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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 霓机构 | 通道数 | 输出类型 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 电流 - 输出/通道 | 数据速率 | 上升/下降T(典型值) | 电压 - 输出(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 当前 - 直流正向 (If)(最大) | 电压-隔离 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电流 - 保持 (Ih) | 输入 - 侧 1/侧 2 | 共模瞬态抗扰度(最小) | 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) | 电流传输率比(最小) | 电流传输率比(最大) | 打开/关闭T(典型值) | Vce 渗透度(最大) | 过零电路 | 静态 dV/dt(简单) | 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) | 开启T |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 4N38(短,女) | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 4N38 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 6-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100毫安 | - | 80V | 1.15V | 80毫安 | 2500Vrms | 10%@10mA | - | 3微秒、3微秒 | 1V | |||||||||||||||
| TLP292-4(E | 1.7900 | ![]() | 5139 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP292 | 交流、 直流 | 4 | 晶体管 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP292-4(E(T | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP785(GB-LF6,F | 0.6400 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | TLP785(GB-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | ||||||||||||||
![]() | TLP2530(LF1,F) | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 表面贴装 | 8-SMD,鸥翼式 | TLP2530 | 直流 | 2 | 带基极晶体管 | 8贴片 | 下载 | 264-TLP2530(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8毫安 | - | 15V | 1.65V | 25毫安 | 2500Vrms | 7%@16mA | 30%@16mA | 300纳秒、500纳秒 | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP2601(女) | - | ![]() | 8371 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP2601 | 直流 | 1 | 集电极开路,肖特基钳位 | 4.5V~5.5V | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25毫安 | 10MBd | 30纳秒、30纳秒 | 1.65V | 20毫安 | 2500Vrms | 1/0 | 1kV/微秒 | 75纳秒, 75纳秒 | |||||||||||||||
![]() | TLP185(国标、SE | 0.6100 | ![]() | 8225 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP185 | 直流 | 1 | 晶体管 | 6-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | TLP185(GBSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||
![]() | 6N136F | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 6N136 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8毫安 | - | 15V | 1.65V | 25毫安 | 2500Vrms | 19% @ 16mA | - | 200纳秒、500纳秒 | - | |||||||||||||||
![]() | TLP3073(TP1,F | 2.0100 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SMD(5坐标),鸥翼式 | TLP3073 | CQC、cUR、UR | 1 | 所在晶闸管 | 6-SO,5铅 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | 1.15V | 50毫安 | 5000Vrms | 800V | 100毫安 | 1mA(典型值) | 不 | 2kV/μs(典型值) | 5毫安 | - | |||||||||||||||
| TLP293-4(V4LATPE) | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) | TLP293 | 直流 | 4 | 晶体管 | 16-SO | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 50%@500μA | 600%@500μA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||||
![]() | TLP183(国标、英 | 0.5000 | ![]() | 1400 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~125℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP183 | 直流 | 1 | 晶体管 | 6-SOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | TLP183(GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.25V | 50毫安 | 3750Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 300毫伏 | ||||||||||||||
![]() | TLP785(D4GB-F6,F | - | ![]() | 5280 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785(D4GB-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP265J(TPL,E | 0.8200 | ![]() | 5753 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 | TLP265 | CQC、cUR、UR | 1 | 所在晶闸管 | 6-SOP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | 1.27V | 50毫安 | 3750Vrms | 600伏 | 70毫安 | 1mA(典型值) | 不 | 500V/μs(典型值) | 10毫安 | 20微秒 | |||||||||||||||
![]() | TLP550(女) | - | ![]() | 6265 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP550 | 直流 | 1 | 晶体管 | 8-DIP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8毫安 | - | 15V | 1.65V | 25毫安 | 2500Vrms | 10%@16mA | - | 300纳秒、1微秒 | - | |||||||||||||||
![]() | TLP731(D4-LF2,F) | - | ![]() | 4092 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP731 | - | 1(无限制) | 264-TLP731(D4-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4-GB,F | - | ![]() | 5988 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785F(D4-GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP161J(T7TR,U,C,F | - | ![]() | 8689 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP161 | - | 1(无限制) | 264-TLP161J(T7TRUCFTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP105(MBS-N-TPL,F | - | ![]() | 5179 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 | 直流 | 1 | 推拉式、图腾柱式 | 4.5V~20V | 6-MFSOP,5引脚 | 下载 | 264-TLP105(MBS-N-TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50毫安 | 5Mbps | 30纳秒、30纳秒 | 1.57V | 20毫安 | 3750Vrms | 1/0 | 10kV/μs | 250纳秒, 250纳秒 | |||||||||||||||||
![]() | TLP781(D4GRL-TP6,F | - | ![]() | 4437 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | TLP781 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP781(D4GRL-TP6FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 200%@5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP624-4(LF1,F) | - | ![]() | 1878年 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP624 | - | 1(无限制) | 264-TLP624-4(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP2530(PP、F) | - | ![]() | 6811 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP2530 | 直流 | 2 | 带基极晶体管 | 8-DIP | 下载 | 264-TLP2530(PPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8毫安 | - | 15V | 1.65V | 25毫安 | 2500Vrms | 7%@16mA | 30%@16mA | 300纳秒、500纳秒 | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP785(D4-TP6,F | - | ![]() | 4964 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 表面贴装 | 4-SMD,鸥翼式 | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-SMD | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785(D4-TP6FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 50% @ 5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP734F(D4-GB,M,F) | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP734 | - | 1(无限制) | 264-TLP734F(D4-GBMF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP127(V4-MBS-TL,F | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~100℃ | 表面贴装 | 6-SMD(4端口),鸥翼式 | TLP127 | 直流 | 1 | 达林顿 | 6-MFSOP,4引脚 | - | 1(无限制) | 264-TLP127(V4-MBS-TLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 150毫安 | 40μs、15μs | 300V | 1.15V | 50毫安 | 2500Vrms | 1000%@1mA | - | 50μs、15μs | 1.2V | |||||||||||||||
![]() | TLP632(GB-LF1,F) | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP632 | - | 1(无限制) | 264-TLP632(GB-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP532(Y,F) | - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP532 | - | 1(无限制) | 264-TLP532(YF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP785F(D4GBT7,F | - | ![]() | 3830 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~110℃ | 通孔 | 4-DIP(0.400英寸,10.16毫米) | TLP785 | 直流 | 1 | 晶体管 | 4-DIP | 下载 | 1(无限制) | 264-TLP785F(D4GBT7FTR) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50毫安 | 2微秒、3微秒 | 80V | 1.15V | 60毫安 | 5000Vrms | 100%@5mA | 600% @ 5mA | 3微秒、3微秒 | 400毫伏 | |||||||||||||||
![]() | TLP759F(D4STIT4J,F | - | ![]() | 3246 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP759 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-DIP | 下载 | 264-TLP759F(D4STIT4JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25毫安 | 5000Vrms | 20%@16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP759F(D4MBIM,J,F | - | ![]() | 7448 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~100℃ | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | TLP759 | 直流 | 1 | 带基极晶体管 | 8-DIP | 下载 | 264-TLP759F(D4MBIMJF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | - | 1.65V | 25毫安 | 5000Vrms | 20%@16mA | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | TLP632(GB-TP1,F) | - | ![]() | 6176 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | TLP632 | - | 1(无限制) | 264-TLP632(GB-TP1F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,500人 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TLP732F(D4-BL-T4,F | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | * | 管子 | 过时的 | TLP732 | - | 1(无限制) | 264-TLP732F(D4-BL-T4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |

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