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光溶剂（（1738）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频道数量 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 数据速率 上升 /秋季t （典型） 电压 -输出（最大） 电压 -向前（ -vf）（类型） （dc 向前（如果）（）（（最大）） 电压 -隔离 输入 -侧面 -1/侧2 （（（） tplh / tphl （最大） （（（） （（（） 打开 /关闭t ty（typ） （VCE 饱和度（最大）
TLP187(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp187（tpr，e 1.0200
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP187 DC 1 达灵顿 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 150mA 40µs，15µs 300V 1.25V 50 mA 3750vrms 1000％ @ 1ma - 50µs，15µs 1.2V
TLP291(GR-TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291（gr-tp，e） -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP291 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 4µs，7µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 300 @ @ 5mA 7µs，7µs 300mv
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J（v4dmt7trcf -
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP161 - （1 （无限） 264-TLP161J（v4dmt7trcftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage tlp290（tp，se 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP290 AC，DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP732(D4GRH-TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp732（d4grh-tp5，f -
RFQ
 ECAD 9844 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - （1 （无限） 264-TLP732（D4GRH-TP5F Ear99 8541.49.8000 1,500
TLP161J(V4T5TRUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J（v4t5truc，f -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 过时的 TLP161 - （1 （无限） 264-TLP161J（v4t5trucftr Ear99 8541.49.8000 3,000
TLP292-4(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4（e 1.7900
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 ECAD 5139 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP292 AC，DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP292-4（t Ear99 8541.49.8000 50 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP331(F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp331（f） -
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 ECAD 6386 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜100°C 通过洞 6 DIP （0.300英寸，7.62mm） TLP331 DC 1 晶体管带有基部 6浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 55V 1.15V 50 mA 5000vrm 100％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP182(Y,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 Y Y，E。 0.5500
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 ECAD 1756年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP182 AC，DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp182（ Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP9104A(NCN-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp9104a（ncn-tl，f） -
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 ECAD 1211 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 过时的 - 264-TLP9104A（NCN-TLF） Ear99 8541.49.8000 1
TLP385(GRH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（grh-tpl，e 0.5600
RFQ
 ECAD 8469 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 150％ @ 5mA 300 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H（d4Tp4，e 2.6700
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 ECAD 6851 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6- 材（0.295英寸，宽度为7.50mm） TLP5772 DC 1 推扣，图腾柱 15V〜30V 6-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 1,500 - 56ns，25ns 1.55V 8mA 5000vrm 1/0 35kV/µs 150NS，150NS
TLP785F(D4TEET7F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F（d4teet7f -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（ 0.400英寸，10.16毫米） TLP785 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP785F（d4teet7ftr Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP293(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293（tpl，e 0.5100
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 4- 材料（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 1 晶体管 4-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,500 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP155E(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E（E） -
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 ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP155 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-SO，5领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 - 35ns，15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS，170NS
TLP631(GB-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 （GB-LF1，F） -
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 ECAD 9501 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP631 - （1 （无限） 264-TLP631（GB-LF1F） Ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4GRL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage tlp781（d4grl-lf6，f -
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 ECAD 8041 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 表面安装 4-SMD，鸥翼 TLP781 DC 1 晶体管 4-SMD 下载 （1 （无限） 264-TLP781（d4grl-lf6f Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 100 @ @ 5mA 200％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP3905(E Toshiba Semiconductor and Storage tlp3905（e 1.8000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP3905 DC 1 光伏 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 （30µA）（） - 7V 1.65V 30 ma 3750vrms - - 300µs，1ms -
TLP385(BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp385（bll，e 0.5500
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 ECAD 1556年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP385 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） tlp385（blle Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 200％ @ 5mA 400 @ @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP2955(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2955（d4-tp1，f） -
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 ECAD 6345 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 8-SMD，鸥翼 DC 1 推扣，图腾柱 3v〜20V 8-SMD 下载 264-TLP2955（D4-TP1F） Ear99 8541.49.8000 1 25 ma 5Mbps 1.55V 25mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 250NS，250NS
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E（E），E） 1.0800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.179英寸，4.55毫米宽），5个铅 TLP155 DC 1 推扣，图腾柱 10v〜30v 6-SO，5领先 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 - 35ns，15ns 1.55V 20mA 3750vrms 1/0 15kV/µs 170NS，170NS
TLP293-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4（lgbtr，e 1.6300
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 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP388(D4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（d4-tpl，e 0.7900
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 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP388 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 5000vrm 50％ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 （4LGBTRE 1.6300
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 ECAD 1661年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.179英寸，4.55mm） TLP293 DC 4 晶体管 16件事 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 2,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 500µA 600 @ @ 500µA 3µs，3µs 300mv
TLP383(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp383（d4gb-tl，e 0.6100
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 ECAD 1349 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 tlp383 DC 1 晶体管 6-SO，4领先 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA 2µs，3µs 80V 1.25V 50 mA 5000vrm 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 300mv
TLP714F(D4HW1TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F（D4HW1TP，f） -
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 ECAD 3728 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 6-SOIC （0.268英寸，6.80mm宽度） DC 1 打开收藏首页 4.5V〜30V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP714F（D4HW1TPF） Ear99 8541.49.8000 1 15 ma 1Mbps - 1.55V 20mA 5000vrm 1/0 20kV/µs 550NS，400NS
TLP137(BV,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137（bv，f） -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55°C〜100°C 表面安装 6-Soic （0.173英寸，4.40mm宽），5条线索 TLP137 DC 1 晶体管带有基部 6-MFSOP，5领先 - Rohs符合条件 （1 （无限） TLP137（BVF） Ear99 8541.49.8000 50 50mA 8µs，8µs 80V 1.15V 50 mA 3750vrms 200％ @ 1ma 1200 @ @ 1mA 10µs，8µs 400mv
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 （GB，E 0.8300
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -55°C〜110°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP188 DC 1 晶体管 6 sop 下载 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 125 50mA 2µs，3µs 350V 1.25V 50 mA 3750vrms 100 @ @ 5mA 600 @ 5mA 3µs，3µs 400mv
TLP2301(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2301（tpl，e 0.6000
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 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜125°C 表面安装 6-Soic （0.173“，4.40mm宽），4个铅 TLP2301 DC 1 晶体管 6 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.49.8000 3,000 50mA - 40V 1.25V 50 mA 3750vrms 50％ @ 1ma 600 @ @ 1ma - 300mv
TLP781(D4-YH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781（d4-yh，f） -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55°C〜110°C 通过洞 4- 浸（0.300英寸，7.62mm） TLP781 DC 1 晶体管 4点 下载 （1 （无限） 264-TLP781（D4-YHF） Ear99 8541.49.8000 100 50mA 2µs，3µs 80V 1.15V 60 ma 5000vrm 75 @ @ 5mA 150％ @ 5mA 3µs，3µs 400mv
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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