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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
4N38(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N38(短,女) -
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ECAD 1929年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 4N38 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 100毫安 - 80V 1.15V 80毫安 2500Vrms 10%@10mA - 3微秒、3微秒 1V
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(E 1.7900
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ECAD 5139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP292-4(E(T EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GB-LF6,F 0.6400
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ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(GB-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2530(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(LF1,F) -
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ECAD 2723 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 TLP2530 直流 2 带基极晶体管 8贴片 下载 264-TLP2530(LF1F) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 30%@16mA 300纳秒、500纳秒 -
TLP2601(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2601(女) -
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ECAD 8371 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~85℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP2601 直流 1 集电极开路,肖特基钳位 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 25毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 1/0 1kV/微秒 75纳秒, 75纳秒
TLP185(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(国标、SE 0.6100
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ECAD 8225 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) TLP185(GBSE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6N136F -
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ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 6N136 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA - 200纳秒、500纳秒 -
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073(TP1,F 2.0100
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ECAD 2537 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(5坐标),鸥翼式 TLP3073 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SO,5铅 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 1.15V 50毫安 5000Vrms 800V 100毫安 1mA(典型值) 2kV/μs(典型值) 5毫安 -
TLP293-4(V4LATPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LATPE) 1.6400
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ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP183(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(国标、英 0.5000
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ECAD 1400 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP183(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(D4GB-F6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4GB-F6,F -
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ECAD 5280 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785(D4GB-F6F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP265J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J(TPL,E 0.8200
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ECAD 5753 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP265 CQC、cUR、UR 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 1mA(典型值) 500V/μs(典型值) 10毫安 20微秒
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(女) -
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ECAD 6265 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP550 直流 1 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP731(D4-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-LF2,F) -
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ECAD 4092 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - 1(无限制) 264-TLP731(D4-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4-GB,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-GB,F -
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ECAD 5988 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785F(D4-GBF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP161J(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(T7TR,U,C,F -
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ECAD 8689 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1(无限制) 264-TLP161J(T7TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP105(MBS-N-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(MBS-N-TPL,F -
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ECAD 5179 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~20V 6-MFSOP,5引脚 下载 264-TLP105(MBS-N-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP781(D4GRL-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4GRL-TP6,F -
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ECAD 4437 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(D4GRL-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 200%@5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP624-4(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-4(LF1,F) -
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ECAD 1878年 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP624 - 1(无限制) 264-TLP624-4(LF1F) EAR99 8541.49.8000 25
TLP2530(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(PP、F) -
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ECAD 6811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP2530 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2530(PPF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 30%@16mA 300纳秒、500纳秒 -
TLP785(D4-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-TP6,F -
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ECAD 4964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP785(D4-TP6FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP734F(D4-GB,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F(D4-GB,M,F) -
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ECAD 8900 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP734 - 1(无限制) 264-TLP734F(D4-GBMF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-MBS-TL,F -
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ECAD 1423 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(V4-MBS-TLF EAR99 8541.49.8000 1 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP632(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GB-LF1,F) -
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ECAD 3606 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP632 - 1(无限制) 264-TLP632(GB-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP532(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(Y,F) -
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ECAD 6858 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1(无限制) 264-TLP532(YF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(D4GBT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GBT7,F -
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ECAD 3830 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 通孔 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1(无限制) 264-TLP785F(D4GBT7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP759F(D4STIT4J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4STIT4J,F -
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ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4STIT4JF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP759F(D4MBIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4MBIM,J,F -
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ECAD 7448 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4MBIMJF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP632(GB-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(GB-TP1,F) -
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ECAD 6176 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP632 - 1(无限制) 264-TLP632(GB-TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP732F(D4-BL-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732F(D4-BL-T4,F -
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ECAD 7427 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1(无限制) 264-TLP732F(D4-BL-T4F EAR99 8541.49.8000 50
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库