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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧面 1/侧面 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP716F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP716F(ABB-TP,F) -
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 ECAD 6660 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP716 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~5.5V 6-SDIP 下载 264-TLP716F(ABB-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 10毫安 15MBd 15纳秒，15纳秒 1.65V 20毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP291(BLL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(BLL-TP,SE 0.6100
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 ECAD 6152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP183(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(Y,E 0.5100
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 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(叶 EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP168J(TPR,U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP168J(TPR,U,C,F) -
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 ECAD 1634 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP168 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.4V 20毫安 2500Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 3毫安 -
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905(E 1.8000
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 ECAD 22号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP3905 直流 1 光伏 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 30μA（典型值） - 7V 1.65V 30毫安 3750Vrms - - 300微秒，1毫秒 -
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPR,F) -
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 ECAD 5563 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172,F) -
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 ECAD 4589 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP734 直流 1 晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP734(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
6N136F Toshiba Semiconductor and Storage 6N136F -
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 ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 6N136 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA - 200纳秒、500纳秒 -
TLP627M(TP1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M(TP1,E 0.9300
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 ECAD 8195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP627 直流 1 达林顿 4-SMD 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 150毫安 60μs、30μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 110μs、30μs 1.2V
TLP383(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(BL-TPL,E -
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 ECAD 3367 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP383 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） 264-TLP383（BL-TPLETR） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 200%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP266J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(E 0.8800
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 管子 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP183(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(GR,E 0.5100
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 ECAD 2219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP183 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP183(GRE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
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 ECAD 3245 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 0℃～70℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 6N137 直流 1 集电极开路 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 1/0 200V/μs、500V/μs（典型值） 75纳秒, 75纳秒
TLP552 MRON,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 米伦,F) -
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 ECAD 7282 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - 1（无限制） 264-TLP552MRONF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP759F(D4ISIMT4JF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4ISIMT4JF) -
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 ECAD 8985 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4ISIMT4JF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP2367(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367(TPL,E 0.9641
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 ECAD 4672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2367 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2367(TPLE EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 50MBd 2纳秒、1纳秒 1.6V 15毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP9121A(FD-GBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A(FD-GBTL,F -
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 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9121A(FD-GBTLF) EAR99 8541.49.8000 1
TLP5702(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(TP4,E 1.5600
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 ECAD 7130 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP250HF(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250HF(女) -
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 ECAD 6169 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP250 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP250HF(母) EAR99 8541.49.8000 50 2A - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 5毫安 3750Vrms 1/0 40kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105(DHNS-TPL,F) -
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 ECAD 3482 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP105 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-MFSOP，5引脚 下载 264-TLP105(DHNS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP624-2(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2(TP1,F) -
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 ECAD 4288 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP624 - 1（无限制） 264-TLP624-2(TP1F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLP2631(TP5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2631(TP5,F) -
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 ECAD 7126 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP2631 - 1（无限制） 264-TLP2631(TP5F)TR EAR99 8541.49.8000 1,500人
TLX9175J(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9175J(TPL,F 4.9500
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～105℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLX9175 直流 1 场效应晶体管 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - - - 1.65V 25毫安 3750Vrms - - 200μs、200μs -
TLP2530(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2530(PP、F) -
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 ECAD 6811 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP2530 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2530(PPF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 7%@16mA 30%@16mA 300纳秒、500纳秒 -
TLP759F(D4STIT4J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4STIT4J,F -
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 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4STIT4JF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP759F(D4MBIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F(D4MBIM,J,F -
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 ECAD 7448 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759F(D4MBIMJF) EAR99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP2304(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2304(TPR,E 1.4100
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2304 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 15毫安 1MBd - 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP127(V4-MBS-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(V4-MBS-TL,F -
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 ECAD 1423 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP，4引脚 - 1（无限制） 264-TLP127(V4-MBS-TLF EAR99 8541.49.8000 1 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP2355(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355(TPL,E 1.0200
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2355 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 25毫安 - 15纳秒、12纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 1/0 25kV/微秒 250纳秒, 250纳秒
TLP781F(LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(LF7,F) -
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 ECAD 4839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781F(LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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