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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 批准机构 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） 电流 -保持（ ih） 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大） 零越过电路 DV/DT （最小） 电流-LED（IFT）（IFT）） t
TLP550(PP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550（pp，f） -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - （1 （无限） 264-TLP550（PPF） Ear99 8541.49.8000 50
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551 Y Y-LF1，F） -
RFQ
 ECAD 4205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 TLP551 DC 1 晶体管带有基部 8-SMD - Rohs符合条件 不适用 TLP551（Y-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50 8mA - 15V 1.65V 25 ma 2500vrms 10％ @ 16mA - 300ns，1µs -
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（e 1.7900
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 ECAD 5139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP292-4（t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（tpl，f） -
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 ECAD 4538 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
4N36(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4n36 （短，f） -
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 ECAD 2266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） 4N36 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 100mA - 30V 1.15V 60 ma 2500vrms 40％ @ 10mA - 3µs，3µs 300mv
TLP104(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp104（v4，e 1.5100
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 ECAD 4721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP104 DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 8 ma 1Mbps - 1.61V 25mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 550NS，400NS
TLP185(GRH-TR,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp185（grh-tr，se -
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 ECAD 1163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管带有基部 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP185（grh-trse Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP293-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（e 1.6300
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 ECAD 4531 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP293-4（t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2745(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2745（tp，e 1.1100
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP2745 DC 1 推扣，图腾柱 4.5V〜30V 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 50 mA - 3NS，3NS 1.55V 15mA 5000vrm 1/0 30kV/µs 120NS，120NS
TLP292-4(V4GBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（V4GBTRE 1.7900
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 ECAD 2512 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP630(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 （GB，F） -
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 ECAD 6307 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP630 AC，DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 55V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP127TPRUF Toshiba Semiconductor and Storage TLP127TPRUF -
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 ECAD 7557 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185（gr-tpr，se 0.5900
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 ECAD 3461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP185 DC 1 晶体管 6 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701（e 1.2600
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5701 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 600 MA - 50n，50n 1.57V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 500NS，500NS
TLP5702(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702（d4-tp4，e 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜110°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns，8ns 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 200NS，200NS
TLP781F(D4-Y-LF7,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f（d4-y-lf7，f -
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 ECAD 9772 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781F DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781F d4-Y-LF7F Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage tlp3910（d4c20tpe 3.3300
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP3910 DC 2 光伏 6-so 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - - 24V 3.3V 30 ma 5000vrm - - 300µs，100µs -
TLP293-4(LA-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp293-4（la-tr，e 1.6300
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 ECAD 7543 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP127(MAT-M-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 （MAT-M-TPL，f -
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 ECAD 8990 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP127 DC 1 达灵顿 6-MFSOP，4领先 - （1 （无限） 264-TLP127（MAT-M-TPLFTR Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.15V 50 mA 2500vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP785(LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785（lf6，f -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785（lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3905（e 1.8000
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 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP3905 DC 1 光伏 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 （30µA）（） - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 300µs，1ms -
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E（E），E） 1.0800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP155 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 - 35ns，15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS，170NS
TLP531(BL-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531（bl-lf2，f） -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP531 - （1 （无限） 264-TLP531（BL-LF2F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP121(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 （GB-TPL，F） -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP121 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP121（GB-TPLF） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187（tpr，e 1.0200
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 ECAD 7338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP5702H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（e 1.7100
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 ECAD 9055 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5702 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-so 下载 （1 （无限） 264-TLP5702H e Ear99 8541.49.8000 125 - 37ns，50ns 1.65V 20mA 5000vrm 1/0 50kV/µs 200NS，200NS
TLP265J(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J（v4-tpl，e 0.8400
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP265 CQC，Cur，Ur，Vde 1 TRIAC 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 50 mA 3750vrms 600 v 70 MA 1ma （典型） 不 500V/µs （典型） 10mA 20µs
TLP124(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124（TPR，F） -
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP124 DC 1 晶体管 6-MFSOP，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP190B(COSTPLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B（COSTPLUC，f -
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（4个铅），鸥翼 TLP190 DC 1 光伏 6-MFSOP，4领先 下载 264-TLP190B（costplucf Ear99 8541.49.8000 1 12µA - 8V 1.4V 50 mA 2500vrms - - 200µs，1ms -
TLP2766F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766F（f） -
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 ECAD 5909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） TLP2766 DC 1 推扣，图腾柱 2.7V〜5.5V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP2766F（f） Ear99 8541.49.8000 1 10 MA 20MBD 15ns，15ns 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 55NS，55NS
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196-LFBGA裸露的垫子

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