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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大）
TLP9104A(TOYOGTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(TOYOGTL,F -
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 ECAD 3431 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(东洋GTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLP785F(BL-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BL-TP7,F -
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 ECAD 8055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(BL-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620F-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620F-2(D4,F) -
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 ECAD 9366 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） - 2 晶体管 8-DIP - 264-TLP620F-2(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 - 55V - 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA - -
TLP2955F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955F(F) -
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 ECAD 3171 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP2955 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8-DIP 下载 264-TLP2955F(F) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 16纳秒、14纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(TP1,F) -
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 ECAD 4288 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP624 - 1（无限制） 264-TLP624-2(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP620-2(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(D4-GB,F) -
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 ECAD 2946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 2 晶体管 8-DIP 下载 264-TLP620-2(D4-GBF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(LF7,F) -
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 ECAD 4839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355(TPL,E 1.0200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2355 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 - 15纳秒、12纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLX9175J(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9175J(TPL,F 4.9500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9175 直流 1 场效应管 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - - - 1.65V 25毫安 3750Vrms - - 200μs、200μs -
TLP2631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(TP5,F) -
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 ECAD 7126 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2631 - 1（无限制） 264-TLP2631(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPR,E 1.4100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2304 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 15毫安 1MBd - 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906(E 1.9500
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 ECAD 99 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP3906 直流 1 光伏 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 30μA（典型值） - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 200μs、300μs -
TLP2166A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(F) -
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 ECAD 2622 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） TLP2166 直流 2 推拉式、图腾柱式 3V～3.63V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2166AF EAR99 8541.49.8000 100 10毫安 15MBd 5纳秒，5纳秒 1.65V 15毫安 2500Vrms 2/0 15kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP5702H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(TP4,E 1.8300
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 ECAD 4460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP715(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP715(D4,F) -
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 ECAD 5372 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP715 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP715(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.6V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9376(TPL,F 4.0500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLX9376 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 - 2纳秒、2纳秒 1.57V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 35纳秒, 35纳秒
TLP2531(MAT-TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(MAT-TP5,F) -
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 ECAD 4242 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2531(MAT-TP5F) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA - - -
TLP781(D4-GR-TC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GR-TC,F) -
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 ECAD 8877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GR-TCF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP627M(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(D4,E 0.9200
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 ECAD 6486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP627 直流 1 达林顿 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP627M(D4E EAR99 8541.49.8000 100 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP550(MEIDEN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(明电,F) -
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 ECAD 7226 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550(MEIDENF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP9104A(AST-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104A(AST-TL,F) -
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 ECAD 2892 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A(AST-TLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP628M(GB-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M(GB-LF5,E 0.9100
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 ECAD 3140 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP628 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 5.5μs、10μs 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 10μs, 10μs 400毫伏
TLP781(D4-GRL-FD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-GRL-FD,F -
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 ECAD 2890 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-GRL-FDF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP108(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(TPR,F) -
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 ECAD 9357 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP108(TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP632(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(BL,F) -
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 ECAD 1062 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1（无限制） 264-TLP632（BLF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP552(MAT-TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(MAT-TA,F) -
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 ECAD 6505 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - 1（无限制） 264-TLP552（MAT-TAF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(GB-TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB-TP7,F) -
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 ECAD 第1387章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(GB-TP7F)TR EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP184(V4GBTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184(V4GBTR,SE 0.5100
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 ECAD 3225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP184 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5832(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832(D4-TP,E 2.8300
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 ECAD 第1387章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 8-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 8-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP161J(T5TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T5TL,U,C,F -
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 ECAD 9548 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161J - 1（无限制） 264-TLP161J(T5TLUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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196-LFBGA 裸露焊盘

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