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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t (典型) 电压 -输出(最大) 电压 -向前( -vf)(类型) (dc 向前(如果)()((最大)) 电压 -隔离 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) 电流 -保持( ih) 输入 -侧面 -1/侧2 ((() tplh / tphl (最大) ((() ((() 打开 /关闭t ty(typ) (VCE 饱和度(最大) 零越过电路 DV/DT (最小) 电流-LED(IFT)(IFT)) t
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4GBTRE 1.7900
RFQ
ECAD 2512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP620-4(D4GB-F1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (D4GB-F1,f -
RFQ
ECAD 4840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) AC,DC 4 晶体管 16二滴 下载 264-TLP620-4(D4GB-F1F Ear99 8541.49.8000 1 50mA 2µs,3µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP731(D4-GB-TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP731(D4-GB-TP1,f -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP731 - (1 (无限) 264-TLP731 (D4-GB-TP1F Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP267J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP267J tpl,e 0.9900
RFQ
ECAD 1432 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP267 CQC,Cur,Ur 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 ma 3750vrms 600 v 70 MA 200µA(200µa) 500V/µs (典型) 3MA 100µs
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp183(gr,e 0.5100
RFQ
ECAD 2219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP183 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP183( Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP385(BL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385(bl,e 0.5500
RFQ
ECAD 6092 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) tlp385(ble Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP383(D4-GB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383(d4-gb,e -
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO,4领先 下载 (1 (无限) 264-tp383(d4-gbetr Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP185(GRH-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(grh-tl,se 0.6000
RFQ
ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150% @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J(tpr,u,c,f) -
RFQ
ECAD 1634年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173“,4.40mm宽),4个铅 TLP168 ur 1 TRIAC 6-MFSOP,4领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 1.4V 20 ma 2500vrms 600 v 70 MA 600µA() 是的 200V/µs 3MA -
TLP512(TOJS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512(tojs,f) -
RFQ
ECAD 5010 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP512 - (1 (无限) 264-TLP512(TOJSF) Ear99 8541.49.8000 50
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(tprs,f) -
RFQ
ECAD 5023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP,4领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP124(TPRSF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs,8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100% @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs,8µs 400mv
TLP292(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp292(tpl,e 0.5700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP292 AC,DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 300mv
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745(tp,e 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2745 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 50 mA - 3NS,3NS 1.55V 15mA 5000vrm 1/0 30kV/µs 120NS,120NS
TLP785(TELS-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(tels-t6,f -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785(tels-t6ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLX9376(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9376(tpl,f 4.0500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLX9376 DC 1 推扣,图腾柱 4.5V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA - 2NS,2NS 1.57V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 35ns,35ns
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-MBS-TL,f -
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(V4-MBS-TLF Ear99 8541.49.8000 1 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP358F(D4-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp358f(d4-lf4,f) -
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜100°C 表面安装 8-SMD,鸥翼 TLP358 DC 1 推扣,图腾柱 15V〜30V 8-SMD 下载 264-tp358f(D4-LF4F) Ear99 8541.49.8000 1 6 a - 17ns,17ns 1.57V 20mA 3750vrms 1/0 20kV/µs 500NS,500NS
TLP126(MBS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (MBS-TPL,F) -
RFQ
ECAD 4591 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP126 - (1 (无限) 264-TLP126(MBS-TPLF)TR Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(tp5,f) -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 TLP631 - (1 (无限) 264-TLP631(TP5F)TR Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP2363(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2363(v4-tpr,e 1.0200
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2363 DC 1 打开收藏首页 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma 10Mbps 23ns,7ns 1.5V 25mA 3750vrms 1/0 200kV/µs 80n,80n
TLP127(OME-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(ome-tpr,f) -
RFQ
ECAD 4020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD(4个铅),鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP,4领先 - (1 (无限) 264-TLP127(ome-tprf)tr Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs,15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000% @ 1ma - 50µs,15µs 1.2V
TLP627M(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(d4,e 0.9200
RFQ
ECAD 6486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP627 DC 1 达灵顿 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP627M(d4e Ear99 8541.49.8000 100 150mA 60µs,30µs 300V 1.25V 50 mA 5000vrm 1000% @ 1ma - 110µs,30µs 1.2V
TLP2704(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2704(tp,e 1.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材(0.295英寸,宽度为7.50mm) TLP2704 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 1,500 15 ma - - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 400NS,550NS
TLP785F(D4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(d4,f -
RFQ
ECAD 8684 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸( 0.400英寸,10.16毫米) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785F(d4f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP131(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(tpl,f) -
RFQ
ECAD 7460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic (0.173英寸,4.40mm宽),5条线索 TLP131 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP,5领先 - Rohs符合条件 (1 (无限) TLP131(TPLF) Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP550-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550-LF1,F) -
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - (1 (无限) 264-TLP550-LF1F) Ear99 8541.49.8000 50
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2355(tpl,e 1.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2355 DC 1 推扣,图腾柱 3v〜20V 6-SO,5领先 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 25 ma - 15ns,12ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 25kV/µs 250NS,250NS
TLP785 Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸(0.300英寸,7.62mm) TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 (1 (无限) 264-TLP785 Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs,3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50% @ 5mA 600 @ 5mA 3µs,3µs 400mv
TLP2367(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367(v4-tpl,e 2.5600
RFQ
ECAD 8746 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic (0.179英寸,4.55毫米宽),5个铅 TLP2367 DC 1 推扣,图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SO,5领先 下载 (1 (无限) Ear99 8541.49.8000 3,000 10 MA 50MBD 2NS,1NS 1.6V 15mA 3750vrms 1/0 25kV/µs 20N,20N
TLP293(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293(bll,E。 0.5100
RFQ
ECAD 130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料(0.179英寸,4.55mm) TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) TLP293(blle Ear99 8541.49.8000 175 50mA 2µs,3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 200% @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs,3µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库