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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP161G(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(U、C、F) -
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 ECAD 8267 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP161G 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP，4引脚 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50毫安 2500Vrms 400V 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP292-4(V4-LA,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4-LA,E 1.7900
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 ECAD 3649 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785(YH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(YH,F -
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 ECAD 8103 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785(YHF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(国标、F) -
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 ECAD 8762 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 25 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(E 0.5700
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP3065(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3065(S、C、F) -
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 ECAD 6195 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - - - TLP3065 - - - - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP3065(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - - - - - -
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
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 ECAD 3245 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 0℃～70℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 6N137 直流 1 集电极开路 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 1/0 200V/μs、500V/μs（典型值） 75纳秒, 75纳秒
TLP5702(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-TP4,E 1.5200
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 6-SO 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP2309(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309(中) 1.2600
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 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2309 直流 1 晶体管 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 20V 1.55V 25毫安 3750Vrms 15%@16mA - 1μs、1μs（顶部） -
TLP781F(D4-GR-SD,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-GR-SD,F -
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 ECAD 2574 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4-GR-SDF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291(国标、英) -
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 ECAD 3061 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP291 直流 1 晶体管 4-SO 下载 EAR99 8541.49.8000 175 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
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 ECAD 2849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(YF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2761F(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F(TP,F) -
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 ECAD 5383 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2761 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP2761F(TPF) EAR99 8541.49.8000 2,500人 10毫安 15MBd 3纳秒、3纳秒 1.5V 10毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 80纳秒, 80纳秒
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(TPL,E 1.0300
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 ECAD 3033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP187 直流 1 达林顿 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 3750Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP190B(C20TL,UC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B(C20TL,UC,F -
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 ECAD 第1639章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 直流 1 光伏 6-MFSOP，4引脚 下载 264-TLP190B(C20TLUCF) EAR99 8541.49.8000 1 - - 8V 1.4V 50毫安 2500Vrms - - 200微秒，1毫秒 -
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GR-TPR,SE 0.5900
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 ECAD 3461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP532(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(BL,F) -
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 ECAD 8121 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532（BLF） EAR99 8541.49.8000 50
TLP2362(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362（中） 1.0500
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 ECAD 第1673章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2362 直流 1 集电极开路 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 25毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.55V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 100纳秒，100纳秒
TLP292-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(4LGBTRE 1.7900
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 ECAD 8134 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(LF1,F) -
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 ECAD 第1402章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - 1（无限制） 264-TLP631(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2958(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958(女) -
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 ECAD 3778 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～125℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V～20V 8-DIP 下载 264-TLP2958(女) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 15纳秒、10纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP160G(MBS-TR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(MBS-TR,U,F -
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 ECAD 9680 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP160G - 1（无限制） 264-TLP160G(MBS-TRUFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP3033(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3033(S、C、F) -
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 ECAD 3200 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3033 塞姆科，乌尔 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP3033(SCF) EAR99 8541.49.8000 50 - 5000Vrms 250伏 100毫安 - 是的 - 5毫安 -
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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 ECAD 1068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
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 ECAD 8672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3042 BSI、SEMKO、UR 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 400V 100毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP120(GR-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TP,F) -
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 ECAD 9211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP120(GR-TPF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767(E 2.5400
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 ECAD 5138 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2767 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 50MBd 2纳秒、1纳秒 2.1V（最大） 15毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181(GR,T) -
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 ECAD 1568 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP181 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370(TPL,E 1.7700
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 ECAD 2071 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2370 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20Mbps 3纳秒、2纳秒 1.5V 8毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP121(GRH-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TPL,F) -
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 ECAD 3273 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRH-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
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