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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T(典型值) 电压 - 输出(最大) 电压 - 正向 (Vf)(典型值) 当前 - 直流正向 (If)(最大) 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度(最小) 传播延迟 tpLH / tpHL(峰值) 电流传输率比(最小) 电流传输率比(最大) 打开/关闭T(典型值) Vce 渗透度(最大) 过零电路 静态 dV/dt(简单) 电流 - LED 故障 (Ift)(最大) 开启T
TLP387(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP387(TPR,E 0.8700
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ECAD 5699 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP387 直流 1 达林顿 6-SO,4导联 下载 符合RoHS标准 不适用 EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.25V 50毫安 5000Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1V
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733(D4-C172,F) -
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ECAD 3338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP733 直流 1 带基极晶体管 6-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP733(D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1,500人 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 4000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP127(NS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(NS-TPL,F) -
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ECAD 2554 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(NS-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP137(BV-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137(BV-TPR,F) -
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ECAD 5868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 TLP137 直流 1 带基极晶体管 6-MFSOP,5引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) TLP137(BV-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 8微秒,8微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 200%@1mA 1200%@1mA 10μs、8μs 400毫伏
TLP2767(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2767(E 2.5400
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ECAD 5138 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP2767 交流、 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 10毫安 50MBd 2纳秒、1纳秒 2.1V(最大) 15毫安 5000Vrms 1/0 25kV/微秒 20纳秒, 20纳秒
TLP620-4(D4GB-F1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(D4GB-F1,F -
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ECAD 4840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 16-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 264-TLP620-4(D4GB-F1F EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(V4T7TR,E 0.9300
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ECAD 2986 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA(典型值) 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP108(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP108(TPL,F) -
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ECAD 7832 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),5引脚 TLP108 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V~20V 6-MFSOP,5引脚 下载 264-TLP108(TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25毫安 5Mbps 30纳秒、30纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP781(YH-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781(YH-LF6,F) -
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ECAD 5929 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781(YH-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 75% @ 5mA 150% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP127(SONY-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(索尼-TPL,F) -
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ECAD 5109 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP127 直流 1 达林顿 6-MFSOP,4引脚 - 1(无限制) 264-TLP127(索尼-TPLF)TR EAR99 8541.49.8000 3,000 150毫安 40μs、15μs 300V 1.15V 50毫安 2500Vrms 1000%@1mA - 50μs、15μs 1.2V
TLP160G(U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G(U,F) -
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ECAD 6312 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP160G 尿道 1 所在晶闸管 6-MFSOP,4引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 150 1.15V 50毫安 2500Vrms 400V 70毫安 600μA(典型值) 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP293-4(V4LATRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4LATRE) 1.6400
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ECAD 6745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 16-SOIC(0.179英寸,4.55毫米宽) TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5702(D4-TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-TP4,E 1.5200
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ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 15纳秒、8纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP2766A(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766A(TP,E 1.6700
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ECAD 7843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP2766 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V~5.5V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 10毫安 20MBd 5纳秒、4纳秒 1.8V(最大) 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 55纳秒, 55纳秒
TLP2166A(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2166A(TP,F) -
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ECAD 6199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~100℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) TLP2166 直流 2 推拉式、图腾柱式 3V~3.63V 8-SO 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 2,500人 10毫安 15MBd 5纳秒,5纳秒 1.65V 15毫安 2500Vrms 2/0 15kV/μs 75纳秒, 75纳秒
TLP121(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(国标、法文) -
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ECAD 3007 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP,4引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) TLP121(GBF) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP358(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358(D4-TP1,F) -
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ECAD 1860年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃~100℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 TLP358 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 8贴片 下载 264-TLP358(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 5.5安 - 17纳秒, 17纳秒 1.57V 20毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP385(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385(GB-TPL,E 0.5500
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ECAD 6711 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP385 直流 1 晶体管 6-SO,4导联 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP551(Y-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y-LF1,F) -
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ECAD 4205 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 TLP551 直流 1 带基极晶体管 8贴片 - 符合RoHS标准 不适用 TLP551(Y-LF1F) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP631(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631(GR,F) -
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ECAD 2093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~100℃ 通孔 6-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP631 直流 1 带基极晶体管 6-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H(D4TP4,E 1.8300
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ECAD 8950 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) TLP5702 直流 1 推拉式、图腾柱式 15V~30V 6-SO 下载 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 1,500人 - 37纳秒、50纳秒 1.55V 20毫安 5000Vrms 1/0 50kV/μs 200纳秒、200纳秒
TLP781F(GB-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(GB-LF7,F) -
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ECAD 3093 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 4-SMD,鸥翼式 TLP781F 直流 1 晶体管 4-SMD 下载 1(无限制) 264-TLP781F(GB-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(BL-TPL,F) -
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ECAD 1068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 6-SMD(4端口),鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP,4引脚 - 符合RoHS标准 1(无限制) TLP121(BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP182(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(国标、英 0.5600
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ECAD 第2272章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) TLP182(GBE EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP750(D4COS-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4COS-TP5,F -
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ECAD 2015年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP750(D4COS-TP5F EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 5000Vrms 10%@16mA - 200纳秒、1微秒 -
TLP620-2(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2(D4-TP1,F) -
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ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 表面贴装 8-SMD,鸥翼式 交流、 直流 2 晶体管 8贴片 下载 264-TLP620-2(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP383(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383(GB-TPL,E -
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ECAD 4079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 盒子 的积极 -55℃~125℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 直流 1 晶体管 6-SO,4导联 下载 EAR99 8541.49.8000 1 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 5000Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y,F) -
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ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃~100℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP551 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP551(YF) EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP185(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(国标、英) -
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ECAD 5085 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃~110℃ 表面贴装 6-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽),4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 5微秒、9微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 400% @ 5mA 9微秒,9微秒 300毫伏
TLP2955(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955(女) 1.8500
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ECAD 第579章 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 最后一次购买 -40℃~125℃ 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) TLP2955 直流 1 推拉式、图腾柱式 3V~20V 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.49.8000 50 25毫安 - 16纳秒、14纳秒 1.55V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 250纳秒, 250纳秒
  • Daily average RFQ Volume

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    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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    智能仓库