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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP781(D4-GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-gr-TP6，f -
RFQ
 ECAD 8326 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4-gr-tp6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP734F(D4-GRL,M,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp734f（d4-grl，m，f -
RFQ
 ECAD 4173 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - （1 （无限） 264-TLP734F（d4-grlmf Ear99 8541.49.8000 50
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（gr-lf2，f） -
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（GR-LF2F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781F(D4GRT7FD,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4grt7fd，f -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP781F DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（d4grt7fdftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（e 1.7900
RFQ
 ECAD 5139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP292-4（t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP185(GRH-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（grh-tr，se -
RFQ
 ECAD 1163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（grh-trse Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（e 1.7100
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 ECAD 9055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5702H e Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns，50ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B（san-tl，f -
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 ECAD 5590 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9114B（san-tlf Ear99 8541.49.8000 1
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630（tp1，f） -
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 ECAD 9395 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP2630 - （1 （无限） 264-TLP2630（TP1F）TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP785(GRH-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp785（grh-lf6，f -
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 ECAD 5475 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（GRH-LF6F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP182(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp182 y-tpl，e 0.5500
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP732(D4COS-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732（d4cos-lf2，f -
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 ECAD 9163 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4COS-LF2F Ear99 8541.49.8000 50
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552（f） -
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 ECAD 7108 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - （1 （无限） 264-TLP552（f） Ear99 8541.49.8000 50
TLP185(TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（tpl，se 0.6000
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 ECAD 9189 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124（tprs，f） -
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 ECAD 5023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP124（TPRSF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J（v4dmt7trcf -
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 ECAD 8447 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP161 - （1 （无限） 264-TLP161J（v4dmt7trcftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP512(NEMIC-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp512（necial-tp1，f -
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 ECAD 8791 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP512 - （1 （无限） 264-TLP512（Nemict-TP1FTR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F（bll-lf7，f） -
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 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F（BLL-LF7F） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP291(GB-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 （GB-TP，E） -
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 ECAD 5477 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 400 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP358(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358（tp5，f） -
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 ECAD 9877 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP358 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358（TP5F） Ear99 8541.49.8000 1 5.5 a - 17ns，17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759（d4-igm，J，f），f） -
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 ECAD 1741年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP759 DC 1 晶体管带有基部 8点 下载 264-TLP759（d4-igmjf） Ear99 8541.49.8000 1 8mA - - 1.65V 25 ma 5000vrm 25 @ @ 10mA 75 @ @ 10mA - -
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 Y Y-LF1，F） -
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 ECAD 4205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP551（Y-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP331(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（lf5，f） -
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 ECAD 1127 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP331 - （1 （无限） 264-tp331（LF5F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP2366(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366（v4，e 1.5100
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 ECAD 8094 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP2366 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 40n，40n
TLP620-2(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2（lf1，f） -
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP620 AC，DC 2 晶体管 8-SMD 下载 264-TLP620-2（LF1F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP185(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（tpr，SE 0.1530
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 ECAD 1778年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP626(MAT-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 （MAT-LF2，F） -
RFQ
 ECAD 9349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP626 AC，DC 1 晶体管 4点 下载 264-TLP626 （MAT-LF2F） Ear99 8541.49.8000 1 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP9121A(MBHAGBTLF Toshiba Semiconductor and Storage tlp9121a（mbhagbtlf -
RFQ
 ECAD 1213 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A （MBHAGBTLF Ear99 8541.49.8000 1
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550，F） -
RFQ
 ECAD 8887 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP3083F(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F（f 1.7400
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 ECAD 44 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 通过洞 6浸入0.400英寸，10.16毫米），5个铅 CQC，CSA，Cul，Ul，Vde 1 TRIAC 6浸 下载 （1 （无限） 264-TLP3083F（f Ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 mA 5000vrm 800 v 100 ma 600µA 是的 2KV/µS典型（典型） 5mA -
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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