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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH-LF6,F) -
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 ECAD 5929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP781(YH-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP182(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR-TPL,E 0.5200
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 ECAD 4529 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP627-2(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP627-2(D4,F) -
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 ECAD 6591 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP627 - 1（无限制） 264-TLP627-2(D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP785F(Y-TP7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(Y-TP7,F -
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 ECAD 6359 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1（无限制） 264-TLP785F(Y-TP7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP281(GB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP281(GB-TP,F) -
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 ECAD 2615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 4-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽） TLP281 直流 1 晶体管 4-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(TPL,E) 1.0800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP155 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - 35纳秒、15纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 170纳秒, 170纳秒
TLP750(D4-SANYD,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-SANYD,F) -
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 ECAD 6698 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP750 - 1（无限制） 264-TLP750(D4-SANYDF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP552(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552(女) -
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 ECAD 7108 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP552 - 1（无限制） 264-TLP552（女） EAR99 8541.49.8000 50
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187(TPL,E 1.0300
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 ECAD 3033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP187 直流 1 达林顿 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 3750Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
6N137F Toshiba Semiconductor and Storage 6N137F -
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 ECAD 3245 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 0℃～70℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 6N137 直流 1 集电极开路 4.5V~5.5V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 10MBd 30纳秒、30纳秒 1.65V 20毫安 2500Vrms 1/0 200V/μs、500V/μs（典型值） 75纳秒, 75纳秒
TLP781(D4-FUN,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(D4-FUN,F) -
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 ECAD 3278 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(D4-FUNF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(GB-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GB-LF6,F 0.6400
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 ECAD 79 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SMD，鸥翼式 TLP785 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 符合RoHS标准 不适用 TLP785(GB-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP732(GR-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(GR-LF2,F) -
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 ECAD 5089 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(GR-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP161G(T7TR,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161G(T7TR,U,C,F -
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 ECAD 7059 0.00000000 东芝半导体和存储 * 卷带式 (TR) 过时的 TLP161 - 1（无限制） 264-TLP161G(T7TRUCFTR) EAR99 8541.49.8000 3,000
TLP185(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(GB-TPR,SE 0.6000
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 ECAD 2461 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP120(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120(GR-TPL,F) -
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 ECAD 第1372章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP120 交流、 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP120(GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(国标、F) 0.6400
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(Y,F) -
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 ECAD 2849 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP781 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781(YF) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4COS-TP5,F -
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 ECAD 2015年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP750(D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 5000Vrms 10%@16mA - 200纳秒、1微秒 -
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(GB-TPL,E -
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 ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(D4-GB-LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4-GB-LF4,F -
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 ECAD 4214 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4-GB-LF4F EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(V4,E 1.8100
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 ECAD 6387 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP732(D4GRH-LF2,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4GRH-LF2,F -
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 ECAD 第1476章 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4GRH-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP358F(TP4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358F(TP4,F) -
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 ECAD 6352 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 8-SMD，鸥翼式 TLP358 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V～30V 8贴片 下载 264-TLP358F(TP4F) EAR99 8541.49.8000 1 6A - 17纳秒, 17纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP124(TPRS,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124(TPRS,F) -
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 ECAD 5023 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP124 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP124(TPRSF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒，8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
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 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131(GB-TPL,F) -
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 ECAD 8605 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），5引脚 TLP131 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP，5引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP131(GB-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770(TP,E 2.2400
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 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP2770 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 1.3纳秒、1纳秒 1.5V 8毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 60纳秒, 60纳秒
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(国标、英 0.7900
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 ECAD 8875 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP388 直流 1 晶体管 6-SO，4导联 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 350V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP266J(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPL,E 0.9000
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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