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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4HITIM,J,F -
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 ECAD 2380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4HITIMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP627MF(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(E 0.9000
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 ECAD 89 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP627 直流 1 达林顿 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP627MF(E EAR99 8541.49.8000 100 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP627MF(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF(D4,E 0.9000
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 ECAD 96 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP627 直流 1 达林顿 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP627MF(D4E EAR99 8541.49.8000 100 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP2398(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2398(E -
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 ECAD 5334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2398 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 6-SO，5铅 - 1（无限制） 264-TLP2398（ETR） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 5Mbps 15纳秒、12纳秒 1.5V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP250H(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H(TP5,F) -
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 ECAD 9916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP250 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 8贴片 下载 1（无限制） 264-TLP250H(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人 2A - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(国标、SE 0.6100
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 ECAD 8225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） TLP185(GBSE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP716(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716(D4,F) -
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 ECAD 2223 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP716(D4F) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(BV-LF2,F) -
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 ECAD 9710 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP781F(GRL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GRL-LF7,F) -
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 ECAD 3243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(GRL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP626(FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(发那科、F) -
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 ECAD 7970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(发那科) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H(D4TP4,E 2.6700
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 ECAD 6851 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5772 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 56纳秒、25纳秒 1.55V 8毫安 5000Vrms 1/0 35kV/μs 150纳秒, 150纳秒
TLP781(D4GRT6-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRT6-SD,F -
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 ECAD 6920 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4GRT6-SDFTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(D4-TP1,F) -
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 ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 交流、 直流 2 晶体管 8贴片 下载 264-TLP620-2(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GRH,F -
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 ECAD 7042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(D4-GRHF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 150% @ 5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y,F) -
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 ECAD 4224 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-YF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(Y-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y-LF6,F) -
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 ECAD 7916 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(Y-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(D4TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4TELS-T6,F -
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 ECAD 5195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4TELS-T6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2735(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735(D4,E 1.8300
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2735 直流 1 推拉式、图腾柱式 9V～15V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 20毫安 10Mbps -, 4ns 1.61V 15毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 100纳秒，100纳秒
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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 ECAD 1068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP626(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626(LF5,F) -
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 ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP626 交流、 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 264-TLP626(LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 8微秒，8微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP531(GR-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(GR-LF1,F) -
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 ECAD 7867 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - 1（无限制） 264-TLP531(GR-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759(D4TEIGF2J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4TEIGF2J,F -
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 ECAD 2055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4TEIGF2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B(C,F) 3.2100
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP591 直流 1 光伏 6-DIP，5端口 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 24微安 - 7V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，3毫秒 -
TLP183(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(BLL,E 0.5100
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 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(BLLE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP2304(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPL,E 1.4100
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 ECAD 4087 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2304 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 15毫安 1MBd - 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(国标、英 0.7900
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 ECAD 8875 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2630(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(TP1,F) -
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 ECAD 9395 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2630 - 1（无限制） 264-TLP2630(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP265J(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(V4,E 0.8400
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR、VDE 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP265J(V4E EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA（典型值） 不 500V/μs（典型值） 10毫安 20微秒
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(女) -
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 ECAD 6265 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP550 直流 1 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TPL,F) -
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 ECAD 3273 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRH-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
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