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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP373(MBS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP373(MBS,F) -
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 ECAD 5292 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP373 - 1（无限制） 264-TLP373(MBSF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(GBTPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(GBTPR,E 1.7900
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 ECAD 4816 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2118(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2118(TP,F) -
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 ECAD 1003 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2118 - 1（无限制） 264-TLP2118(TPF)TR EAR99 8541.49.8000 2,500人
TLP166J(V4,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP166J(V4,C,F) -
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 ECAD 3956 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP166 乌尔、德国 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP733F(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733F(D4-GR,M,F) -
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 ECAD 8922 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP733 - 1（无限制） 264-TLP733F(D4-GRMF) EAR99 8541.49.8000 50
4N37(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N37(短,女) -
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 ECAD 第1571章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 4N37 直流 1 带基极晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） 4N37（短） EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 30V 1.15V 60毫安 2500Vrms 100%@10mA - 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2719(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2719(D4-LF4,E 1.7200
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 TLP2719 直流 1 集电极开路 4.5V～20V 6-SO 下载 1（无限制） 264-TLP2719(D4-LF4E EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 1MBd - 1.6V 25毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 800纳秒, 800纳秒
TLP781(BLL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(BLL,F) -
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 ECAD 5143 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781（BLLF） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759F(D4-TP4,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4-TP4,J,F -
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 ECAD 7833 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP759 直流 1 带基极晶体管 8贴片 下载 264-TLP759F(D4-TP4JF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP161J(OMT30,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(OMT30,UC,F -
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 ECAD 3114 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161J - 1（无限制） 264-TLP161J(OMT30UCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP2348(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2348(V4-TPL,E 1.1200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2348 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 10Mbps 3纳秒、3纳秒 1.55V 15毫安 3750Vrms 1/0 30kV/μs 120纳秒, 120纳秒
TLP627-4(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-4(PP,F) -
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 ECAD 9897 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - 1（无限制） 264-TLP627-4(PPF) EAR99 8541.49.8000 25
TLP620-4(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4-LF2,F) -
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 ECAD 5028 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP620-4(D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP105(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(TPR,F) -
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 ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP105 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP105(TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP183(BLL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BLL-TPL,E 0.5100
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 ECAD 2341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP550(MAT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(MAT-TP5,F) -
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 ECAD 2344 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(MAT-TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2304(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(E 1.4100
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 ECAD 1050 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2304 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） 264-TLP2304（E EAR99 8541.49.8000 125 15毫安 1MBd - 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP531(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(HIT-BL-L1,F -
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 ECAD 第1481章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(HIT-BL-L1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(E -
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 ECAD 7187 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP383 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） 264-TLP383（E） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(D4-GB-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-GB-LF2,F -
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 ECAD 9902 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4-GB-LF2F EAR99 8541.49.8000 50
TLP512(NEMIC-LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(NEMIC-LF1,F -
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 ECAD 7059 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - 1（无限制） 264-TLP512(NEMIC-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP182(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(TPR,E -
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 ECAD 6419 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP - 1（无限制） 264-TLP182（TPRETR） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2367(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367(E 2.5100
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 ECAD 9738 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2367 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 50MBd 2纳秒、1纳秒 1.6V 15毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP9104(TOYOG-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104(TOYOG-TL,F -
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 ECAD 5609 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104(东洋-TLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP627M(E(OX4 Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(E(OX4 -
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 ECAD 7369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP627 直流 1 达林顿 4-DIP - 1（无限制） 264-TLP627M(E(OX4 EAR99 8541.49.8000 25 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP2710(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710(D4-TP4,E 1.6000
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 ECAD 2299 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2710 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 5MBd 11纳秒、13纳秒 1.9V（最大） 8毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP785F(D4-GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-GRL,F -
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 ECAD 8739 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-GRLF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP3906(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906(TPL,E 1.9500
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 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP3906 直流 1 光伏 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 12微安 - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 200μs、300μs -
TLP631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(TP5,F) -
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 ECAD 6088 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP120(GR-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TPR,F) -
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 ECAD 8321 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP120(GR-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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