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(tels-t6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP109(IGM,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109(IgM,E) 1.9900
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP109 DC 1 晶体管 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 8mA - 20V 1.64V 20 ma 3750vrms 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA 450NS,450NS -
TLP2704(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2704(tp,e 1.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2704 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 15 ma - - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 400NS,550NS
TLP781F(BL-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(bl-tp7,f) -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(BL-TP7F)TR Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(f) -
RFQ
ECAD 7043 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP512 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP512F Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 15% @ 16mA - 800NS,800NS (最大) -
TLP781F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(d4-bl,f) -
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781F(D4-BLF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2366(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(E) 1.4200
RFQ
ECAD 107 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2366 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 40n,40n
TLP127(TAIKO-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(Taiko-tpl,f -
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(Taiko-tplftr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP358(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(f) -
RFQ
ECAD 7437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 上次购买 - 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 - 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 6 a - - - 20mA 3750vrms - - -
TLP187(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187(v4-tpr,e -
RFQ
ECAD 2654 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop - (1 (无限) 264-TLP187(v4-tpretr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP5705H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H(tp,e 1.9100
RFQ
ECAD 3095 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns,50ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS,200NS
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-C174,F) -
RFQ
ECAD 1372 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) TLP734 DC 1 晶体管 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP734F(D4-C174F) Ear99 8541.49.8000 1,500 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 60 ma 4000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309(tpl,E) 1.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2309 DC 1 晶体管 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 8mA - 20V 1.55V 25 ma 3750vrms 15% @ 16mA - 1µs,1µs (最大) -
TLP781(D4-BL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(d4-bl-tp6,f -
RFQ
ECAD 4649 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD,鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 (1 (无限) 264-TLP781(d4-bl-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(tp,e 1.7900
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP751(D4-O-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP751(D4-O-LF2,F) -
RFQ
ECAD 6376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP751 DC 1 晶体管带有基部 8点 - Rohs符合条件 不适用 TLP751(D4-O-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1,500 8mA - 15V 1.65V 25 ma 5000vrm 10% @ 16mA - 200NS,1µs -
TLP265J(T7,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(t7,e -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP265 CQC,CSA,Cul,Ul,Vde 1 TRIAC 6 sop - (1 (无限) 264-TLP265J t7e Ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma 500V/µs (典型) 7ma 100µs
TLP732(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(bl-lf2,f) -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - (1 (无限) 264-TLP732(BL-LF2F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP719F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(ABB-TP,F) -
RFQ
ECAD 4749 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SOIC (0.268英寸,6.80mm宽度) TLP719 DC 1 晶体管带有基部 6-SDIP - 264-TLP719F(ABB-TPF) Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP781(GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(grh,f) -
RFQ
ECAD 3019 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP781(GRHF) Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP116A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp116a(tpl,e 1.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP116 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 20MBD 15ns,15ns 1.58V 20mA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60n,60n
TLP127(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (MBS-TPL,F) -
RFQ
ECAD 5067 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(MBS-TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP9114B(BYD-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B byd-tl,f) -
RFQ
ECAD 7065 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9114B(BYD-TLF) Ear99 8541.49.8000 1
TLP385(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(bll-tpl,e 0.5600
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n37 (短,f) -
RFQ
ECAD 1571年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP (0.300英寸,7.62mm) 4N37 DC 1 晶体管带有基部 6浸 - Rohs符合条件 (1 (无限) 4N37(Shortf) Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 100 @ @ 10mA - 3µs,3µs 300mv
TLP2630(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(f) -
RFQ
ECAD 7912 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) TLP2630 DC 2 开放的收藏首页,肖特基夹 4.5V〜5.5V 8点 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 16 ma 10MBD 30ns,30ns 1.65V 20mA 2500vrms 2/0 200V/µs,500V/µs typ) 75NS,75NS
TLP759F(D4IMT4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp759f d4imt4,j,f -
RFQ
ECAD 7748 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点(0.300英寸,7.62mm) DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759F(d4imt4jf Ear99 8541.49.8000 1 8mA - 20V 1.65V 25 ma 5000vrm 20% @ 16mA - - -
TLP3906(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3906(tpl,e 1.9500
RFQ
ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP3906 DC 1 光伏 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 12µA - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 200µs,300µs -
TLP293-4(LGB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293-4(lgb,e 1.6300
RFQ
ECAD 8376 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs,3µs 300mv
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(d4-lf2,f) -
RFQ
ECAD 5028 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP620 AC,DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP620-4(D4-LF2F) Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库