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光隔离器(1738)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 霓机构 通道数 输出类型 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 电流 - 输出/通道 数据速率 上升/下降T（典型值） 电压 - 输出（最大） 电压 - 正向 (Vf)（典型值） 当前 - 直流正向 (If)（最大） 电压-隔离 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))（峰值） 电流 - 保持 (Ih) 输入 - 侧 1/侧 2 共模瞬态抗扰度（最小） 传播延迟 tpLH / tpHL（峰值） 电流传输率比（最小） 电流传输率比（最大） 打开/关闭T（典型值） Vce 渗透度（最大） 过零电路 静态 dV/dt（简单） 电流 - LED 故障 (Ift)（最大） 开启T
TLP155E(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP155E(TPL,E) 1.0800
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 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP155 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 - 35纳秒、15纳秒 1.55V 20毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 170纳秒, 170纳秒
TLP293-4(V4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4(V4,E 1.6000
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 ECAD 5859 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP293 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP759(D4-IGM,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-IGM,J,F) -
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 ECAD 1741 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP759 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4-IGMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - - 1.65V 25毫安 5000Vrms 25%@10mA 75%@10mA - -
TLP292(GR-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292(GR-TPL,E 0.5600
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 ECAD 2009年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP290(V4GBTP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(V4GBTP,SE 0.5100
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 ECAD 229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP718F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F(D4-TP,F) -
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 ECAD 8340 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.268英寸，6.80毫米宽） TLP718 直流 1 推拉式、图腾柱式 4.5V～20V 6-SDIP鸥翼 下载 264-TLP718F(D4-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 5Mbps - - 3毫安 5000Vrms 1/0 10kV/μs 250纳秒, 250纳秒
TLP121(GRH-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121(GRH-TPR,F) -
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 ECAD 4690 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 表面贴装 6-SMD（4端口），鸥翼式 TLP121 直流 1 晶体管 6-MFSOP，4引脚 - 符合RoHS标准 1（无限制） TLP121(GRH-TPRF) EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP2366(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366(TPL,E 1.4000
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 ECAD 17号 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP2366 直流 1 推拉式、图腾柱式 2.7V～5.5V 6-SO，5铅 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 10毫安 20MBd 15纳秒，15纳秒 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 20kV/μs 40纳秒, 40纳秒
TLP785F(D4-BLL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-BLL,F -
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 ECAD 7615 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-BLLF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP551(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP551(Y,F) -
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 ECAD 6910 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP551 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP551(YF) EAR99 8541.49.8000 125 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP759(D4HITIM,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4HITIM,J,F -
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 ECAD 2380 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） 直流 1 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP759(D4HITIMJF) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 20V 1.65V 25毫安 5000Vrms 20%@16mA - - -
TLP3042SCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP3042SCF -
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 ECAD 8672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40℃～100℃ 通孔 6-DIP（0.300英寸，7.62毫米），5插座 TLP3042 BSI、SEMKO、UR 1 所在晶闸管 6-DIP（切割），5插座 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 1.15V 50毫安 5000Vrms 400V 100毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 -
TLP2531(QCPL4532,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531(QCPL4532,F -
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 ECAD 4357 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP2531 直流 2 带基极晶体管 8-DIP 下载 264-TLP2531(QCPL4532F) EAR99 8541.49.8000 1 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 19% @ 16mA 30%@16mA 200纳秒、300纳秒 -
TLP532(HIT-BL-L1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP532(HIT-BL-L1,F -
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 ECAD 5237 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP532 - 1（无限制） 264-TLP532(HIT-BL-L1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP620-4(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4(F) -
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 ECAD 4048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP620 交流、 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 25 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 5000Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP781F(D4BLL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4BLL-F7,F -
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 ECAD 3316 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP781F 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP781F(D4BLL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP785F(BLL-T7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(BLL-T7,F -
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 ECAD 7721 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(BLL-T7FTR) EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 200%@5mA 400% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2(国标、F) -
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 ECAD 9831 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP504 直流 4 晶体管 16-DIP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 25 50毫安 2微秒、3微秒 55V 1.15V 50毫安 2500Vrms 100%@5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550(女) -
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 ECAD 6265 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP550 直流 1 晶体管 8-DIP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 2500Vrms 10%@16mA - 300纳秒、1微秒 -
TLP104(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP104(V4-TPL,E 1.5200
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 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽），5引脚 TLP104 直流 1 集电极开路 4.5V～30V 6-SO，5铅 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 8毫安 1Mbps - 1.61V 25毫安 3750Vrms 1/0 15kV/μs 550纳秒、400纳秒
TLP185(V4GRTR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185(V4GRTR,SE 0.5900
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP185 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP5701(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701(E 1.2600
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -40℃～110℃ 表面贴装 6-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） TLP5701 直流 1 推拉式、图腾柱式 10V～30V 6-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 600毫安 - 50纳秒, 50纳秒 1.57V 25毫安 5000Vrms 1/0 20kV/μs 500纳秒、500纳秒
TLP182(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(E 0.5700
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 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP182 交流、 直流 1 晶体管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 125 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP651(O,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP651(O,F) -
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 ECAD 4853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃～100℃ 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） TLP651 直流 1 带基极晶体管 8-DIP - 符合RoHS标准 不适用 TLP651(OF) EAR99 8541.49.8000 50 8毫安 - 15V 1.65V 25毫安 5000Vrms 19% @ 16mA - 300纳秒、500纳秒 -
TLP266J(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J(TPR,E 0.9000
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 ECAD 6709 0.00000000 东芝半导体和存储 TLP 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～100℃ 表面贴装 6-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽），4引脚 TLP266 1 所在晶闸管 6-SOP 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30毫安 3750Vrms 600伏 70毫安 600μA（典型值） 是的 200V/微秒 10毫安 30微秒
TLP732(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732(D4,F) -
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 ECAD 1014 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP732 - 1（无限制） 264-TLP732(D4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP292-4(LA-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4(LA-TP,E 1.7900
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 ECAD 1266 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～125℃ 表面贴装 16-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP292 交流、 直流 4 晶体管 16-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,000 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50%@500μA 600%@500μA 3微秒、3微秒 300毫伏
TLP785F(D4-GR,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4-GR,F -
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 ECAD 1238 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 的积极 -55℃～110℃ 通孔 4-DIP（0.400英寸，10.16毫米） TLP785 直流 1 晶体管 4-DIP 下载 1（无限制） 264-TLP785F(D4-GRF EAR99 8541.49.8000 100 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.15V 60毫安 5000Vrms 100%@5mA 300% @ 5mA 3微秒、3微秒 400毫伏
TLP550 ,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550,F) -
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 ECAD 8887 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP550 - 1（无限制） 264-TLP550F） EAR99 8541.49.8000 50
TLP290(TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290(TP,SE 0.5100
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 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 卷带式 (TR) 的积极 -55℃～110℃ 表面贴装 4-SOIC（0.179英寸，4.55毫米宽） TLP290 交流、 直流 1 晶体管 4-SO 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.49.8000 2,500人 50毫安 2微秒、3微秒 80V 1.25V 50毫安 3750Vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3微秒、3微秒 300毫伏
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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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    智能仓库

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